本实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，包括一钢制的游星轮，游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层，缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起，缓冲层与游星轮通过机械压合；梯形缺口的上底宽2.5mm、...

本实用新型提供一种用于定盘平坦度的测试装置，包括一底座，底座上方连接一可伸缩的支架，支架与丝杆连接，丝杆上设有导轨，丝杆的一端设有激光位移传感器，激光位移传感器沿导轨横向移动，丝杆上还设有用于驱动激光位移传感器移动的丝杆伺服机构；丝杆的...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种用于洁净房内的硅片批量运输装置，包括一用于放置硅片的运输车，运输车的下方设有万向轮，运输车包括柜体，柜体包括一上下设置的上柜体以及下柜体；上柜体的前后两侧分别开设有进风口以及出风口，上柜体内设有分别...

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，包括一硅片置物架，硅片置物架是PVC制成的硅片置物架；硅片置物架包括顶板、底板、左侧板以及右侧板围成前后两端均开口的矩形框架；硅片置物架还包括至少三个纵向排布的层板，...

本发明涉及半导体制造领域。一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，包括如下步骤：步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜角度的角度范围为...

本发明涉及半导体制造领域。一种精确测量硅片上下面去除量的方法，包括如下步骤：步骤一，研磨前用倒角轮廓仪测量硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤二，硅片研磨后，再次用倒角轮廓仪测量硅片上倒角宽幅、...

本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法，包括：步骤一，在储备槽A加入室温下的混酸280L‑350L；步骤二，通过添加氢氟酸15L‑30L、硝酸60L‑90L、醋酸30L‑60L，对储备槽A中的混酸进行浓度调节，将混酸的质量分数调到氢...

本发明提供一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，游星轮的外侧设有一缓冲层，缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。

本发明提供一种研磨、抛光机定盘平坦度的测试方法，包括：步骤一，采用一种用于定盘平坦度的测试装置进行测试，测试装置包括底座、支架、激光位移传感器、传感器位置控制系统、丝杆伺服机构、丝杆、导轨、计算机、处理软件和被测试的定盘；步骤二，调整支...