The invention relates to the field of cleaning technology for ceramic parts, in particular to a method for removing impurity atoms in a precision ceramic component at moderate or low temperature. The method of the invention can not only reduce the risk of chemical residue components after cleaning, but also can avoid the change under the condition of high temperature components of enamel surface damage and internal structure, has the reference value and practical value high product in semiconductor, TFT high precision industrial production equipment in improving the yield of the.
【技术实现步骤摘要】
一种中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法
本专利技术涉及TFT、半导体精密设备中陶瓷部件的清洗工艺领域,具体地说,是一种温和的中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法。
技术介绍
陶瓷部件本身具有高度的化学惰性和优良的物理性能,在TFT、半导体高新技术等产业领域中应用非常广泛。然而,伴随其使用次数的增多和环境温度的影响,高纯度、高精确度和结构强度的陶瓷部件内部不可避免受到分子扩散、漂移等的影响,杂质原子在陶瓷部件本体中聚集却无法轻易去除,影响部件设备的正常使用和产品良率的提升。传统的陶瓷部件清洗中采用的强酸、强碱等工艺方法可以很方便的去除部件表层杂质,对于残留部件内部的杂质采用强氧化剂、强还原剂、高温烘烤等方法去除,效果良好但存在诸多弊端,如:强氧化剂、强还原剂的使用易存在化学试剂残留的风险且无法完全去除内部残留杂质,高温烘烤的方法会造成陶瓷部件表层釉质层的损伤且可能造成部件结构性能的变化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种温和的中低温条件下清洗陶瓷部件的工艺方法,不但可以降低部件清洗后化学试剂残留的风险,而且可以规避高温条件下部件表层釉质的损伤和内部结构的变化。为了实现上述目的,本专利技术提供一种中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法,包括以下步骤:a、取1mol/L的氨水溶液、1mol/L的双氧水溶液,1mol/L的NaOH溶液,以体积比为2:1:1的比例混合(氨水、双氧水化学性质温和,体积浓度比例可以适当改变);b、将待处理的陶瓷部件放入步骤a的混合溶液中,辅以超声波和水浴加热,直至部件表面没有气泡产生且印记状态无变化,反应结束;c、将反 ...
【技术保护点】
一种中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法,其特征在于,包括以下步骤:a、取1mol/L的氨水溶液、1mol/L的双氧水溶液,1mol/L的NaOH溶液,以体积比2:1:1的比例混合;b、将待处理的陶瓷部件放入步骤a的混合溶液中,辅以超声波和水浴加热,直至部件表面没有气泡产生且印记状态无变化,反应结束;c、将反应完全但印记无法去除的部件用纯水冲洗表层后真空烘干,真空度0.1Pa左右,500±50℃烘烤4小时,然后自然冷却;d、重复步骤b和步骤c一次;e、将通过上述工艺清洗后的部件放入水浴纯水超声波中清洗,然后使用氮气吹干,重复步骤c进行干燥处理。
【技术特征摘要】
1.一种中低温去除精密陶瓷部件内部杂质原子的方法,其特征在于,包括以下步骤:a、取1mol/L的氨水溶液、1mol/L的双氧水溶液,1mol/L的NaOH溶液,以体积比2:1:1的比例混合;b、将待处理的陶瓷部件放入步骤a的混合溶液中,辅以超声波和水浴加热,直至部件表面没有气泡产生且印记状态无变化,反应结束;c、将反应完全但印记无法去除的部件用纯水冲洗表层后真空烘干,真空度0.1Pa左右,500±50℃烘烤4小时,然后自然冷却;d、重复步骤b和步骤c一次;e、将通过上...
【专利技术属性】
技术研发人员:惠朝先,贺贤汉,刘攀峰,吴小杰,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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