本发明公开一种沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构位于一外延层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、遮蔽介电层、栅极电极、绝缘间隔层以及栅绝缘层。遮蔽电极设置于元件沟槽的底部，遮蔽介电层设置于元件沟槽下半部并围绕遮蔽电极...

一种沟槽式功率晶体管。沟槽式功率晶体管的沟槽栅极结构位于一外延层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极电极以及绝缘层。绝缘层包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中该第三介电层位于该元件沟槽下半部，且部分位于该元件沟槽下半部的...

本发明提供一种双栅极沟槽式功率晶体管及其制造方法。双栅极沟槽式功率晶体管的沟槽结构位于一磊晶层内，并至少包括深沟槽部及两个分别邻接于深沟槽部的两个相反侧的浅沟槽部，其中每一浅沟槽部内设有栅极结构，深沟槽部内设有遮蔽电极结构。栅极结构的栅...

一种低导通电阻功率半导体组件，包括一具有外延层的基板、一栅极结构、一终端结构及一图案化导电层，其中，该外延层具有一第一沟渠及一第二沟渠，该栅极结构设置于该第一沟渠并包括一栅极电极及一设置于该栅极电极之下方的遮蔽电极，该终端结构设置于该第...

一种半导体功率元件及其半导体结构，该半导体功率元件的半导体结构包括基材、绝缘层、及源极导电层。基材自其顶面蚀刻形成有第一沟槽，而顶面位于第一沟槽两旁的部位定义为两个顶接触面。绝缘层填充于部分第一沟槽，且第一沟槽未填充绝缘层的部位，其两内...

一种沟渠式功率元件及其制造方法，该沟渠式功率元件包括半导体层、沟渠式栅极结构、沟渠式源极结构、及接触塞。半导体层包含磊晶层、基体掺杂区、源极/漏极区、及接触掺杂区；其中，基体掺杂区抵接于磊晶层，源极/漏极区抵接于基体掺杂区，接触掺杂区抵...

本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件，包含有一半导体衬底、至少一晶体管单元、一栅极金属层、一源极金属层以及一第二栅极导电层。半导体衬底具有至少一个第一沟槽。晶体管单元包含有一设置在第一沟槽内的第一栅极导电层。栅极金属层与源极金属层设置在...

本发明公开了一种双导通半导体组件包括具有一第一导电类型的一半导体基底、具有一第二导电类型的一第一基体掺杂区与一第二基体掺杂区以及一栅极绝缘层。半导体基底具有一第一沟槽，且第一基体掺杂区与第二基体掺杂区分别设于第一沟槽的两侧的半导体基底中...

本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法。首先，在具有一第一导电类型的半导体基底上形成具有一第二导电类型的一外延层以及一埋入层，其中半导体基底具有一主动组件区以及一终端区，且埋入层位于外延层中。然后，移除终端区的埋入层以及其上的...

本发明公开了一种低寄生晶体管导通的功率组件，包含沟渠式晶体管和一设置在沟渠式晶体管的一源极的一侧的重掺杂区，重掺杂区的导电型态和源极相异，另外，一接触插塞接触并且电连结重掺杂区，一源极导线覆盖沟渠晶体管的源极以及前述的接触插塞，使得源极...

本发明公开了一种半导体组件，包括具有一第一导电类型的一磊晶层以及具有一第二导电类型的至少一第一半导体层与一第二半导体层。第一半导体层位于一外围区内的磊晶层中，且具有一圆弧部以及从圆弧部的两端伸出的一第一条状部与一第二条状部。第一条状部指...

本发明公开了一种功率半导体组件的终端结构及其制作方法。功率半导体组件具有一主动区以及一终端区，且终端区围绕主动区，而终端结构设于终端区内。终端结构包括一半导体基底、一绝缘层以及一金属层。半导体基底具有位于终端区内的一沟槽。绝缘层部分填充...

本发明公开了半导体组件，其包括一具有一第一导电类型的半导体基底、至少一高侧晶体管组件以及至少一低侧晶体管组件。高侧晶体管组件包括一具有一第二导电类型的高侧基体掺杂区、一具有第一导电类型的高侧源极掺杂区以及一具有第一导电类型的漏极掺杂区。...

本发明公开了半导体组件，其包括一具有一导电类型的半导体基底、一源极金属层、一栅极金属层、至少一晶体管组件、一具有导电类型的重掺杂区、一电容介电层以及一导电层。源极金属层与栅极金属层设于半导体基底上。晶体管组件设于源极金属层正下方的半导体...

本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体组件。上述横向扩散金属氧化物半导体组件包括一基底、一柵极介电层、一柵极多晶硅层、一源极区、一漏极区、一基体区、一第一漏极接触插塞、一源极多晶硅层、一绝缘层、以及一源极金属层。其中，利用于漏极区上方...

本发明公开了一种具有低柵极输入电阻的功率半导体组件与其制作方法。上述功率半导体组件包括一基底、至少一沟道式晶体管、一导电层与一金属接触插塞、一绝缘层与一层间介电层、以及一柵极金属层与一源极金属层。其中，金属接触插塞可作为一埋藏式柵极金属...

本发明公开了一种半导体功率组件与其制作方法。首先，提供一基底，于该基底上形成一磊晶层。接着，于磊晶层中形成至少一第一沟道与至少一第二沟道。随后，分别于第一沟道与第二沟道中形成一遮蔽电极与一终端电极，且暴露出第一沟道与第二沟道的上侧壁。之...