【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成磁性器件的领域。更具体地说，本公开涉及集成磁性器件中的磁芯。
技术介绍
1、集成磁性器件的磁芯通常包括磁性材料层，诸如与非磁性阻挡材料的阻挡层交替的坡莫合金层。在一些情况下，该层堆叠可以形成在平坦表面上并使用刻蚀掩模和湿法刻蚀来图案化，这不合需要地底切刻蚀掩模并且产生不良的尺寸和剖面控制。在这种配置中，磁性材料中的应力难以控制，并且能够导致集成磁性器件的性能降低，例如巴克豪森(barkhausen)噪声。在其他情况下，该层堆叠可以形成在介电层中的沟槽中。磁性材料层符合沟槽的轮廓，导致非平面配置，这也导致集成磁性器件的性能降低。
技术实现思路
1、本公开引入一种用于在介电层的沟槽中形成磁芯的系统和方法。在一个实施方式中，所公开的系统/方法包括从沟槽的侧壁移除磁性材料层。有利的是，移除步骤减少了磁芯中的缺陷。
2、集成磁性器件具有磁芯，该磁芯包括定位于电介电层中的沟槽中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽的底部，并且不沿着沟槽的侧面向上延伸。通过在介电层上方形成磁性材料层并延伸到沟槽中来形成集成磁性器件，使得每个层沿着沟槽的底部延伸并且沿着沟槽的侧面向上延伸。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层上方移除磁性材料层，在沟槽中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽的侧面的磁性材料层，而沿沟槽的底部的磁性材料层由保护层保护。沿着沟槽的底部的磁性材料层提供了磁芯。
【技术保护点】
1.一种集成磁性器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成磁性器件，包括：在所述衬底上方的芯介电层，所述沟槽结构定位于所述芯介电层中，所述沟槽结构具有侧面和底部。
3.根据权利要求1所述的集成磁性器件，其中：
4.根据权利要求3所述的集成磁性器件，其中所述磁芯包括与所述磁性材料层交替的阻挡层。
5.根据权利要求1所述的集成磁性器件，还包括在所述磁芯之下的所述沟槽结构中的下部封装层。
6.根据权利要求5所述的集成磁性器件，其中所述下部封装层包括从由钛、氮化钛、钽和氮化钽组成的组中选择的材料。
7.根据权利要求1所述的集成磁性器件，还包括在所述磁芯之下的所述沟槽结构中的上部封装层。
8.根据权利要求7所述的集成磁性器件，其中所述上部封装层包括从由钛、氮化钛、钽、氮化钽和钯组成的组中选择的材料。
9.根据权利要求1所述的集成磁性器件，其中：
10.一种方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种集成磁性器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成磁性器件，包括：在所述衬底上方的芯介电层，所述沟槽结构定位于所述芯介电层中，所述沟槽结构具有侧面和底部。
3.根据权利要求1所述的集成磁性器件，其中：
4.根据权利要求3所述的集成磁性器件，其中所述磁芯包括与所述磁性材料层交替的阻挡层。
5.根据权利要求1所述的集成磁性器件，还包括在所述磁芯之下的所述沟槽结构中的下部封装层。
【专利技术属性】
技术研发人员：F·王，Y·张，N·T·莫菲，B·津恩，J·P·戴维斯，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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