一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法技术

本发明专利技术提供一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，游星轮的外侧设有一缓冲层，缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。

【技术实现步骤摘要】
一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法。
技术介绍
研磨也称磨片，在研磨机上用研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方式。研磨在硅片制备过程中占有重要地位，在这道工序中由于机械加工强度大，机械损伤问题严重，废品率较高，会对后续工艺造成严重影响。因此需要改善研磨过程中的机械加工损伤，提高制程良率。游星轮是应用在研磨工序的硅片载体，在研磨过程中会与硅片发生无规律的碰撞；游星轮多使用轧钢材料，硬度较高，容易导致硅片破裂。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，以解决硅片载体硬度高容易导致硅片破裂的问题。本专利技术的技术方案是：一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，其特征在于，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，所述游星轮的外侧设有一缓冲层，所述缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。本专利技术通过在游星轮与硅片接触区域增加缓冲区，即保持载体强度，又可增加硅片与游星轮撞击后的缓冲，起到保护硅片的作用。2017年相关不良率0.7％，2018年相关不良率0.4％，而本专利技术使产线破片率下降0.3个百分点。所述缓冲区是一树脂材料制成的环状体。采用树脂材料的考量：1.相对硬度低；2.成型便利。所述环状体的内径为200mm。所述步骤一中，梯形缺口的尺寸为上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm。该尺寸能够使游星轮与缓冲区的嵌合程度最佳。进一步，所述梯形缺口优选为等腰梯形。所述梯形缺口等间距排布在所述游星轮的边缘。所述梯形缺口的数量在70个。附图说明图1为本专利技术的部分结构示意图。图中：1.缓冲层，2.游星轮。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。参照图1，一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，包括：步骤一，在钢制的游星轮2边缘制作梯形缺口；步骤二，游星轮的外侧设有一缓冲层1，缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。本专利技术通过在游星轮与硅片接触区域增加缓冲区，即保持载体强度，又可增加硅片与游星轮撞击后的缓冲，起到保护硅片的作用。本专利技术使产线破片率下降0.3个百分点。缓冲区是一树脂材料制成的环状体。环状体的内径为200mm。步骤一中，梯形缺口的尺寸为上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm。进一步，梯形缺口优选为等腰梯形。梯形缺口等间距排布在游星轮的边缘。梯形缺口的数量在70个。以上仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，其特征在于，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，所述游星轮的外侧设有一缓冲层，所述缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。

【技术特征摘要】
1.一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，其特征在于，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，所述游星轮的外侧设有一缓冲层，所述缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯形缺口上。2.根据权利要求1所述的一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，其特征在于：所述缓冲区是一树脂材料制成的环状体。3.根据权利要求2所述的一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，其特征在于：所述环状体的内径为200mm。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高威，贺贤汉，徐红林，
申请(专利权)人：杭州中芯晶圆半导体股份有限公司，上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33