本实用新型公开了一种晶圆减薄用抛光装置，包括底板，所述底板的上表面固定连接有四个呈矩形分布的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端固定连接有顶板，所述底板的上表面设置有升降机构，所述升降机构的上方设置有抛光机构，本实用新型的有益效果是：本实用新型...

本实用新型公开一种晶圆抛光用金属污染物去除装置，包括压料机构，所述压料机构下方设置有顶料机构，所述顶料机构的顶部放置有晶圆本体，本实用新型所达到的有益效果是：两个防滑橡胶因扭簧的扭力夹持住晶圆本体的两侧，避免转盘架在转动的过程中出现移位...

本实用新型公开了一种晶圆夹持旋转式清洗机，包括机体，所述机体的外壁设置有出水管和控制板，机体的上方为敞口状，机体敞口内侧设置有喷洗装置，机体内部设置有第一隔板和第二隔板，第二隔板上方安装有循环风机和第一电机，所述循环风机的出气端连接有出...

本实用新型公开了一种防断裂晶圆抛光装置，包括：抛光平台主体，所述抛光平台主体上端的对角处焊接连接有龙门架，且龙门架上表面开设的穿孔内螺栓连接有导架，所述导架的上端通过螺栓连接有直流电机，且导架的内壁上卡合连接有滑块件，所述滑块件竖向穿孔...

本实用新型公开了一种半导体晶圆抛光设备用除尘装置，其特征在于，包括：除尘管主体，所述除尘管主体的一侧焊接有吸气管，且除尘管主体的另一侧由进水管贯穿至体内，所述除尘管主体的下端固定焊接有底座，且除尘管主体的上端固定连接有上盖板，且上盖板的...

本实用新型公开了一种晶圆加工用多工位切面抛光装置，涉及晶圆加工领域，包括主体，所述主体的顶端设置有主电机，所述主体的内侧设置有上抛光轮与下抛光轮，所述上抛光轮位于下抛光轮的上方。本实用新型通过设置夹持机构，通过给予限位杆向上的推力，限位...

本发明涉及晶圆再生技术领域，公开了一种晶圆再生处理装置，包括底座，底座上设有可水平和竖直方向旋转摆动的夹持臂，夹持臂的内部设有与环形侧壁共轴的转盘，夹持臂的一侧设有用于驱动转盘旋转的电机，转盘的两侧对称设有环形结构的抛光盘，两个抛光盘对...

本发明公开了一种晶圆打磨、抛光处理一体装置，涉及半导体制造技术领域，包括机柜，机柜内设有闭环结构的磨抛机构；磨抛机构包括上载台和下载台和输送盘，上载台和下载台的内环上设有传送通道，上载台和下载台位于传送通道上沿周向贯穿设有多个腔体；输送...

本发明涉及晶圆再生技术领域，公开了一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺及其装置，该工艺具体包括如下步骤：在再生晶圆两侧表面形成一层流动的化学腐蚀试剂薄膜，对再生晶圆表面的氧化膜进行化学腐蚀；在上述步骤完成后，在再生晶圆两侧表面形成一层流动的...

本发明公开了一种晶圆自动清洗装置，涉及晶圆清洗技术领域，包括箱体、过滤箱、电机、底座，箱体上设有操作板，操作版下侧设有插入孔，箱体一侧固定设有过滤箱，电机输出轴固定连接有均匀排列的连接杆，连接杆上通过关节连接有摆动柱，输出轴顶端固定设有...

本发明公开了存储器件生产技术领域的一种晶圆抛光装置，该发明中通过设置中空连接杆、复位弹簧、挤压板、扭簧和清理板，当中空连接板继续向右转动时，抛光盘与清理板接触，并在抛光盘横向挤压的作用，使清理板向右转动，对晶圆表面进行率先清理，保证晶圆...

本发明公开了一种减少覆铜陶瓷基板中心区域断裂的方法，所述基板为长方形，包括上短边、下短边、左长边和右长边；所述基板上能够排列多个基板图形，在所述基板图形设计时，在所述基板图形中心增加纵向铜箔加强筋和横向铜箔加强筋；通过在DBC基板图形中...

本发明公开了一种提高DBC基板从背面激光切割精度的方法，具体步骤如下：步骤一、在DBC基板图形面蚀刻出用于制作对位标记的铜箔；步骤二、在铜箔中心位置蚀刻出用于激光打孔的圆孔；步骤三、在圆孔中心位置处激光打小孔，小孔自DBC基板图形面穿透...

本实用新型涉及机械技术领域。一种精粗研组合式倒角砂轮，包括一金属砂轮，金属砂轮为用于进行粗磨的金属砂轮；还包括一用于进行细磨的树脂砂轮，金属砂轮以及树脂砂轮的外径差值不大于0.4mm；金属砂轮以及树脂砂轮的外圆周上开设有用于倒角的沟槽；...

本实用新型涉及半导体技术领域。一种插片用硅片片盒，包括左右设置的固定板以及用于连接左右设置的固定板下部的支撑杆，还包括纵向排布的至少两组插接组件；每组插接组件均包括前后镜像对称设置的插片件，插片件上开设有用于插入硅片的插槽，每组插接组件...

本实用新型提供了一种晶棒切割切削液导流工装及晶棒切割装置，安装在晶棒切片机工作台夹持装置两端，包括一体成型的平面导流板以及弧形分流槽，平面导流板固定安装在夹持装置上，平面导流板的宽度与弧形分流槽的宽度之间的比例为2～3:1，弧形分流槽的...

本发明公开了一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法，其特征在于：具体步骤如下：对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后，正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边，正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边，中间部位形成有多个图形单元...

本发明提供了一种P重掺型硅片喷砂前预处理方法，包括A混酸腐蚀：将P重掺型硅片置于含有HF以及HNO

本发明提供一种降低硅切片断线率的方法，包括：步骤一，准备一金属丝，将金属丝缠绕在工字轮上，工字轮的直径在200mm‑208mm，金属丝的排线间距在0.3mm‑0.6mm；步骤二，对金属丝进行高速往复运动；步骤三，通过金属丝的高速往复运动...

本发明设计一种DBC基板上保持铜箔直角的方法，通过在菲林图形设计时将铜箔直角设计为两边呈圆弧状的尖角，设两圆弧相交尖角点到两边A和B的距离均为a；圆弧与边A的相切点到边B距离和圆弧与边B的相切点到边A距离均为b；圆弧半径为r；铜箔厚度t...