本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与...

本发明用于硅片的无去边复合背封层结构，包括：多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边...

本实用新型公开了单晶炉短加热器，包括加热器本体，支撑，所述加热器本体的高度为0.7～0.9H，H为原加热器的高度，H＝(1.6～1.8)h，石英坩埚高为h，所述加热器本体上部设有凹槽，所述凹槽处加热器的壁厚为0.5～0.7d，d为原加热...

本实用新型涉及半导体晶体生长领域，公开了一种直拉硅单晶的Sb掺杂装置，包括：包括：石英钟罩，所述石英钟罩顶端设有吊环，所述石英钟罩内设有石英烧杯，所述石英烧杯的底部设有开孔。本实用新型的Sb掺杂装置通过使用石英治具，将Sb置于石英容器内...

本发明涉及一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂，以重量份计，包括如下组分：丙酮10-30份、乙二醇乙醚3-15份、十二碳烯5-30份、乙二胺5-30份、十二烷基苯磺酸0.1-5份，和纯净水10-30份。其制备包括：按上述重量份，将丙...

本发明涉及一种用于TFT设备的铝合金基材的阳极氧化工艺，包括：脱脂、碱蚀、除灰、第一次水洗、硫酸阳极氧化、第二次水洗、草酸阳极氧化、第三次水洗、封孔、吹干等多道工序。本发明通过调整硫酸氧化的工艺条件，将氧化温度控制在0℃附近，同时将电流...

本实用新型汽车马达氧化局部保护治具，包括：定位底座；固定凸块，多个所述固定凸块间隔设置在所述定位底座上，多个所述固定凸块之间形成卡槽；遮蔽治具，所述遮蔽治具设置在所述定位底座上、卡接在所述卡槽内；其中所述遮蔽治具包括：卡接件，所述卡接件...

本实用新型用于双面研磨的主辊，包括：主辊本体；辊槽，辊槽设置在主辊本体的表面；在主辊本体的表面上的辊槽的槽距为等差数列；等差数列为Pb＝Pa+(n-1)×d；修正值为Pb-Pa＝(n-1)×d；其中Pa为辊槽上的首个槽距，n为辊槽上的槽...

本实用新型单晶炉热场系统，包括：单晶炉炉体，在所述单晶炉炉体内壁上设热场保温结构；排气管道口，所述排气管道口设置在所述单晶炉炉体上，所述排气管道口排气管道口贯穿所述单晶炉炉体及所述热场保温结构；导气护套，所述导气护套嵌套在所述排气管道口...

本实用新型半导体致冷材料成型装置，包括：震动器，在所述震动器的上方设有安装板；治具，所述治具通过螺栓固定在所述安装板上；凹槽，所述凹槽设置在所述治具上，所述凹槽的尺寸与玻璃管的尺寸相匹配。在所述凹槽的底部设有石英砂。所述治具的形状为梯形...

本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，包括如下步骤：S1，使用有机溶剂对零件进行浸泡；S2，使用碱性溶液对零件进行浸泡；S3，使用酸性溶液对零件进行清洗；S4，使用清洗液对零件进行清洗；S5，对零件进行干燥。本发明去除硅片...

本发明P型硅片Cu污染检测方法，包括如下步骤：第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水...

本发明铝溶射涂层性能测试方法，使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试；其中所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为3.8mm；溶射工艺条件为溶射电压＝30V；溶射电流＝150A；喷射气压＝65×2PSI；溶射距离＝200m...

本发明GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法，包括如下步骤：第一步，将经切片、倒角、磨片加工后的硅片进行分类，分拣出凸出曲面的硅片及凹陷曲面的硅片；第二步，将凸出曲面的硅片翻转为凹陷曲面的硅片后指定硅片的凸出曲面进行气相沉积并指定凹陷曲...

本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法，包括如下步骤：第一步，将原材料在真空气氛下合成；第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气。本发明以碲化铋为基的热电材料的...

本发明陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法，包括如下步骤：第一步，对陶瓷基体进行喷砂增粗；第二步，对陶瓷基体进行清洗；第三步，对经过清洗的陶瓷基体进行铝溶射；第四步，对经过铝溶射的陶瓷基体进行微弧氧化。本发明陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法将铝合金的微...

本发明高热导覆铜陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：第一步，对瓷片基材和铜片进行清洗；第二步，在瓷片基材至少一侧的表面上进行镀膜，以便在瓷片基材表面形成一层氧化层；第三步，在第一保护气氛下对陶瓷基材进行回火处理；第四步，在第二保护气氛下，...

本实用新型卷对卷连续镀可调式电极，包括：支架板；上螺杆，上螺杆的一端设置在支架板的一侧；下螺杆，下螺杆的一端设置在支架板的另一侧，在下螺杆的外侧设有外螺纹；底座，底座设置在下螺杆的另一端；定位螺帽，定位螺帽套设在下螺杆外侧，定位螺帽位于...

本实用新型用于DBC基板的铜片预氧化装置，包括：支架，在所述支架的两端设有焊接架，在所述支架的两侧设有第一支点，所述第一支点的位于所述焊接架之间；挡板，所述挡板通过所述焊接架连接在所述支架的两端外侧，在所述挡板的内侧设有第二支点，所述第...

本发明用于单晶炉的石英销，包括：插入部，所述插入部的一端插入热屏底部的凹槽内；接触部，所述接触部的一端与所述插入部的另一端连接，所述接触部的非连接端向下探出所述热屏底部；挂钩，所述挂钩设置在所述插入部与所述接触部的连接处。所述接触部的底...