【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置
本专利技术涉及石墨坩埚
,具体为一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置。
技术介绍
拉晶结束后取出石墨坩埚时,如果是小型的热场,即使采用人力也不算费力,但是近年热场正在越来越大型化,用人力来对应就变得越来越难,另外,为了能够让包围在石墨坩埚外周的加热器高效加热溶解石墨坩埚内盛放的原料硅,在加热时尽量将石墨坩埚放置在加热器内部,此外,通常坩埚轴的行程范围只能满足拉晶的最低需要,即确保到达拉晶用的装料位置和化料位置等;现有装置具有以下几点不足之处:1.加工开始向石墨坩埚内注入材料,工作人员在进行装料时,需要转动着来将石墨坩埚一个一个的装满,这样消耗了大量的人力,耗时耗力;2.加工结束后取出石墨坩埚时,如果是小型的热场,即使采用人力也不算费力,但是近年热场正在越来越大型化,用人力来对应就变得越来越难;3.使用石墨坩埚时,在加工完成结束后,状态可能是液体,如果坩埚不加盖子,工作人员在取出的时候,会很不安全,会由于液体洒落,烫伤工作人员。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)顶部一侧的中间位置处设置有坩埚座(2),所述坩埚座(2)内底部设置有坩埚(3),所述底座(1)顶部远离坩埚座(2)一侧的中间位置处设置有支撑柱(11),所述支撑柱(11)的顶部设置有电机(10),所述电机(10)的输出端设置有转轴(9),所述转轴(9)的顶部设置有固定板C(8),所述固定板C(8)底部的边缘处均匀设置有多组电动气缸A(7),所述电动气缸A(7)的输出端设置有固定板B(6),所述固定板B(6)内部的一端设置有固定板A(5),所述固定板A(5)内部的一端设置有夹持板A(4),所述固定 ...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)顶部一侧的中间位置处设置有坩埚座(2),所述坩埚座(2)内底部设置有坩埚(3),所述底座(1)顶部远离坩埚座(2)一侧的中间位置处设置有支撑柱(11),所述支撑柱(11)的顶部设置有电机(10),所述电机(10)的输出端设置有转轴(9),所述转轴(9)的顶部设置有固定板C(8),所述固定板C(8)底部的边缘处均匀设置有多组电动气缸A(7),所述电动气缸A(7)的输出端设置有固定板B(6),所述固定板B(6)内部的一端设置有固定板A(5),所述固定板A(5)内部的一端设置有夹持板A(4),所述固定板A(5)内部远离夹持板A(4)一端的中间位置处设置有电动气缸B(14),所述电动气缸B(14)的输出端设置有夹持板B(13),所述夹持板B(13)与夹持板A(4)相互铰接,所述底座(1)一端一侧的中间位置处设置有控制面板(12),所述控制面板(12)通过导线分别与电动气缸A(7...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈永贵,张培林,武建军,柴利春,张作文,王志辉,
申请(专利权)人:大同新成新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山西;14
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