操作电路制造技术

一种操作电路，其耦接于一输入输出垫与一接地端之间，并包括一核心电路、一N型晶体管、一静电放电保护电路以及一控制电路。N型晶体管根据一特定节点的电压位准，决定是否导通核心电路与接地端之间的一路径。静电放电保护电路耦接于输入输出垫与核心电路之间，用以避免一静电放电电流流经核心电路，并包括一检测电路以及一释放组件。检测电路检测一静电放电事件是否发生在输入输出垫，用以产生一检测信号。释放组件根据检测信号提供一释放路径，用以释放静电放电电流。控制电路根据检测信号，控制特定节点的电压位准。控制特定节点的电压位准。控制特定节点的电压位准。

【技术实现步骤摘要】
操作电路


[0001]本专利技术有关于一种操作电路，特别是有关于一种具有静电放电(electrostatic discharge；ESD)保护功能的操作电路。

技术介绍

[0002]因静电放电(electrostatic discharge；ESD)所造成的组件损害对集成电路产品来说已经成为最主要的可靠度问题之一。尤其是随着尺寸不断地缩小至深次纳米的程度，金氧半导体的栅极氧化层也越来越薄，集成电路更容易因静电放电现象而遭受破坏。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种操作电路，其耦接于一输入输出垫与一接地端之间，并包括一核心电路、一N型晶体管、一静电放电保护电路以及一控制电路。N型晶体管根据一特定节点的电压位准，决定是否导通核心电路与接地端之间的一路径。静电放电保护电路耦接于输入输出垫与核心电路之间，用以避免一静电放电电流流经核心电路，并包括一检测电路以及一释放组件。检测电路检测一静电放电事件是否发生在输入输出垫，用以产生一检测信号。释放组件根据检测信号提供一释放路径，用以释放静电放电电流。控制电路根据检测信号，控制特定节本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作电路，耦接于一输入输出垫与一接地端之间，其特征在于，所述电路包括：一核心电路；一第一N型晶体管，根据一特定节点的电压位准，决定是否导通该核心电路与该接地端之间的一路径；一静电放电保护电路，耦接于该输入输出垫与该核心电路之间，用以避免一静电放电电流流经该核心电路，并包括：一检测电路，检测一静电放电事件是否发生在该输入输出垫，用以产生一第一检测信号；以及一释放组件，根据该第一检测信号提供一释放路径，用以释放该静电放电电流；以及一控制电路，根据该第一检测信号，控制该特定节点的电压位准。2.根据权利要求1所述的操作电路，其特征在于，所述核心电路包括一保险丝以及一内部电路，当该内部电路通过该输入输出垫接收一驱动信号时，该内部电路根据该驱动信号产生一电流，当该电流流过该保险丝时，该保险丝被程序化。3.根据权利要求1所述的操作电路，其特征在于，当该静电放电事件发生在该输入输出垫时，该第一N型晶体管不导通，用以不导通该核心电路与该接地端之间的该路径。4.根据权利要求1所述的操作电路，其特征在于，所述检测电路还产生一第二检测信号，该第二检测信号为该第一检测信号的反相信号。5.根据权利要求4所述的操作电路，其特征在于，所述控制电路包括：一第一晶体管，当该静电放电事件发生在该输入输出垫时，设定该特定节点的电压位准，用以不导通该第一N型晶体管。6.根据权利要求5所述的操作电路，其特征在于，所述第一晶体管根据该第一检测信号设定该特定节点的电压位准等于一接地位准。7.根据权利要求5所述的操作电路，其特征在于，所述第一晶体管根据该第一检测信号设定该特定节点的电压位准等于该第二检测信号。8.根据权利要求5所述的操作电路，其特征在于，所述控制电路还包括：一第二晶体管，并联该第一晶体管，并根据该第二检测信号设定该特定节点的电压位准；其中当该第一晶体管导通时，该第二晶体管也导通，当该第一晶体管不导通时，该第二晶体管也不导通。9.如根据权利要求8所述的操作电路，其特征在于，所述控制电路还包括：一第三晶体管，耦接于该特定节点，并根据该第二检测信号，决定是否传送一特定信号至该特定节点；以及一第四晶体管，耦接于该特定节点，并根据该第一检测信号，决定...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄绍璋，陈立凡，李庆和，林庭佑，陈俊智，许凯杰，林志轩，王裕凯，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：