一种马达系统(100)，具有输入(106)，该输入用于耦合到马达控制信号(STO_A)，该马达控制信号在预定状态下出现时指示接收功率的马达应被禁用以免旋转。该系统还包括控制器电路系统(104)，该控制器电路系统用于响应于控制信号而独立于...

一种装置(300)的示例包括偏置电路(352)，该偏置电路具有第一偏置电路输出端和第二偏置电路输出端。该装置还包括比较器(354)，该比较器具有第一比较器输入端和第二比较器输入端。该装置还包括第一电容器(348)，该第一电容器耦合在该第...

本发明公开了具有低位精度权重的用于机器学习的处理器指令集架构。一种用于控制处理设备的技术。所述技术包括从第一寄存器(420)接收输入特征值(514)。所述技术还包括从第二寄存器(424)接收权重值(510)。所述技术还包括接收输出寄存器...

本申请公开了位平面抖动装置。一种控制器(201)包括被配置为存储图像帧的帧存储器(207)、耦合到帧存储器(207)并被配置为从图像帧获得图像数据的帧存储器控制器(209)。图像数据与图像帧的颜色分量相关联。控制器(201)还包括抖动噪...

本申请涉及具有降低的温度敏感性的振荡器。一种振荡器电路(400)包括具有第一输入和第二输入的比较器(410)，该第一输入被配置为耦合到基准电压。该振荡器电路(400)还包括电容器(Cctat1)和第一电流源(IPTAT)。该电容器(Cc...

本申请公开了陶瓷半导体器件封装件。一个所描述的示例包括：陶瓷封装件(图3E中107)，其具有板侧表面(301)和相对的顶侧表面；散热块(113)，其安装到陶瓷封装件的板侧表面，在管芯腔体(121)中形成底表面；引线(105)，其安装到陶...

多个定时器电路块(201，202，203)至少包括第一定时器电路块(201)和第二定时器电路块(202)。所述多个定时器电路块(201，202，203)中的每一个定时器电路块可以通过第一可编程矩阵和第二可编程矩阵中的至少一个选择性地耦合...

在所描述的示例中，基于网络协议的会话的所有权分布在多个实体之间。在远程实体与本地设备上的第一处理节点之间建立(402)会话，使得第一处理节点是本地设备上的会话(404)的会话所有者。在会话期间，将会话的所有权从第一处理节点转移(406)...

本申请题为“由局部硅外延籽晶形成的体晶片中的隔离半导体层”。在所描述的示例中，一种集成电路可以通过在基于单晶硅的衬底中的隔离槽内形成埋入式隔离层来形成。在埋入式隔离层处的衬底的裸露侧表面被电介质侧壁覆盖。籽晶沟槽穿过埋入式隔离层形成以曝...

一种制造传感器器件(300)的方法包括获得包括发射器(305)和接收器(310)的半导体管芯结构(320)。然后，将第一牺牲柱(335)附连到发射器，并且将第二牺牲柱(340)附连到接收器。将半导体管芯附连到引线框架(350)，并且将半...

披露了一种晶圆探针测试系统(100)，所述晶圆探针测试系统包括用于支撑晶圆(101)的卡盘(102)以及探针卡(106)，所述探针卡具有面向卡盘(102)的第一侧、相反的第二侧和在第一侧与第二侧之间延伸的孔口(110)。系统(100)还...

一个示例包括集成电路(IC)(100)。IC(100)包括非易失性存储器(106)和逻辑(108)。逻辑(108)被配置为接收与存储器实例相关联的修复代码并且基于所述存储器实例的配置向所述修复代码指派压缩参数。逻辑(108)还被配置为基...

披露了一种形成半导体器件(200)的方法，所述半导体器件的金属柱(260)与第一顶部金属互连件(222)和第二顶部金属互连件(220)重叠。与第一顶部金属互连件(222)和第二顶部金属互连件(220)重叠的金属柱(260)通过顶部金属过...

本申请公开了具有快速恢复保护的静电放电保护环，并且涉及一种静电放电(ESD)保护结构，其可向一个或多个高电压电路部件提供快速恢复保护。ESD保护结构可以沿着高电压电路(202)的周边区域(204)诸如驱动器电路的高侧栅极驱动器集成。ES...

一种系统(200)包括第一差分放大器(102)和第一变压器(X1)，所述第一变压器具有耦合到所述第一差分放大器(102)的输出的初级线圈(L1)并且具有耦合到负载(R

本申请公开了具有扩展模式的存储器。一种存储器系统(400)包括主存储器(102)、辅助存储器(104)、冗余电路(110)、扩展控制端子(116)和多路复用器(106)。主存储器(102)具有线宽并且包括写入数据输入端。辅助存储器(10...

一种功率级控制器(106A)包括：多相脉冲控制电路(124)；电流感测电路(204)；比较器(116)；误差放大器(108)；和模式控制器(135)。该模式控制器(135)包括模式控制器输入(136)和求和电路(210)。该求和电路(2...

本申请涉及基于温度的半导体晶片单片化。在一些示例中，一种用于制造半导体封装件的方法(700)包括使用激光沿着半导体晶片的厚度形成(702)一列隐形损伤位置，每个隐形损伤位置具有与其相关联的半导体晶片裂纹。该方法还包括将第一温度施加(70...

本申请公开了同步传感器参数转换。在示例中，传感器设备(204.1)适于通过共享电源和数据连接(SPDC)(206)耦合到传感器设备链中的其他传感器设备。传感器设备包括感测参数的传感器(226.1)、计数器(218.1)以及耦合到传感器和...

本申请涉及陶瓷封装件中的悬挑管芯。在一些示例中，一种设备(100)包括具有腔体(103)的陶瓷衬底(102)、在腔体中的管芯焊盘(110)以及在腔体中的半导体管芯(112)，该半导体管芯具有耦合到管芯焊盘的第一段和悬挑在腔体的底板(10...