本发明公开了一种半导体石墨反应釜，包括石墨反应釜体，所述石墨反应釜体外侧的底部位置处设置有出料管，所述出料管顶部的中间位置处设置有出料阀门，且出料阀门的输出端延伸至出料管的内部，所述出料管的内侧均匀设置有弧形挡板，所述石墨反应釜体顶部的...

本实用新型公开了用于受电弓碳滑板结构强度的测试设备，包括底板，所述底板底面两端均设有梯形状的支撑座，所述底板顶面两端均滑动设有梯形状的支撑块，所述碳滑板两端均与对应的支撑块接触，所述底板顶面上方设有顶板，所述顶板底面四角均固接有圆柱形的...

本实用新型公开了受电弓碳滑板外形结构加工成型机，包括底板，底板顶面横向设有下模板，下模板顶面凹陷有多排横向的弧形长槽，底板底面两端设有一对竖向放置的竖板，且两块竖板顶面分别与横板底面两端固接，支撑板底面设有上模板，上模板底面设有多排横向...

本发明公开了一种半导体石墨制备用绞线机，包括底板、第一驱动机构、螺旋机构、第二驱动机构，底板的顶面前端设有固定座，固定座的顶面中部设有固定板，且转轴的前端与第一驱动机构活动连接；固定座与底板中部之间设有螺旋机构，底板的顶面设有竖板，竖板...

本发明属于半导体石墨制备领域，尤其是一种P型半导体石墨及其制备方法，针对现有的P型半导体石墨的耐腐蚀性能较差的问题，现提出如下方案，其包括以下重量份的原料：铜箔、甲烷10‑15份、氢气10‑15份、硼源气体15‑20份、聚四氟乙烯5‑1...

本发明公开了一种泄压式半导体石墨坩埚，包括底座，所述底座的顶部设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚的外侧设置有多组吸热片，所述石墨坩埚一侧的顶部设置有安装仓，且安装仓的一侧处于石墨坩埚的内部，所述安装仓内部的一侧设置有安装杆，所述安装杆外侧的一...

本发明公开了一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，包括支撑板A，所述支撑板A顶部两侧对称设置有仓体，所述仓体内底部设置有弹簧A，所述弹簧A的顶部设置有支撑杆A，所述支撑杆A的顶部设置有支撑板B，两组所述支撑板B相互靠近的一侧设置有支撑杆...

本发明公开了一种筒式单晶炉的半导体石墨热场，包括安装仓A，所述安装仓A内部的顶部设置有安装仓B，所述安装仓B内部的顶部设置有导流筒，所述导流筒的底部设置有安装环，所述安装仓B内部底部的一侧设置有伺服电机B，所述伺服电机B的输出端贯穿至安...

本发明公开了一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，包括底座，所述底座顶部的中间位置处设置有单晶炉体，所述单晶炉体的顶部设置有单晶炉盖，所述单晶炉盖底部的一侧设置有安装仓，所述安装仓内部的底部设置有伺服电机，所述伺服电机的输出端设置有齿轮B，所述...

本发明公开了一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置，包括底座，所述底座顶部一侧的中间位置处设置有坩埚座，所述坩埚座内底部设置有坩埚，所述底座顶部远离坩埚座一侧的中间位置处设置有支撑柱，所述支撑柱的顶部设置有电机，所述电机的输出端设置有转轴，所...

本发明公开了用于半导体石墨的制备装置，包括底箱、混合机构、粉碎机构、限位组件、定位组件，位于固定板外侧在底箱内底部安装有混合机构，底箱内顶部设有振筛板；底箱的顶面敞口处设有粉碎箱，粉碎箱内安装有粉碎机构；粉碎箱的底面后端设有出料筒，位于...

本发明公开了一种半导体制冷石墨烯芯片，包括导热金属层，所述导热金属层顶部的中间位置处均匀设置有散热孔，所述导热金属层的底部设置有芯片主体层，所述芯片主体层的底部设置有底座，所述底座的底部均匀设置有连接针脚，所述芯片主体层内部的中间位置处...

本发明属于含氮半导体石墨制备技术领域，尤其是一种含氮半导体石墨及其制备方法，针对现有技术石墨的制备方式复杂，不具有含氮半导体石墨，且现有的石墨导电性能受到材质不能的局限，导电性能差的问题，现提出如下方案，其包括包括以下成分：氮源10‑2...

本发明公开了一种半导体石墨坩埚测温设备及其测温方法，包括夹紧机构、保护机构、测温机构和底座，所述保护机构固定设置在所述底座内部，所述夹紧机构固定设置在所述底座上端，所述测温机构固定设置在所述夹紧机构下方；本发明还公开了一种半导体石墨坩埚...

本发明公开了一种多孔连体半导体石墨坩埚，包括锅体，所述锅体外侧顶部的中间位置处设置有夹持槽，所述锅体顶部一端的边缘位置处设置有导流槽，所述锅体的内部均匀设置有六组反应孔，所述锅体底部的中间位置处设置有加热孔，所述夹持槽的一侧中间位置处设...

本发明公开了半导体石墨热场保温装置，包括底筒、铰接组件、点火组件、密封机构、升降机构，所述底筒为顶面敞口且竖向放置的圆形筒状，所述底筒内安装有坩埚筒，所述坩埚筒的外侧部通过四组铰接组件与底筒内侧壁活动铰接，所述坩埚筒的底部安装有点火组件...

本发明属于石墨晶圆制备领域，尤其是一种半导体石墨晶圆及其制备方法，针对现有的半导体石墨晶圆的耐磨、抗划伤性能差的问题，现提出如下方案，其包括以下重量份的原料：氧化石墨烯10‑20份、乙醇20‑30份、硅晶圆、有机硅油1‑5份、改性硅铝炭...

本发明公开了用于半导体石墨晶圆的加工处理装置及其加工方法，包括底座，每块第一T形滑块的顶面均固接在活动板的底面上，活动板的顶面一侧边缘处设有调节组件，活动板的顶面中部设有旋转组件，旋转组件中的固定轴的顶部固接有工作台，工作台的顶面中部开...

本发明公开了具有夹持机构的半导体石墨生产装置，包括底板，在底板的顶面两侧均竖向固定设有支撑板，在每个支撑板顶面的前后端上均竖向开设有圆形的安装槽，在每个安装槽内均竖向固定设有电推缸，在电推缸的顶端水平设有横板；在底板的顶面中部水平活动设...

本发明公开了半导体石墨热场使用构件用打磨装置，包括底板，底板的顶面一侧中部固定设有传动组件，底板的顶面中部一侧竖向固定设有固定柱；滑板的顶面中部设有活动柱；第一转动柱和第二转动柱的表面均设置有夹持组件；调节腔内均设有调节组件；导向杆的杆...