本发明的一些实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包含：基底；源极结构和漏极结构设置于基底上；栅极结构设置于基底上且于源极结构和漏极结构之间；第一场板设置于基底上；第一氧化物层设置于基底与第一场板之间；第二场板设置于第一场板上且相较于第...

一种操作电路，其耦接于一输入输出垫与一接地端之间，并包括一核心电路、一N型晶体管、一静电放电保护电路以及一控制电路。N型晶体管根据一特定节点的电压位准，决定是否导通核心电路与接地端之间的一路径。静电放电保护电路耦接于输入输出垫与核心电路...

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，包括一基板及一第一III-V族化合物层，第一III-V族化合物层设置于基板上。第一III-V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一棱镜面。半导体装置更包括一第二III-V族化合物层，第二III-V...

本发明提供一种半导体装置及其操作方法，装置包括一半导体层、一栅极电极、一第一介电层、一源极场板、一第二介电层、一源极电极、一第三介电层以及一漏极结构。栅极电极设置于半导体层上，且栅极电极具有一第一侧壁与一第二侧壁。第一侧壁与第二侧壁分别...

本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包...

本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一源极，设置于该基板中，位于该栅极的一侧；一漏极，设置于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及一栅极延伸部，设置于该基板上，位于该栅极与该漏极之间，其中该栅极的掺杂型式与该栅极...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包含：具有沿着一第一方向延伸的多个第一沟槽的基板结构、位于基板结构上的成核层、位于成核层上的化合物半导体层、位于化合物半导体层上的栅极、以及位于化合物半导体层上且位于栅极的两侧的源极及...

本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备，该半导体装置包括一导电基板以及一封装结构。导电基板具有多个像素。封装结构设置于导电基板上，且封装结构包括至少一光准直单元。光准直单元包括一透明基板及一图案化遮光层。图案化遮...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包含主动区和位于主动区的周围的周边区，周边区包含密封结构区。上述半导体装置包含基板以及位于基板上的晶种层。上述半导体装置亦包含位于晶种层上并位于主动区和周边区中的含氮化镓的复合层。上述...

本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、设置于衬底上的栅极结构、位于此栅极结构两侧的源极结构及漏极结构、以及第一介电层。栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及与此栅极电极电连接并作为栅极场板的栅极金属层。源极结构包含设置于衬底上的源极电...

本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中装置包含半导体层、栅极电极、第一介电层、源极场板、第二介电层、源极电极、第三介电层以及漏极结构。栅极电极设置于半导体层上。第一介电层设置于栅极电极上且具有第一凹槽位于栅极电极的第一侧...

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。其中，上述半导体装置包含衬底和覆盖衬底的表面的导电层，衬底和导电层形成一复合基板。上述半导体装置亦包含覆盖导电层的介电层，其中导电层位于介电层与衬底之间。上述半导体装置更包含位于复合基板的上方的含...

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。此半导体装置包括设置在基板之上的通道层、设置在通道层之上的阻挡层、设置在阻挡层之上的化合物半导体层、设置在化合物半导体层之上的栅极电极、以及设置于栅极电极两侧的源极电极以及漏极电极。上述源极电...

本发明提供一种基底及其制造方法，其中基底包含陶瓷芯、第一黏着层、阻障层和第二黏着层。第一黏着层包覆陶瓷芯且包含硅的氮氧化物，其中第一黏着层的硅的氮氧化物的氧和氮的原子数比具有第一比例。阻障层包覆第一黏着层且包含硅的氮氧化物，其中阻障层的...

本发明提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基板及设置于半导体基板上的栅极。上述半导体装置结构包含源极掺杂区及漏极掺杂区，设置于栅极相对两侧。上述半导体装置结构包含源极保护电路及漏极保护电路。其中从侧面透视图观看，漏极保护...

本发明提供了一种电压调整电路，适于提供输出电压给核心电路。此电压调整电路包括焊垫、下拉单元、第一控制单元、第二控制单元与电压调整电路。焊垫接收并提供输入电压。下拉单元依据输入电压，产生下拉电压。第一控制单元依据输入电压与下拉电压，产生第...

本发明提供了一种半导体结构，包含：具有主动区及隔离区的衬底、位于衬底上的绝缘层、位于绝缘层上的晶种层、位于晶种层上的化合物半导体层、位于化合物半导体层上且位于主动区中的栅极结构、位于衬底上且位于隔离区中的隔离结构、位于隔离区中且位于栅极...

本发明提供一种衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。其中，衬底结构包含衬底、弯曲度调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值，此总弯曲度值位于‑20微米至‑40微米的范围内。

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该结构包含：衬底、栅极电极、第一介电层、栅极金属层、源极结构、以及漏极结构。第一介电层具有露出栅极电极的第一开口及第二开口，并且第二开口的深度大于第一开口的深度。栅极金属层顺应覆盖第一介电层的顶面...

本发明提供了一种半导体装置，包括基板以及导通结构。基板具有第一导电类型。基板包括第一隔离区、第一注入区及第二注入区。第一隔离区设置于基板的周围。第一注入区具有第一导电类型。第二注入区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。导通...