本发明涉及一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法，包括：第一步：对瓷片基材及铜片进行清洗；第二步：在第一保护气氛下对铜片进行退火处理，退火温度500℃～1060℃，退火处理时间1min～30min；第三步：在第二保护气氛下，按第一铜片、瓷片、第...

本发明涉及一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法及基板，包括：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量，对所有铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体进行加放，加放后铜粒横竖间距为a；将边缘处四个角上铜粒设计成不对称四边形；将边缘上其余铜粒设计成对称梯形；...

本发明涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域，公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置，包括：底板，所述底板上方设有基座；所述基座设有一开口槽；压条，所述压条通过所述开口槽插接所述基座。使用本发明的加工治具，在第二面烧结时，在产品中间位置对...

本发明涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域，公开了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：覆铜陶瓷基板本体、工艺边和铜条；所述覆铜陶瓷基板本体为长方形结构；所述工艺边设于所述覆铜陶瓷基板本体的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直边组...

本发明属于覆铜陶瓷基板的切割技术领域，公开了一种用于覆铜陶瓷基板的激光切割机工作台，包括：工作台和工作台底板，所述工作台上设有工作台底板，所述工作台底板上设有底板吸气孔；还包括盖板，所述盖板设于所述工作台底板的表面，所述工作台底板上设有...

本发明涉及一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，以重量份计，包括如下组分：酸性缓冲剂5～10份；氟化物5～10份；胺类有机溶剂30～50份；酯类有机溶剂10～20份；酮类有机溶剂20～30份；纯水10～30份。其制备，包...

本发明涉及一种半导体封装测试设备零件的铝合金阳极氧化工艺，包括：脱脂、第一次水洗、抛光处理、第二次水洗、除灰、第三水洗、草酸阳极氧化、第四水洗、超声波清洗、有机物浸泡、酒精清洗、纯水预热、纯水封孔、吹干等多道工序。本发明通过调整阳极氧化...

本发明加厚DBC基板制造方法，包括如下步骤：第一步，对瓷片基材的表面进行前处理；第二步，对瓷片基材和铜片进行清洗；第三步，在第一保护气氛下对铜片进行氧化；第四步，在第二保护气氛下，将至少一个经过氧化处理的铜片平放在瓷片基材的至少一侧的表...

本实用新型公开了多参数R值倒角磨轮，多参数R值倒角磨轮的凹槽数大于等于4个，所述凹槽的截面为圆弧，所述圆弧的半径为0.1mm～0.4mm，所述凹槽半径分为两组以上，每组的半径不相等。本实用新型新设计采用1个磨轮多个R值参数，常规设计通常...

本实用新型公开了硅片精密对准倒片花棒为圆柱体，两端设有卡口，所述圆柱体上设有槽口，所述槽口为环状凹槽。所述卡口为圆柱体凸台，设置于圆柱体的中心。所述槽口为等深环状凹槽，底部为等直径圆柱，两侧为互为镜像的斜坡。本实用新型的卡口与腐蚀笼上的...

本实用新型涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域，公开了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：覆铜陶瓷基板本体、工艺边和铜条；所述覆铜陶瓷基板本体为长方形结构；所述工艺边设于所述覆铜陶瓷基板本体的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直...

本实用新型涉及一种卷对卷连续镀旋转组合式电极，包括电极支撑架，所述的电极支撑架两端各连接一个电极支撑轴，每个电极支撑轴上固定一个电极；电极的主体为套筒，套筒底部固定托料片，套筒顶部盖合轴承空间盖；所述的套筒内有安装轴承的轴承孔，套筒与电...

本实用新型涉及一种超薄单晶硅片烧结治具包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。本实用新型的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。

本实用新型涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域，公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置，包括：底板，所述底板上方设有基座；所述基座设有一开口槽；压条，所述压条通过所述开口槽插接所述基座。使用本实用新型的加工治具，在第二面烧结时，在产品中...

本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括：镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀铜、线路铜镀铜、第一次镀镍、第二次镀镍、预镀金、镀金、去膜、蚀刻、退钛钨、脱水，以及封闭。本发明通过调整陶瓷基板金属化膜系工艺，将现有的...

本发明涉及一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法。该Si3N4陶瓷覆铜基板包括：Si3N4陶瓷基板、TiN过渡层、Ti金属层、TiCu过渡层和铜层。其制备包括：1)对Si3N4陶瓷基板及铜片进行清洗；2)将TiH2粉与粘结剂的水溶液混合...

本发明用于硅片的有去边复合背封层结构，包括：多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧，位于所述硅片的背面。本发明用于硅片的有去边复合背封层结构。硅...

本发明用于硅片的无去边超级背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去...

本发明涉及一种超细钢线切割超薄硅片的方法，包括如下步骤：(1)主轴开槽，(2)粘棒，(3)配置冷却液，(4)切割，(5)下料，(6)脱胶清洗，(7)检测；所述步骤(3)配置冷却液，冷却液为纯水和水基切割液，切割液浓度为0.6％～2.0％...

本发明用于硅片的有去边超级背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面；多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的有去边超级背封层结构。硅...