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德克萨斯仪器股份有限公司专利技术
德克萨斯仪器股份有限公司共有2012项专利
差分放大器共模电压制造技术
一种放大器(300)包括第一级(302)和第二级(304)。第一级(302)包括第一输出和第二输出。第二级(304)包括第一晶体管(310)、第二晶体管(312)和共模电路(336)。第一晶体管(310)包括耦合到第一级(302)的第一...
用于电流隔离器件的线键合部制造技术
本申请公开了用于电流隔离器件的线键合部。一种微电子器件(100)包括电流隔离部件(102),其具有:在基板(112)上方的下隔离元件(138)与连接到下隔离元件(138)的下键合焊盘(116);在下隔离元件(138)上方的不延伸到下键合...
带有减小静摩擦力的数字微镜器件制造技术
一个示例(610)包括:电极层(625),该电极层包括地址电极(636、637)和铰链基部(639);在电极层之上的铰链层(623),铰链层包括:扭转铰链(619),该扭转铰链在相对端之间具有纵向轴线;与扭转铰链间隔开的第一单个弹簧尖端...
双针脚线键合制造技术
本申请公开了双针脚线键合。在一些示例中,一种半导体封装件(100)包括导电表面(102)和耦合到该导电表面的键合线(210)。该键合线包括耦合到导电表面的第一针脚键合部(216)和与第一针脚键合部邻接并耦合到导电表面的第二针脚键合部(2...
中心抽头隔离变压器制造技术
本申请公开了中心抽头隔离变压器。一种变压器包括衬底(210)和具有第一电感器(L2)的第一金属层,该第一电感器具有第一中心抽头(CT2)。第二金属层包括具有第二中心抽头(CT1)的第二电感器(L1),并且第二金属层包括键合焊盘(242)...
多电平栅极驱动器制造技术
在一个示例中(振荡器配置100),开关电路包括第一晶体管(106_2)和第二晶体管(106_4)。第一晶体管具有第一栅极和第一源极/漏极路径。第二晶体管具有第二栅极和第二源极/漏极路径。第一源极/漏极路径和第二源极/漏极路径串联耦合在输...
具有经烧蚀的模具化合物和挤出接触件的无引线集成电路制造技术
本申请公开具有经烧蚀的模具化合物和挤出接触件的无引线集成电路。一种电子器件(100)包括引线框架(102),该引线框架(102)包括管芯焊盘(110)和接触件(112),其中管芯(104)附接到管芯焊盘(110)。键合线(106)从管芯...
具有跨导衰减的放大器制造技术
本申请公开具有跨导衰减的放大器。误差放大器(310)包括具有第一误差放大器输入并具有第一电流端子和第二电流端子的第一晶体管(Q31)、具有第二误差放大器输入并具有第三电流端子和第四电流端子的第二晶体管(Q32)、耦合在电源电压端子和第一...
增益和温度容限带隙电压基准制造技术
本申请公开增益和温度容限带隙电压基准。带隙电路(200)及其元件的示例能够生成不受低电流增益影响的准确稳定的带隙基准电压V<subgt;BG</subgt;。示例电路包括:第一和第二输入晶体管M3和M4,各自具有接收尾电流I...
使用凸块工艺制造的具有集成无源器件的体声波谐振器制造技术
一种电路包括半导体衬底(122)和集成无源器件(104)。集成无源器件(104)在半导体衬底(122)的表面上。集成无源器件(104)在半导体衬底(122)上的金属层中。金属层为至少几十微米厚。在一些示例中,集成无源器件可以是电感器或电...
用于制造钛钨层中的特定终端角的方法技术
本申请涉及用于制造钛钨层中的特定终端角的方法。在描述的示例中,一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材...
一种形成集成磁性器件的磁芯的方法技术
本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120),磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112),并且不沿沟槽(...
基于晶片的模制倒装芯片式可路由IC封装件制造技术
本申请题为“基于晶片的模制倒装芯片式可路由IC封装件”。一种电子器件(100)包括多层级金属化结构(110)、半导体管芯(102)和封装结构(106)。多层级金属化结构(110)具有导电金属迹线和通孔及聚酰亚胺绝缘体材料的多个层级,包括...
将有效位通道作为矢量断言暴露于CPU制造技术
本申请题为“将有效位通道作为矢量断言暴露于CPU”。数字数据处理器(100)中采用的流引擎(125、2800)指定固定的只读数据流。一旦被提取,数据流中的数据元素就以固定的顺序设置在流头寄存器(2818、2828)中的通道(2100、2...
用于自动视觉缺陷检查之后的电子裸片覆墨的系统和方法技术方案
本申请题为“用于自动视觉缺陷检查之后的电子裸片覆墨的系统和方法”。在提供半导体器件的方法(1000A)和具有用于执行该方法的指令的计算机可读介质中,该方法(1000A)包括接收(1005)第一晶圆缺陷图,其定义比较区域并标识晶圆的视觉缺...
雷达系统中的同时波束成形和多输入多输出(MIMO)方案技术方案
一种雷达系统(100)包括发射器(202)集和耦合到该发射器集的处理器(204)。该处理器被配置为根据第一相位来调制线性调频脉冲帧中的线性调频脉冲的第一部分。该处理器进一步被配置为根据第二相位来调制线性调频脉冲帧中的线性调频脉冲的第二部...
两级差分放大器中的分离米勒补偿制造技术
两级差分放大器(300)包括接收差分输入电压(VINP、VINM)并呈现第一和第二中间输出(V1P、V1M)的第一放大器级(304P、306P)。该放大器进一步包括具有第一支路(324、326N)和第二支路(334、336N)的第二放大...
串行总线中继器中的功率状态改变的检测制造技术
总线中继器包括第一总线端口和第二总线端口、耦合到第一总线端口的第一端接电阻器网络、耦合到第二总线端口(端口2)的第二端接电阻器网络(692)以及耦合到第二总线端口(端口2)的功率状态改变检测电路(621)。功率状态改变检测电路(621)...
具有嵌入式时间-数字转换器的环形振荡器的亚稳态校正制造技术
一种系统(100)包括环形振荡器(108),该环形振荡器包括布置成环形的奇数个反相器。所述系统(100)还包括时间‑数字转换器(113),该时间‑数字转换器包括奇数个触发器,其中触发器中的每一个耦合至不同反相器的输出。所述系统(100)...
跨多个内核的软件共享制造技术
本申请公开跨多个内核的软件共享。在一个示例中,一种方法包括将执行第一应用程序的第一中央处理单元(CPU)的代码存储在存储器的第一区域中,并且将执行第二应用程序的第二CPU的代码存储在存储器的第二区域中。该方法包括将第一CPU和第二CPU...
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