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本发明提供了一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，包括A、反应液配置：该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；B、杂质去除：将...
该专利属于上海申和热磁电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海申和热磁电子有限公司授权不得商用。

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