一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，包括A、反应液配置：该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；B、杂质去除：将半导体切片废液置于聚四氟乙烯反应容器中，并向反应容器中加入过量的反应溶液，常温反应30min～3h后，离心保留下层碳化硅沉淀，而后向沉淀中加入纯水，振荡分散后再次离心处理保留沉淀；C、烘干分散：将步骤B中沉淀烘干，取少量加去离子水后振荡分散，而后添加P‑37和DMAC的混合溶液，搅拌均匀后进行测试。

A purification and analysis method of silicon carbide in the waste liquid of semiconductor chip

【技术实现步骤摘要】
一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法
本专利技术涉及半导体切片切割液
，具体涉及一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)又名金刚砂，是用石英砂、石油焦或煤焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。由于其化学性质稳定，硬度高，耐磨性能好等优点，碳化硅多用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及用于光伏产品中单晶硅、多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的切割加工过程。现有半导体单晶硅切割技术是将碳化硅和切割液混合配制成砂浆，切割时碳化硅在切割线的高速运动下，通过对硅块滚压，刮擦等方式完成切割。与切割前相比，切割后碳化硅颗粒粒径降低，圆度增大。在实际切割过程中，碳化硅颗粒的分布情况和切割能力密切相关。颗粒粒径大、圆度值低的碳化硅颗粒对多晶硅切割的作用更大，而粒径小、圆度值高的颗粒相对而言对切割的作用较小。一般将能够起到主要切割作用的粒径和圆度的范围称作有效切割范围。在切割过程中，如果能够得到碳化硅颗粒的有效切割圆度和有效切割粒径，就能推导出切割过程中颗粒的磨损情况，确定切割粒径和圆度的有效范围。在制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，其特征在于，包括如下步骤：/nA、反应液配置/n该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；/nB、杂质去除/n将半导体切片废液置于聚四氟乙烯反应容器中，并向反应容器中加入过量的反应溶液，常温反应30min～3h后，离心保留下层碳化硅沉淀，而后向沉淀中加入纯水，振荡分散后再次离心处理保留沉淀；/nC、烘干分散/n将步骤B中沉淀烘干，取少量加去离子水后振荡分散，而后添加P-37和DMAC的混合溶液，搅拌均匀后进行测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、反应液配置
该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；
B、杂质去除
将半导体切片废液置于聚四氟乙烯反应容器中，并向反应容器中加入过量的反应溶液，常温反应30min～3h后，离心保留下层碳化硅沉淀，而后向沉淀中加入纯水，振荡分散后再次离心处理保留沉淀；
C、烘干分散
将步骤B中沉淀烘干，取少量加去离子水后振荡分散，而后添加P-37和DMAC的混合溶液，搅拌均匀后进行测试。


2.根据权利要求1所述的半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，其特征在于：
其中，步骤A中，硫酸溶液中硫酸的质量分数为20％～30％，盐酸溶液的浓度为2mol/L。


3.根据权利要求1所述的半导体切片废液中碳化硅的提纯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奎，贺贤汉，吉远军，胡兴平，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31