半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括：基板；缓冲层，位于基板上；阻挡层，位于缓冲层上，其中通道区位于缓冲层中，且邻近于缓冲层与阻挡层的界面；掺杂化合物半导体层，位于一部分的阻挡层上；未掺杂的第一盖层，位于掺杂化合物半导体层上；栅极结构，位于未掺杂的第一盖层上；以及源极/漏极结构，分别位于栅极结构的两侧。于栅极结构的两侧。于栅极结构的两侧。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其形成方法，特别是关于一种高电子迁移率晶体管及其形成方法。

技术介绍

[0002]高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，又称为异质结构场效晶体管(heterostructure FET,HFET)或调变掺杂场效晶体管(modulation-doped FET,MODFET)，为一种场效晶体管(field effect transistor,FET)，其由具有不同能隙(energy gap)的半导体材料组成，而邻近的不同半导体材料所形成的界面(interface)处会产生二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)层。由于二维电子气的高电子移动性，高电子迁移率晶体管可具有高崩溃电压、高电子迁移率、低导通电阻与低输入电容等优点，因而适合用于高功率元件上。
[0003]增强型(enhancement mode，E-mode)高电子移动率晶体管在未外加栅极电压时，即为截止状态。传统上，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，位于所述基板上；一阻挡层，位于所述缓冲层上，其中一通道区位于所述缓冲层中，且邻近于所述缓冲层与所述阻挡层的一界面；一掺杂化合物半导体层，位于一部分的所述阻挡层上；一未掺杂的第一盖层，位于所述掺杂化合物半导体层上；一栅极结构，位于所述未掺杂的第一盖层上；以及一源极/漏极结构，分别位于所述栅极结构的两侧。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构更包括一栅极电极与一栅极金属层，所述栅极电极位于所述未掺杂的第一盖层上且所述栅极金属层位于所述栅极电极上。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一钝化层，其位于所述阻挡层上，其中所述源极/漏极结构穿过所述钝化层并直接接触所述阻挡层。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述未掺杂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周钰杰，林琮翔，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：