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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管。本发明主要特征在于：通过倒梯形槽结构设计，新件构在部分肖特基阳极金属与势垒层之间插入介质层，并在体内引入P
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该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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