德克萨斯仪器股份有限公司专利技术

德克萨斯仪器股份有限公司共有1128项专利

  • 雷达系统中的同相(I)和正交(Q)不平衡估计
    本发明涉及雷达系统中的同相(I)和正交(Q)不平衡估计。本申请公开了一种雷达系统,其包括:传输信号产生电路(230);发射信道(301),其耦合到传输信号产生电路(230)以接收连续波测试信号,发射信道(301)可配置成基于连续波信号输...
  • 电源系统
    本申请公开一种电源系统。一个示例包括电源系统。该系统包括功率级,该功率级包括至少一个功率开关,该至少一个功率开关在工作周期的接通时间期间基于开关信号被周期性地激活,以便在输出端产生输出电压。该系统还包括开关控制器,该开关控制器被配置为基...
  • 集成电路(IC)芯片插槽
    本申请涉及集成电路(IC)芯片插槽(50),其可以包含不导电外壳(70)和定位在该不导电外壳内的可移动弹簧针(58)。可移动弹簧针可以包含活动弹簧针(64),每个活动弹簧针(58)被定位到可插入IC芯片插槽(50)中的IC芯片(52)的...
  • 经过附加处理的热引导沟槽
    本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽,其中公开了一种集成电路(100),其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟...
  • 用于校准微机电系统的方法和装置
    本申请公开了用于校准微机电系统的方法和装置。压力传感器校准装置(100)包括:第一压力传感器(104)设置在其中的压力室(110);一个或多个第一传感器(112),其用于测量来自所执行的物理测试的第一压力传感器的第一电容值;该一个或多个...
  • 非易失性逻辑阵列中使用奇偶校验的错误检测
    一种片上系统(SoC)具有耦合至一个或更多个核逻辑块的n行乘m列非易失性存储器阵列。m被限制为奇数。在每次写一行m个数据位时,使用m个数据位计算奇偶校验位。在存储奇偶校验位之前,其被反转。每次读取行时,检查奇偶校验位以确定在所恢复的数据...
  • 自偏压双向ESD保护电路
    所公开的示例提供一种ESD保护电路(100),该ESD保护电路(100)包括:保护结构(101),该保护结构(101)响应于受保护节点电压(VPAD)和控制电压信号(VG)在ESD事件期间上升到触发电压(Vt1)以上,选择性地在受保护节...
  • 用于测试插入点的方法和装置
    本申请公开了用于测试插入点的方法和装置。描述的示例包括向组合电路提供K位的测试数据(902)的方法。该方法进一步包括使用组合电路生成N位的测试数据,其中N大于K(904)。该方法进一步包括向被测模块提供N位的测试数据(906)。
  • 具有双端口从锁存器的正边沿触发器
    本发明涉及具有双端口从锁存器的正边沿触发器。在本发明的实施例中,触发器电路包括2输入多路复用器、主锁存器、传输门和从锁存器。多路复用器的扫描使能控制信号SE和SEN确定是数据还是扫描数据被输入到主锁存器。时钟信号CLK和CLKN以及保持...
  • 雷达系统中模拟信号的现场监测
    本发明涉及雷达系统中模拟信号的现场监测。本发明公开了具有用于监测的内置自测试(BIST)系统260的FMCW雷达系统230包括接收器210、发射器220和频率合成器205。FMCW啁啾定时引擎240控制至少一个雷达部件的操作定时。BIS...
  • 用于电动马达的再生制动控制器
    本申请公开了一种再生制动的方法(400),其包括提供(401)包括至少一个定子和转子的电动马达、转子的速度、调节定子绕组中的电流水平的马达控制器、控制至定子端子的能量流的功率逆变器,以及与所述马达交换能量的能量存储系统(ESS)。电池管...
  • 钼层中的倾斜终端及其制备方法
    一种制备钼层的倾斜终端的方法(800),包括提供钼层(802),并对钼层(804)施加光刻胶材料。光刻胶材料在散焦的条件下曝光生成掩膜(806),曝光的光刻胶材料的边缘对应于倾斜终端。用蚀刻材料蚀刻钼层,其中蚀刻材料至少部分蚀刻在散焦条...
  • 具有快速恢复保护的静电放电保护环
    本公开涉及一种静电放电(ESD)保护结构,其可向一个或多个高电压电路部件提供快速恢复保护。ESD保护结构可以沿着高电压电路(202)的周边区域(204)诸如驱动器电路的高侧栅极驱动器集成。ESD保护结构包括与高电压装置的PN结(359)...
  • 基于阶层式的RPL网络的网络地址指配和回收
    本发明为基于阶层式Do‑Dag的RPL(H‑DOC)网络配置的改进,其中每一节点的网络地址对应于其在阶层式网络内的位置。网络地址被分阶层地初始化(600)。候选父节点信号可用性(602)。候选子节点选择候选父节点(603)并且以临时地址...
  • 具有改进的功率密度的开关转换器
    描述的示例包括开关功率转换器(100)、控制方法和波纹滤波器电路(110),其中,第一开关(S1)和第二开关(S2)被串联连接第一DC总线节点(112)和第二DC总线节点(114)两端,其中,电感器(L1)连接到连接第一开关(S1)和第...
  • 基于变压器的电源转换器的滞环控制
    在所描述的示例中,一种转换器配置(300)将输入电压(VTN)转换成输出电压(VOUT)。该配置(300)包括:变压器(312);经耦合用于从输入电压端子(VIN+)向变压器(312)的初级侧提供电流至少一个初级侧驱动器开关(Q1);耦...
  • USB功率输送耗尽电池控制
    为了功率输送,端口控制器(205,210)每个均包含状态机(220)、IO引脚、从插座(235,240)接收功率的插座供电引脚、耦合到功率路径开关(215a,215b)的控制节点的栅极驱动器引脚,该功率路径开关每个均具有耦合到负载(24...
  • 基于金属栅极工艺的低成本闪速存储器制造流程
    在所描述的示例中,集成电路(100)包含闪速单元(106),其中感测晶体管(108)的顶部栅极(136)是在浮栅(130)上方的金属感测栅极(106)。感测晶体管(108)的源极/漏极区(138)在浮栅(130)下方延伸使得源极区与漏极...
  • 具有多电极控制的高压器件
    在所描述的示例中,高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点...
  • 具有横向通量电容器的集成电路
    一种制造具有横向通量电容器的集成电路组件的方法包括将第一金属层中的第一多个电容性指状物电连接到所述第一金属层的第一虚金属线部分的步骤(501)。
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页