一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，涉及一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管。本发明专利技术主要特征在于：通过倒梯形槽结构设计，新件构在部分肖特基阳极金属与势垒层之间插入介质层，并在体内引入P

【技术实现步骤摘要】
一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管


[0001]本专利技术属于功率半导体
，涉及一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管。

技术介绍

[0002]与第一代半导体材料Si相比，第三代宽禁带半导体材料GaN具有更为优秀的材料物理特性，其禁带宽度、电子迁移率、电子饱和速率、临界击穿电场、热导率和高/低频Baliga优值等物理参数均远高于Si材料。AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)在大功率开关应用中表现出优异的性能，例如开关速度快、导通电阻低等。
[0003]但由于肖特基势垒在高电压偏置条件下降低，SBD通常具有较大的反向泄漏电流，为了减少开关电路中二极管的静态功率损耗，需要尽量降低反向泄漏电流。常用的几种降低器件泄漏电流的技术有肖特基结终端、AlGaN背势垒技术等。
[0004]对于传统的电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)，当器件处于关断状态时，为了降低通过电流孔径到达栅极和源极的反向泄漏电流，通常将电流孔径的横向尺寸设计的较小，但这会导致导通电阻的增加以及饱和电流的降低。

技术实现思路

>[0005]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的第一导电材料(1)、N型高掺杂GaN层(2)、N型GaN漂移区(3)、P型高掺杂GaN阻挡层(4)、碳掺杂GaN阻挡层(5)；其特征在于：所述P型高掺杂GaN阻挡层(4)、碳掺杂GaN阻挡层(5)上设置有倒梯形凹槽，在凹槽底部和侧壁分布有未掺杂GaN层(6)，且未掺杂GaN层(6)还沿倒梯形凹槽外部平面向两侧延伸至覆盖GaN阻挡层(5)上表面；在未掺杂GaN层(6)上表面覆盖有势垒层(7)，在势垒层(7)上表面覆盖有介质层(8)；在介质层(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏杰，廖德尊，张成，罗小蓉，邓思宇，贾艳江，孙涛，郗路凡，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：