本发明提供用于改善铜片预氧化时表面氧化均匀的治具的制备和使用方法，设计一种两面覆铜中间为陶瓷的L形挡板，放置在铜片左右两侧，同前后两个支架形成一个小空间；在减少氧气通入量的情况下，仍可保证铜片烧结面氧化充分，而铜片非烧结面边缘处不会氧化...

随着加工设备的老化，现有工艺无法高质量地制备多晶硅薄膜，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，采用SiH4在610～630℃的温度下进行热分解淀积，能够解决当前工艺条件下多晶硅薄膜雾点的质量问题。

本发明提供一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法，利用氮化铝未经氧化处理不会与铜片结合的特性，将氮化铝板作为烧结垫板材料，解决烧结垫板容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹不良问题；同时通过减小烧结垫板外形尺寸，解决原烧结垫板与铜片...

本发明为解决双面覆铜陶瓷基板表面高低不平不良问题，在涂散热涂层工艺之前增加机械研磨工艺，通过选用不同材质刷辊组合，提供一种DBC基板背面研磨的方法，对DBC基板背面铜面进行研磨和抛光，达到整平基板背面的目的。

本发明是提供一种提高砂浆回收系统离心机离心能力的方法，考虑转鼓壁上沉积的固体越来越厚，有效的离心半径变化对离心力的影响；通过定期的测量离心后液体密度，液体密度超过某一数据如1.164g/cm

本发明提供一种铝合金阳极氧化之无灰纯水封孔方法，包括如下步骤：步骤一、待封孔槽的纯水加到指定液位后，根据计算溶液体积，按照0.0045‑0.0055克/升的比例加入磷酸三铵；步骤二、测量槽液PH值，并用冰醋酸将槽液的PH调整到5.2～6...

本发明提供一种用于铸造铝合金硬质氧化的阳极氧化方法，于硫酸溶液为基础液的电解液中添加一定量的酒石酸和草酸来组成混合酸溶液，所选的有机酸应对铝合金的腐蚀较小，且能够有效改良阳极氧化膜的质量。

本实用新型涉及一种阳极管对心检测装置，包括上部├型支架和下部├型支架，所述上部支架和下部支架通过将其纵向板件固定在竖直的基准面，保持横向板件水平，所述上部├型支架和下部├型支架的连线竖直，所述上部├型支架的横向板件I的板面上设通孔I，所...

本发明设计一种用于改善ALN陶瓷表面蒸镀膜厚度均匀性的装置，包括两个侧板，每个侧板包括上下两级台阶，每级台阶包括一个水平台阶面和一个垂直台阶面，两个侧板的两级台阶面对面平行放置；包括支撑杆，所述支撑杆两端分别焊接于两个侧板的下级台阶的垂...

本发明提供一种装配有所述的清洗保护治具的半导体设备Encore Ta装置部件的清洗方法，采用超高压水洗的方式去除部件上Ta/TaN的膜层覆盖区域；将经过超高压水洗之后的部件采用喷砂工艺进行处理，去除部件表面附着的少量残膜；采用纯水超声波...

本发明覆铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：第一步，对瓷片基材进行清洗；第二步，对铝片表面进行打磨，再对铝片进行清洗；第三步，对陶瓷基材表面进行双面覆过渡金属，形成基板；第四步，将经过清洗的铝片放置于过渡金属表面，并将基板放入热压模具内...

本实用新型涉及对应硅片精密对准倒片装置的腐蚀笼，腐蚀笼本体的中心处设有旋转轴，两端设有固定活动花杆，固定花杆和配合花杆的挡板；活动花杆在挡板处设有活动槽，活动槽为圆弧状，轴心为腐蚀笼本体的回转中心；活动花杆和固定花杆分别设有对应的卡槽。...

本实用新型涉及半导体制造、LED、光通讯领域，特别适用于半导体制冷器、LED、功率半导体等的DBC基板制造的技术领域，具体是一种DBC基板曝光治具，包括由下至上依次覆设的下菲林、下铜片、瓷片、上铜片及上菲林，所述下菲林与上菲林的外形相对...

本实用新型涉及于半导体制造装备技术领域，具体是一种硅片遮盖式保存盒，包括上盖、硅片存放片盒及下底，所述的上盖为向下开口的盒体结构，该上盖在其每个内壁垂直形成至少一根凸筋，所述上盖在其开口处向下伸出一圈橡胶挡边。本实用新型的有益效果是，在...

本发明涉及陶瓷部件的清洗工艺领域，具体是一种温和的中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法。本发明的方法不但可以降低部件清洗后化学试剂残留的风险，而且可以规避高温条件下部件表层釉质的损伤和内部结构的变化，在半导体、TFT等高精端工业生产...

本实用新型涉及一种晶棒材料合成的固定结构，包括石英管和用来安放石英管的熔炼管架，还包括用来夹持石英管的垫块和保温衬材；所述垫块分别抵靠住石英管两侧，所述垫块的夹持面适配石英管的两侧形成凹面；所述保温衬材的一边固定于垫块凹面上方的夹持面上...

本实用新型涉及一种在直拉单晶制造法中增加单晶尾部氧含量的结构，包括用于制作单晶硅的石墨坩埚和设置在石墨坩埚内的石英坩埚，所述石墨坩埚的内表面在与石英坩埚的接触面之间设置凸块。本实用新型的有益效果是能使熔汤接触到石英坩埚的面积比常规工艺的...

本实用新型涉及一种直拉单晶制造法多次加料设备，包括单晶炉体和加料治具，所述单晶炉体内底部安装有坩埚，单晶炉体顶部安装有用于配合加料治具的升降装置，所述加料治具竖直插入单晶炉体内进行加料操作，所述加料治具包括用于容纳多晶硅原料的套筒和穿设...

本实用新型涉及半导体制造、LED及光通讯技术领域，具体是一种激光切割机用激光喷嘴，所述的激光喷嘴的外周设有与激光切割机相匹配的安装件，该激光喷嘴形成一贯穿的通道，所述的激光喷嘴的本体呈圆锥状，其端面直径Φ为4～10mm，该激光喷嘴出口端...

本实用新型涉及一种玻璃外套管的真空密封结构，包括玻璃外套管本体和吸盘，所述吸盘上贯穿有抽气管，所述玻璃外套管本体的开口外翻形成翻边竖边，所述吸盘面上环形开设凹槽，所述凹槽内嵌有密封圈。本实用新型的有益效果是可以提高提纯材料品质，又可降低...