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本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括：基板；缓冲层，位于基板上；阻挡层，位于缓冲层上，其中通道区位于缓冲层中，且邻近于缓冲层与阻挡层的界面；掺杂化合物半导体层，位于一部分的阻挡层上；未掺杂的第一盖层，位于掺杂化合物半导体层上；栅极...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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