【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、电子系统通常需要更高的电路密度，以及具有更小形状因子和精细节距引线间距的电路部件，以满足包括汽车系统在内的先进终端设备应用的需要。诸如四方扁平无引线(qfn)器件等小型封装件具有半导体管芯和金属引线框架，该金属引线框架具有沿四个横向侧面的引线。减小的半导体管芯端子间距和更高的io数量可能会超出常规互连衬底的信号布线能力。需要改进的电子器件封装件，以支持精细线路和间距，从而允许将引线和互连衬底线路布线到半导体管芯凸块或端子。
技术实现思路
1、在一个方面，一种电子器件包括多层级金属化结构、半导体管芯和封装结构，该封装结构包围半导体管芯以及多层级金属化结构的第一侧面的一些部分。多层级金属化结构具有导电金属迹线和通孔及聚酰亚胺绝缘体材料的多个层级，这些层级包括沿第一侧面的第一层级并且包括最后层级。第一层级包括具有沿第一侧面的暴露表面的导电金属引线，并且最后层级包括具有沿第二侧面的暴露表面的导电金属焊盘。半导体管芯被倒装芯片式附接到多层级金属化结构的第一侧面，使导电特征部焊接到多层级金属化结构的最后层级的相应导电金属焊盘。
2、在另一方面，一种电子器件包括半导体衬底、多层级金属化结构、半导体管芯和封装结构，该封装结构包围半导体管芯以及多层级金属化结构的第一侧面的一些部分。半导体衬底具有带有沿衬底侧面的暴露表面的导电金属引线。多层级金属化结构具有导电金属迹线和通孔及聚酰亚胺绝缘体材料的多个层级，这些层级包括沿第一侧面的第一层级以及沿第二侧面的最后层级。第一层级包括
3、在另一方面，一种制造电子器件的方法包括：在半导体晶片上形成具有单元区域的阵列的多层级金属化结构；将半导体管芯倒装芯片式附接到多层级金属化结构的相应单元区域，使半导体管芯的导电特征部被焊接到多层级金属化结构的相应导电金属焊盘；形成包围半导体管芯以及多层级金属化结构的一部分的封装结构；移除半导体晶片的至少一部分；以及从阵列中分离电子器件。
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1.一种电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中：
3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述导电金属引线和所述导电金属焊盘包括铜。
4.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电子器件具有四方扁平无引线形状。
5.根据权利要求2所述的电子器件，其中：
6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线和所述导电金属焊盘包括铜。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其中：
8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括沿所述第一侧面的凹陷下切特征部。
9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括在沿所述第一侧面的所述暴露表面上的可焊接成品表面。
10.一种电子器件，包括：
11.根据权利要求10所述的电子器件，其中：
12.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述电子器件具有四方扁平无引线形状。
13.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述导电金属引线和所述导电金属焊盘包括铜。
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15.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括沿所述第一侧面的凹陷下切特征部。
16.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括在沿所述第一侧面的所述暴露表面上的可焊接成品表面。
17.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中移除所述半导体晶片的至少一部分包括：
19.根据权利要求17所述的方法，其中移除所述半导体晶片的至少一部分包括：
20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中：
3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述导电金属引线和所述导电金属焊盘包括铜。
4.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电子器件具有四方扁平无引线形状。
5.根据权利要求2所述的电子器件，其中：
6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线和所述导电金属焊盘包括铜。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其中：
8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括沿所述第一侧面的凹陷下切特征部。
9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电金属引线包括在沿所述第一侧面的所述暴露表面上的可焊接成品表面。
10.一种电子器件，包括：
11.根据权利要求10所述的电子器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·洛佩兹，S·帕沃内，S·科杜里，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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