一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域。一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008‑0.012Mpa。本专利通过溢流槽内通有氮气，使得溢流槽中的水循环量变大，使得硅片表面的药液能有效地去除，在相同清洗剂的条件下，采用通设有氮气的溢流槽清洗后的硅片的药液残留率大大低于传统溢流槽内不设有氮气通气管路的情况。

A cleaning method of silicon wafer to improve the residual of liquid medicine after corrosion

【技术实现步骤摘要】
一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法
本专利技术涉及半导体
，具体是硅片的清洗方法。
技术介绍
硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。硅片表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀的方式，硅片的表面腐蚀形成随机分布的微小电池，腐蚀电流较大，一般超过了100mA/cm2。但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能的金属离子的污染的要求，目前主要使用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合酸性腐蚀液。在硅片腐蚀之后，会将硅片置于溢流槽内进行水洗，进而清洗硅片表面残留的腐蚀药液。但是由于不同的掺杂类型的硅片，清洗硅片的表面的药液能力不同。因此存在部分掺杂的类型硅片会有药液残留的情况。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，以解决以上至少一个技术问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，所述硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，其特征在于，所述溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，所述氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008-0.012Mpa。本专利通过溢流槽内通有氮气，使得溢流槽中的水循环量变大，使得硅片表面的药液能有效地去除，在相同清洗剂的条件下，采用通设有氮气的溢流槽清洗后的硅片的药液残留率大大低于传统溢流槽内不设有氮气通气管路的情况。>药液残留数指的是硅片表面存有淡蓝色花斑的硅片。进一步优选的，所述氮气输送管路通入的氮气的气压为0.01Mpa。如果气压太大，溢流槽内的水会飞溅，如果气压太小，会导致残留率大于1.1％。进一步优选的，所述氮气输送管路包括一进气主管以及呈矩形环绕的矩形输送管路，所述进气主管与所述矩形输送管路对接导通；所述出气口开设在所述矩形输送管路的上端部。便于实现氮气的输送。进一步优选的，所述矩形输送管路包括两个平行设置的横杆以及两个平行设置的纵杆，所述横杆的长度大于所述纵杆的长度；两个横杆上均沿着长度方向依次开设有至少三个等间距排布的所述出气口；且两个横杆上的出气口错位设置。便于实现对溢流槽内不同区域的均匀通气，保证清洗效果的均匀性。进一步优选的，所述矩形输送管路的右端部连接所述进气主管；两个横杆分别为前后设置的前横杆以及后横杆；所述前横杆上的所有出气口中位于最左侧的出气口距离前横杆的左端的间距为15cm，所述前横杆上相邻的出气口的间距为30cm；所述后横杆上的所有的出气口中位于最左侧的出气口距离后横杆的左端的间距为30cm，所述后横杆上相邻的出气口的间距为30cm。便于保证通气的均匀效果。进一步优选的，所述矩形输送管路的外径为16mm；所述出气口的内径为1mm。附图说明图1为溢流槽内不具有氮气输送管路情况下硅片清洗后的示意图；图2为本专利技术溢流槽内具有氮气输送管路情况下硅片清洗后的示意图；图3为本专利技术氮气输送管路的一种结构示意图。其中：1为矩形输送管路，2为进气主管，3为出气口。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。参见图3，一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008-0.012Mpa。本专利通过溢流槽内通有氮气，使得溢流槽中的水循环量变大，使得硅片表面的药液能有效地去除，在相同清洗剂的条件下，采用通设有氮气的溢流槽清洗后的硅片的药液残留率大大低于传统溢流槽内不设有氮气通气管路的情况。传统溢流槽内不设有氮气通气管路情况下的硅片的表面情况，见图1。采用通设有氮气的溢流槽清洗后的硅片，见图2。通过图1与图2的比较，明显的可以看出通有氮气的硅片表面质量高于不通氮气的硅片表面质量。通氮气以及不同氮气两种情况下的药液残留率的情况如下表。作业条件作业枚数药液残留数残留率未通氮气1000003870638.71％通氮气200002191.1％药液残留数指的是硅片表面存有淡蓝色花斑的硅片。而且，通氮气情况下硅片表面的花斑覆盖区域明显少于不通氮气的硅片表面的花斑覆盖区域。进一步优选的，所述氮气输送管路通入的氮气的气压为0.01Mpa。如果气压太大，溢流槽内的水会飞溅，如果气压太小，会导致残留率大于1.1％。氮气输送管路包括一进气主管2以及呈矩形环绕的矩形输送管路1，进气主管2与矩形输送管路1对接导通；出气口开设在矩形输送管路的上端部。便于实现氮气的输送。矩形输送管路的外侧紧贴溢流槽的四个侧壁。便于保证清洗质量。矩形输送管路1包括两个平行设置的横杆以及两个平行设置的纵杆，横杆的长度大于纵杆的长度；两个横杆上均沿着长度方向依次开设有至少三个等间距排布的出气口3；且两个横杆上的出气口3错位设置。便于实现对溢流槽内不同区域的均匀通气，保证清洗效果的均匀性。矩形输送管路的右端部连接进气主管；两个横杆分别为前后设置的前横杆以及后横杆；前横杆上的所有出气口中位于最左侧的出气口距离前横杆的左端的间距A为15cm，前横杆上相邻的出气口的间距B为30cm；后横杆上的所有的出气口中位于最左侧的出气口距离后横杆的左端的间距C为30cm，后横杆上相邻的出气口的间距D为30cm。便于保证通气的均匀效果。矩形输送管路的外径为16mm；出气口的内径为1mm。进气主管的外径为16mm。以上仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，所述硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，其特征在于，所述溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，所述氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008-0.012Mpa。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，所述硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，其特征在于，所述溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，所述氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008-0.012Mpa。


2.根据权利要求1所述的一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，其特征在于：所述氮气输送管路通入的氮气的气压为0.01Mpa。


3.根据权利要求1所述的一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，其特征在于：所述氮气输送管路包括一进气主管以及呈矩形环绕的矩形输送管路，所述进气主管与所述矩形输送管路对接导通；
所述出气口开设在所述矩形输送管路的上端部。


4.根据权利要求3所述的一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法，其特征在于：所述矩形输送管路包括两个平...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建华，贺贤汉，王全喜，胡兴平，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31