铝溶射涂层性能测试方法技术

技术编号:11323172 阅读:205 留言:0更新日期:2015-04-22 11:51
本发明专利技术铝溶射涂层性能测试方法,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为3.8mm;溶射工艺条件为溶射电压=30V;溶射电流=150A;喷射气压=65×2PSI;溶射距离=200mm。本发明专利技术铝溶射涂层性能测试方法操作简单,耗时少,能耗低、可以保证完成去除粘结剂、清洗效果理想,对粘结片无损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种新型检测方法,特别是一种针对热喷涂表面处理性能的检测。
技术介绍
在表面处理中常使用到铝溶射,属于热喷涂技术的一种,经过多年的发展已趋于 成熟,应用也十分广泛,其主要作用是增加基材表面的粗糙度和用作改性过渡层。但具体到 专业的洗净再生领域,尤其是尺寸越来越大的TFT相关设备部件的表面溶射,由于设备在 生产过程中需求提升,要求部品表面的溶射层具有良好的均匀性、致密性等等,目前行业内 缺乏有效的检测和判定方法,通常的外观、粗糙度检测往往无法准确识别出铝溶射层的性 能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有效。 为解决上述技术问题,本专利技术,使用耐击穿电压测试仪 对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为 3. 8mm;溶射工艺条件为溶射电压=30V;溶射电流=150A;喷射气压=65X2PSI;溶射距 离=200mm〇 本专利技术针对金属基材表面铝溶射涂层的局部不均匀性, 将具有溶射层的样片作为一对电极之一,固定相对稳定的环境,向两极之间施加渐增的电 压直至发生尖端放电,记录放电电位。模拟半导体及TFT相关生产设备中的部品使用初期 状态,通过测试放电的难易程度从一个角度来判定溶射层的性能,指导实际的生产环节进 行溶射设备、工艺参数的优化和稳定性评价,从而提升该类表面处理的质量,减少不良品的 制造和流出。本专利技术操作简单,耗时少,能耗低、可以保证完成去 除粘结剂、清洗效果理想,对粘结片无损伤。【具体实施方式】 击穿电压测试是利用尖端放电的原理进行,如果铝溶射时所获得的溶射层不够致 密均匀,则表现在溶射层在微观状态上孔隙不均,局部堆积疏松、甚至出现尖端毛刺。测试 进行时,对电极之间的距离足够小,施加在两极间的电压会寻找最薄弱处放电,毛刺的存在 则会成为最先放电点。 本专利技术,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压 测试。 1)按照目前TFT生产设备的正常溶射工艺条件,制作5枚样片作为基准样片,进行 对电极间距离对击穿电压的影响测试试验,分别定位3mm、3. 5mm、4. 0mm、4. 5mm、5mm,测得结 果如表1 :【主权项】1.侣溶射涂层性能测试方法,其特征在于,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿 电压测试;其中 所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为3. 8mm ; 溶射工艺条件为溶射电压=30V ;溶射电流=150A ;喷射气压=65X2PSI ;溶射距离 =200mm。【专利摘要】本专利技术,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为3.8mm;溶射工艺条件为溶射电压=30V;溶射电流=150A;喷射气压=65×2PSI;溶射距离=200mm。本专利技术操作简单,耗时少,能耗低、可以保证完成去除粘结剂、清洗效果理想,对粘结片无损伤。【IPC分类】G01R31-12【公开号】CN104535911【申请号】CN201510019137【专利技术人】陈煜 , 贺贤汉, 吴小杰, 尚玉帝 【申请人】上海申和热磁电子有限公司【公开日】2015年4月22日【申请日】2015年1月14日本文档来自技高网...

【技术保护点】
铝溶射涂层性能测试方法,其特征在于,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪的电极与所述样片之间的间距为3.8mm;溶射工艺条件为溶射电压=30V;溶射电流=150A;喷射气压=65×2PSI;溶射距离=200mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈煜贺贤汉吴小杰尚玉帝
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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