一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体加工技术领域。一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，滚珠的顶部外凸于球状凹槽；滚珠的外壁与球状凹槽之间存有间隙，滚珠可转动的设置在球状凹槽内；硅片托盘本体包括支撑柱以及设置在支撑柱外围的缺口圆环，支撑柱的中央开设有球状凹槽；缺口圆环上也开设有球状凹槽，缺口圆环上的球状凹槽分为至少三组径向排布的球状凹槽组，每组球状凹槽组均包括至少三个呈环状排布的球状凹槽。本专利的改良点在于:(1)通过将滚珠改良为陶瓷，避免传统铁质滚珠与硅片接触找出的划伤。

【技术实现步骤摘要】
一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘
本技术涉及半导体加工
，具体涉及硅片托盘。
技术介绍
腐蚀是指通过化学反应将前道造成的损伤层去除，故腐蚀去除量对于腐蚀这一工序十分重要。而腐蚀去除量是由腐蚀前厚度减去腐蚀后厚度得出的，所以腐蚀前后的厚度测量对于控制腐蚀去除量是至关重要的一环。目前针对于俯视后的硅片是将硅片放置在硅片托盘上，并使用千分表来测量厚度的，因为腐蚀后的硅片表面光滑且容易被污染，然而目前使用的千分表下方摆放硅片的托盘上镶嵌的是铁制的圆珠，这个会污染硅片表面造成对于硅片是致命的，然而这个污染往往会忽视，测量后的硅片在投入使用后，良品率低。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本技术提供一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，以解决上述至少一个技术问题。本技术的技术方案是：一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，其特征在于，所述硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，所述球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，所述滚珠的顶部外凸于所述球状凹槽；所述滚珠的外壁与所述球状凹槽之间存有间隙，所述滚珠可转动的设置在所述球状凹槽内；所述硅片托盘本体包括支撑柱以及设置在支撑柱外围的缺口圆环，所述支撑柱的中央开设有所述球状凹槽；所述缺口圆环上也开设有所述球状凹槽，所述缺口圆环上的球状凹槽分为至少三组径向排布的球状凹槽组，每组球状凹槽组均包括至少三个以缺口圆环的中心轴线为中心线呈环状排布的球状凹槽。本专利的改良点在于:(1)通过将滚珠改良为陶瓷，保证千分尺的测量精度的同时，避免传统铁质滚珠与硅片接触找出的划伤。(2)本专利通过将滚珠的外壁与球状凹槽的之间存有间隙，便于滚珠可转动的设置在球状凹槽内，当硅片在硅片托盘本体上滑动时，滚珠滚动，避免找出对硅片的划伤，保护硅片。(3)本专利通过优化球状凹槽的排布，便于保证对硅片的支撑效果，多个球状凹槽内的滚珠实现硅片的重力分解支撑，此外，通过径向排布的球状凹槽组，以适用于不同外径大小的硅片的支撑效果。(4)通过支撑托盘为支撑柱与设置在支撑柱外围的缺口圆环构成，便于根据不同的外径的硅片适当的调整，更换不同外径的缺口圆环。或者，在缺口圆环外围在增设大尺寸的缺口圆环，以适用于多种不同尺寸硅片的支撑需求。所述缺口圆环设有两个左右对称的条状缺口。便于通过硅片夹从缺口处对硅片进行夹持，还可以实现硅片托盘整体的减重效果。所述缺口圆环上还设有一扇形缺口，扇形缺口位于在所述缺口圆环的圆周方向上两个条状缺口的之间。减重的同时，通过扇形缺口，便于直接从扇形缺口处拿取硅片。通过条状缺口与扇形缺口的结合，适用于硅片的不同拿取方式。进一步优选为，所述缺口圆环是上下设置的上环体与下环体上下拼接构成的缺口圆环；所述上环体上开设有上下贯穿的通孔，所述下环体上开设有开口向上的半球状凹槽，所述缺口圆环上的球状凹槽是由上环体上的通孔与下环体上的半球状凹槽上下对位导通构成；所述支撑柱是上下设置的上柱体与下柱体向下拼接构成的支撑柱；所述上柱体上开设有上下贯穿的通孔，所述下柱体上开设有开口向上的半球状凹槽，所述支撑柱上的球状凹槽是由上柱体上的通孔与下柱体上的半球状凹槽上下对位导通构成。本专利通过缺口圆环为上环体与下环体拼接构成，支撑柱为上柱体与下柱体上下拼接构成，实现滚珠的防脱性。所述上柱体与所述下柱体通过螺钉相连；所述上环体与所述下环体通过螺钉相连。进一步优选为，所述缺口圆环上开设有至少三个用于螺钉穿过的螺纹孔，缺口圆环上的螺纹孔是开设在上环体的盲孔与开设在下环体上的通孔导通构成的；所述支撑柱上开设有用于螺钉穿过的螺纹孔，支撑柱上的螺纹孔是开设在上柱体的盲孔与开设在下柱体上的通孔导通构成的。本专利通过螺纹孔便于穿过螺钉实现上环体与下环体的拼接、上柱体与下柱体的拼接的同时，通过螺钉还可以实现将硅片托盘通过螺钉固定在一个测试平台上。实现硅片托盘整体的定位固定。附图说明图1为本技术的俯视状态下的一种结构示意图；图2为本技术的一种剖视图；图3为本技术剖切到螺纹孔处的一种剖视图。图中：1为球状凹槽，2为缺口圆环，3为支撑柱，21为条状缺口，22为扇形缺口，23为上环体、24为下环体、31为上柱体、32为下柱体，33为螺纹孔。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的说明。参见图1、图2以及图3，一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽1，球状凹槽1内嵌设有陶瓷制成的滚珠，滚珠的顶部外凸于球状凹槽1的槽口；滚珠的外壁与球状凹槽1之间存有间隙，滚珠可转动的设置在球状凹槽1内；硅片托盘本体包括支撑柱3以及设置在支撑柱3外围的缺口圆环2，支撑柱3的中央开设有球状凹槽；缺口圆环2上也开设有球状凹槽，缺口圆环2上的球状凹槽分为至少三组径向排布的球状凹槽组，每组球状凹槽组均包括至少三个以缺口圆环的中心轴线为中心线呈环状排布的球状凹槽。本专利的改良点在于:(1)通过将滚珠改良为陶瓷，避免传统铁质滚珠与硅片接触找出的划伤。本专利通过将滚珠的外壁与球状凹槽1的之间存有间隙，便于滚珠可转动的设置在球状凹槽1内，当硅片在硅片托盘本体上滑动时，滚珠滚动，避免找出对硅片的划伤，保护硅片。本专利通过优化球状凹槽1的排布，便于保证对硅片的支撑效果，多个球状凹槽1内的滚珠实现硅片的重力分解支撑，此外，通过径向排布的球状凹槽1组，以适用于不同外径大小的硅片的支撑效果。通过支撑托盘为支撑柱3与设置在支撑柱3外围的缺口圆环2构成，便于根据不同的外径的硅片适当的调整，更换不同外径的缺口圆环2。或者，在缺口圆环2外围在增设大尺寸的缺口圆环2，以适用于多种不同尺寸硅片的支撑需求。参见图1，缺口圆环2设有两个左右对称的条状缺口21。便于通过硅片夹从缺口处对硅片进行夹持，还可以实现硅片托盘整体的减重效果。缺口圆环2上还设有一扇形缺口22，扇形缺口22位于在缺口圆环的圆周方向上两个条状缺口21的之间。减重的同时，通过扇形缺口22，便于直接从扇形缺口22处拿取硅片。通过条状缺口21与扇形缺口22的结合，适用于硅片的不同拿取方式。进一步优选为，参见图2，缺口圆环是上下设置的上环体23与下环体24上下拼接构成的缺口圆环；上环体23上开设有上下贯穿的通孔，下环体24上开设有开口向上的半球状凹槽，缺口圆环上的球状凹槽是由上环体23上的通孔与下环体24上的半球状凹槽上下对位导通构成；支撑柱是上下设置的上柱体31与下柱体32向下拼接构成的支撑柱；上柱体31上开设有上下贯穿的通孔，下柱体32上开设有开口向上的半球状凹槽，支撑柱上的球状凹槽是由上柱体31上的通孔与下柱体32上的半球状凹槽上下对位导通构成。本专利通过缺口圆环为上环体23与下环体24拼接构成，支撑柱为上柱体31与下柱体32上下拼接构成，实现滚珠的防脱性。进一步提高上环体与下环体的连接效果，可以是，参见图3，上柱体31与下柱体32通过螺钉相连；上环体23与下环体24通过螺钉相连。进一步优选为，缺口圆环上开设有至少三个用于螺钉穿过的螺纹孔，缺口圆环上的螺纹孔是开设在上环体23的盲孔与开设在下环体24上的通孔导通构成的；支撑柱上开设有用于螺钉穿过的螺纹孔33，支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，其特征在于，所述硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，所述球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，所述滚珠的顶部外凸于所述球状凹槽；所述滚珠的外壁与所述球状凹槽之间存有间隙，所述滚珠可转动的设置在所述球状凹槽内；所述硅片托盘本体包括支撑柱以及设置在支撑柱外围的缺口圆环，所述支撑柱的中央开设有所述球状凹槽；所述缺口圆环上也开设有所述球状凹槽，所述缺口圆环上的球状凹槽分为至少三组径向排布的球状凹槽组，每组球状凹槽组均包括至少三个以缺口圆环的中心轴线为中心线呈环状排布的球状凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，其特征在于，所述硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，所述球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，所述滚珠的顶部外凸于所述球状凹槽；所述滚珠的外壁与所述球状凹槽之间存有间隙，所述滚珠可转动的设置在所述球状凹槽内；所述硅片托盘本体包括支撑柱以及设置在支撑柱外围的缺口圆环，所述支撑柱的中央开设有所述球状凹槽；所述缺口圆环上也开设有所述球状凹槽，所述缺口圆环上的球状凹槽分为至少三组径向排布的球状凹槽组，每组球状凹槽组均包括至少三个以缺口圆环的中心轴线为中心线呈环状排布的球状凹槽。2.根据权利要求1所述的一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，其特征在于：所述缺口圆环设有两个左右对称的条状缺口。3.根据权利要求2所述的一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，其特征在于：所述缺口圆环上还设有一扇形缺口，扇形缺口位于在所述缺口圆环的圆周方向上两个条状缺口的之间。4.根据权利要求1所述的一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱强健，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，杭州中芯晶圆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31