本实用新型涉及半导体制造技术领域。一种简易测量超声波用超声波探头定位工具，包括一用于支撑在清洗槽槽口上方的支撑件，支撑件上开设有至少两个沿着支撑件长度方向排布的定位孔；还包括用于安装测试探头的安装件，安装件垂直设置，且安装件的顶部开设有...

本发明公开了一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第...

本发明涉及半导体技术领域。一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气...

本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板母板结构，包括母板，母板的正面或者背面还刻设有切割线，母板正反两侧的外侧均设置有相对应的增强铜箔工艺边,增强铜箔工艺边包括四条上下左右的铜箔工艺边；切割线包括用于母板上铜箔工艺边从母板上掰离的横向切割线和纵...

本发明提供了一种用于AMB覆铜陶瓷基板图形制作的热刻蚀方法，包括表面保护膜压合、激光器启动、保护膜热刻蚀、清洗、铜层蚀刻五道工序。首先将表面保护膜在下述条件下压合到待热刻蚀基板上：压合温度：110～120℃；压合机速度：2.5～3.5m...

本发明提供了一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，包括A、反应液配置：该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；B、杂质去除...

本发明提供一种保持切割覆铜陶瓷基板时相同切割特性的方法，包括步骤一，设定切割工艺参数；步骤二，采用设定切割工艺参数对陶瓷片进行切割；步骤三，所有的陶瓷片掰开成两连片，对两连片放在掰断测试机上进行掰断力的测试，分别测试所有的两连片的掰断力...

本发明公开了一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45‑60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片；由于荧光灯源为冷...

本发明提供一种覆铜陶瓷基板母板结构，包括母板，母板的正面或者背面还刻设有切割线，母板正反两侧的外侧均设置有相对应的增强铜箔工艺边,增强铜箔工艺边包括四条上下左右的铜箔工艺边；切割线包括用于母板上铜箔工艺边从母板上掰离的横向切割线和纵向切...

本发明提供一种利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法，在硅片面的中央部和外周部分别使用不同的水流进行清洗，使用4排喷嘴，2排硅片中央部清洗喷嘴集中清洗硅片的中央部区域，2排硅片外周部清洗喷嘴主要集中清洗硅片的边缘部，设置一定的时差按照同...

本发明提供了一种硅片清洗方法，包括SC‑1清洗、臭氧水清洗、DIW清洗、HF处理以及提拉干燥五个主要步骤，将现有技术中SC‑1清洗后的纯水溢流清洗步骤替换为臭氧水清洗，硅片经SC‑1清洗后，以竖直状态放入臭氧水清洗槽中浸泡5～7min，...

本发明公开了一种改善硅片翘曲度的化学气相沉积装置及方法，将原来的单独的进气口进气方式改为由5根不同高度的进气管同时进气方式，既能很好的控制产品之间的多晶层均匀性，又在很大的程度上改善了后翘曲度明显增大的问题，大大提高了产能和良率。

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种用于DBC基板自动曝光用的治具板，包括治具板主体，治具板主体上开设有用于放置DBC基板的放置孔，治具板主体上开设有两个用于插入销钉的定位孔，定位孔的内径大于销钉的外径，其特征在于，治具板主体上还开设...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，滚珠的顶部外凸于球状凹槽；滚珠的外壁与球状凹槽之间存...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，包括一支撑底座；还包括一下压板，下压板安装在支撑底座上，下压板上设有一开口向上的下凹槽，下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板，以下陶瓷板的外表面为用于接触DB...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种降低线切割加工过程断线率的砂浆过滤器，包括砂浆过滤器，砂浆过滤器包括罐体以及顶盖，罐体的上方开设有进料口，罐体的底部开设有出料口，罐体内安装有过滤机构，过滤机构包括圆环状支撑板、尼龙滤网以及金属滤网...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种简易激光刻字测量工具，包括一用于支撑硅片的支撑板以及亚克力制成的测量尺，测量尺与支撑板上下设置；支撑板的横截面面积小于测量尺的横截面面积；测量尺是一与硅片的外轮廓相匹配的圆形片，圆形片的径向外围开设...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。研磨载体保管装置，包括设置有水槽的机架、一用于放置研磨载体的置物篮，且置物篮设置在水槽内；置物篮包括包括后侧板、左侧板以及右侧板三者相连围成的框架；置物篮还包括纵向设置的置物板，置物板的后端、左端以及右...

本发明涉及半导体加工技术领域。一种适合超薄硅片的清洗方法，包括如下步骤，步骤一，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤二，利用SC‑1清洗溶液清洗硅片的表面；步骤三，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤四，利用HF、HCL、H2O的混合溶液清洗硅...

本发明涉及半导体加工技术领域。顶部及底部双向通氧式高温烧结炉，高温烧结炉的炉膛从进口至出口依次为升温区、恒温区以及降温区，还包括向炉膛顶部输送氧气的顶部通氧机构，顶部通氧机构通过一顶部支撑板固定在炉膛的顶部；顶部通氧机构包括升温区输氧管...