一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座，所述底座顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆，四组所述伸缩杆的顶部共同设置有安装板，四组所述伸缩杆的外侧皆设置有弹簧B，且弹簧B与安装板相互连接，所述底座顶部的中间位置处设置有弹簧A，且弹簧A与安装板相互连接，所述安装板顶部的一侧设置有单晶硅炉本体，所述单晶硅炉本体外侧的顶部均匀设置有卡块，所述单晶硅炉本体的顶部设置有单晶硅炉盖；本发明专利技术装置通过单晶硅炉盖、卡扣、卡块和单晶硅炉本体的相互配合，可方便操作人员拿取投放物料，同时还对单晶硅炉本体的内部形成一定的密封能力，从而节省能源的消耗。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场
本专利技术涉及超高纯石墨热场
，具体为一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场。
技术介绍
现有装置存在以下问题：1、现有的装置大多都是使用多组螺栓对盖帽进行固定的，使操作人员在后期对其进行拆除时较为繁琐；2、现有的装置其内部冷却效果较为不明显，在其冷却过程中操作人员还需等待较长的时间，从而增加该装置的不便性；3、现有的装置大多对冲击力的缓冲效果较为不明显，从而导致内部零件的损坏，还需操作人员频繁的更换。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，以解决上述
技术介绍
中提出现有装置存在以下问题：1、现有的装置大多都是使用多组螺栓对盖帽进行固定的，使操作人员在后期对其进行拆除时较为繁琐；2、现有的装置其内部冷却效果较为不明显，在其冷却过程中操作人员还需等待较长的时间，从而增加该装置的不便性；3、现有的装置大多对冲击力的缓冲效果较为不明显，从而导致内部零件的损坏，还需操作人员频繁的更换的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座，所述底座顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆，四组所述伸缩杆的顶部共同设置有安装板，四组所述伸缩杆的外侧皆设置有弹簧B，且弹簧B与安装板相互连接，所述底座顶部的中间位置处设置有弹簧A，且弹簧A与安装板相互连接，所述安装板顶部的一侧设置有单晶硅炉本体，所述单晶硅炉本体外侧的顶部均匀设置有卡块，所述单晶硅炉本体的顶部设置有单晶硅炉盖，且单晶硅炉盖与单晶硅炉本体相互适配，所述单晶硅炉盖外侧的底部均匀设置有卡扣，且卡扣与卡块相互适配，所述底座顶部靠近单晶硅炉本体的一侧设置有抽气磊，所述抽气磊的输入端设置有进气管，且进气管延伸至单晶硅炉本体的内部，所述底座顶部远离单晶硅炉本体的一侧设置有安装仓，所述安装仓内部的背面一端设置有出气管，所述出气管的一端延伸至安装仓的外部与抽气磊的输出端相互连接，所述出气管远离抽气磊的一端延伸至安装仓的外部与单晶硅炉本体背面一端的顶部相互连通，所述安装仓内部远离出气管一端的中间位置处设置有伺服电机，所述伺服电机的输出端设置有连接杆，所述连接杆的外侧套设有双槽皮带轮，所述安装仓内部远离出气管一端的两侧对称设置有转动杆，两组所述转动杆的外侧皆设置有皮带轮，两组所述皮带轮的外侧套设有皮带，且皮带与双槽皮带轮相互适配，所述连接杆和转动杆远离安装仓的一端皆设置有扇叶，所述安装仓内部的顶部设置有透气网板，且透气网板与安装仓的内部和外部相互连通，所述底座正面一端顶部的一侧设置有控制面板，所述控制面板通过导线分别与抽气磊和伺服电机电连接。优选的，所述单晶硅炉盖顶部的两侧对称设置有把手，且把手的外侧设置有防滑纹。优选的，所述底座底部的四角处皆设置有制动式万向轮。优选的，所述单晶硅炉本体正面一端的底部设置有仓门，且仓门的真没一端设置有把手。优选的，所述抽气磊和伺服电机的外侧皆设置有保护仓，且保护仓的内部设置有减震消音棉。优选的，所述底座顶部靠近单晶硅炉本体的一侧设置有安装块，且安装块与抽气磊相互连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场可方便操作人员拿取投放物料，还可对单晶硅炉本体的内部进行快速降温冷却，并且可减少该装置在移动过程冲击力对其造成的影响；1、通过单晶硅炉盖、卡扣、卡块和单晶硅炉本体的相互配合，可方便操作人员拿取投放物料，同时还对单晶硅炉本体的内部形成一定的密封能力，从而节省能源的消耗；2、通过抽气磊、单晶硅炉本体、进气管、出气管、安装仓、伺服电机、连接杆、双槽皮带轮、皮带、皮带轮、转动杆、扇叶、出气管和透气网板的相互配合，可对单晶硅炉本体的内部进行快速降温冷却，同时还使单晶硅炉本体内部的物料加快成型，从而提高操作人员的工作效率；3、通过底座、弹簧A、弹簧B、安装板和伸缩杆的相互配合，可减少该装置在移动过程冲击力对其造成的影响，使其减少该装置内部零件的损坏，从而延长使用寿命。附图说明图1为本专利技术的主视剖视图；图2为本专利技术的主视图；图3为本专利技术的背视图；图4为本专利技术的安装仓的俯视放大图；图5为本专利技术的单晶硅炉盖的仰视图；图6为本专利技术的单晶硅炉的俯视图。图中：1、底座；2、弹簧A；3、进气管；4、弹簧B；5、安装板；6、单晶硅炉本体；7、卡块；8、单晶硅炉盖；9、卡扣；10、抽气磊；11、透气网板；12、出气管；13、安装仓；14、伸缩杆；15、皮带轮；16、转动杆；17、伺服电机；18、连接杆；19、皮带；20、双槽皮带轮；21、扇叶；22、控制面板。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-6，本专利技术提供的实施例：一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座1，底座1顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆14，四组伸缩杆14的顶部共同设置有安装板5，四组伸缩杆14的外侧皆设置有弹簧B4，且弹簧B4与安装板5相互连接，底座1顶部的中间位置处设置有弹簧A2，且弹簧A2与安装板5相互连接，可减少该装置在移动过程冲击力对其造成的影响，使其减少该装置内部零件的损坏，从而延长使用寿命，安装板5顶部的一侧设置有单晶硅炉本体6，单晶硅炉本体6外侧的顶部均匀设置有卡块7，单晶硅炉本体6的顶部设置有单晶硅炉盖8，且单晶硅炉盖8与单晶硅炉本体6相互适配，单晶硅炉盖8外侧的底部均匀设置有卡扣9，且卡扣9与卡块7相互适配，可方便操作人员拿取投放物料，同时还对单晶硅炉本体6的内部形成一定的密封能力，从而节省能源的消耗，底座1顶部靠近单晶硅炉本体6的一侧设置有抽气磊10，抽气磊10的输入端设置有进气管3，且进气管3延伸至单晶硅炉本体6的内部，底座1顶部远离单晶硅炉本体6的一侧设置有安装仓13，安装仓13内部的背面一端设置有出气管12，出气管12的一端延伸至安装仓13的外部与抽气磊10的输出端相互连接，出气管12远离抽气磊10的一端延伸至安装仓13的外部与单晶硅炉本体6背面一端的顶部相互连通，安装仓13内部远离出气管12一端的中间位置处设置有伺服电机17，伺服电机17的输出端设置有连接杆18，连接杆18的外侧套设有双槽皮带轮20，安装仓13内部远离出气管12一端的两侧对称设置有转动杆16，两组转动杆16的外侧皆设置有皮带轮15，两组皮带轮15的外侧套设有皮带19，且皮带19与双槽皮带轮20相互适配，连接杆18和转动杆16远离安装仓13的一端皆设置有扇叶21，安装仓13内部的顶部设置有透气网板11，且透气网板11与安装仓13的内部和外部相互连通，可对单晶硅炉本体6的内部进行快速降温冷却，同时还使单晶硅炉本体6内部的物料加快成型，从而提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆（14），四组所述伸缩杆（14）的顶部共同设置有安装板（5），四组所述伸缩杆（14）的外侧皆设置有弹簧B（4），且弹簧B（4）与安装板（5）相互连接，所述底座（1）顶部的中间位置处设置有弹簧A（2），且弹簧A（2）与安装板（5）相互连接，所述安装板（5）顶部的一侧设置有单晶硅炉本体（6），所述单晶硅炉本体（6）外侧的顶部均匀设置有卡块（7），所述单晶硅炉本体（6）的顶部设置有单晶硅炉盖（8），且单晶硅炉盖（8）与单晶硅炉本体（6）相互适配，所述单晶硅炉盖（8）外侧的底部均匀设置有卡扣（9），且卡扣（9）与卡块（7）相互适配，所述底座（1）顶部靠近单晶硅炉本体（6）的一侧设置有抽气磊（10），所述抽气磊（10）的输入端设置有进气管（3），且进气管（3）延伸至单晶硅炉本体（6）的内部，所述底座（1）顶部远离单晶硅炉本体（6）的一侧设置有安装仓（13），所述安装仓（13）内部的背面一端设置有出气管（12），所述出气管（12）的一端延伸至安装仓（13）的外部与抽气磊（10）的输出端相互连接，所述出气管（12）远离抽气磊（10）的一端延伸至安装仓（13）的外部与单晶硅炉本体（6）背面一端的顶部相互连通，所述安装仓（13）内部远离出气管（12）一端的中间位置处设置有伺服电机（17），所述伺服电机（17）的输出端设置有连接杆（18），所述连接杆（18）的外侧套设有双槽皮带轮（20），所述安装仓（13）内部远离出气管（12）一端的两侧对称设置有转动杆（16），两组所述转动杆（16）的外侧皆设置有皮带轮（15），两组所述皮带轮（15）的外侧套设有皮带（19），且皮带（19）与双槽皮带轮（20）相互适配，所述连接杆（18）和转动杆（16）远离安装仓（13）的一端皆设置有扇叶（21），所述安装仓（13）内部的顶部设置有透气网板（11），且透气网板（11）与安装仓（13）的内部和外部相互连通，所述底座（1）正面一端顶部的一侧设置有控制面板（22），所述控制面板（22）通过导线分别与抽气磊（10）和伺服电机（17）电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆（14），四组所述伸缩杆（14）的顶部共同设置有安装板（5），四组所述伸缩杆（14）的外侧皆设置有弹簧B（4），且弹簧B（4）与安装板（5）相互连接，所述底座（1）顶部的中间位置处设置有弹簧A（2），且弹簧A（2）与安装板（5）相互连接，所述安装板（5）顶部的一侧设置有单晶硅炉本体（6），所述单晶硅炉本体（6）外侧的顶部均匀设置有卡块（7），所述单晶硅炉本体（6）的顶部设置有单晶硅炉盖（8），且单晶硅炉盖（8）与单晶硅炉本体（6）相互适配，所述单晶硅炉盖（8）外侧的底部均匀设置有卡扣（9），且卡扣（9）与卡块（7）相互适配，所述底座（1）顶部靠近单晶硅炉本体（6）的一侧设置有抽气磊（10），所述抽气磊（10）的输入端设置有进气管（3），且进气管（3）延伸至单晶硅炉本体（6）的内部，所述底座（1）顶部远离单晶硅炉本体（6）的一侧设置有安装仓（13），所述安装仓（13）内部的背面一端设置有出气管（12），所述出气管（12）的一端延伸至安装仓（13）的外部与抽气磊（10）的输出端相互连接，所述出气管（12）远离抽气磊（10）的一端延伸至安装仓（13）的外部与单晶硅炉本体（6）背面一端的顶部相互连通，所述安装仓（13）内部远离出气管（12）一端的中间位置处设置有伺服电机（17），所述伺服电机（17）的输出端设置有连接杆（18），所述连接杆（18）的外侧套设有双槽皮带轮（20），所述安装仓（13）内部远离出气管（12）一端的两侧对称...

【专利技术属性】
技术研发人员：武建军，张培林，柴利春，张作文，王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14