一种单晶炉保温盖结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单晶炉保温盖结构，包括盖形结构和盖片，盖片设置于盖形结构的盖底，盖片和盖底适配，盖形结构的盖底和盖片均对应设有中心通孔和两个观测窗口，两个观测窗口环绕中心通孔设置。本实用新型专利技术的单晶炉保温盖结构，盖形结构可以起到很好的保温作用，下方的盖片可以将单晶炉内的大部分热量反射回炉体，进一步增强保温效果，减小单晶生长的温度梯度。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉保温盖结构
本技术属于半导体材料加工设备
，特别涉及一种单晶炉保温盖结构。
技术介绍
锗具有优良的光学特性和物理性质，是工业上第一个重要的半导体材料。锗作为重要的高新技术材料，在航空航天工业、高频超高频电子、光纤通讯、红外光学、电子器件、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛的应用。锗与砷化镓的晶格失配很小，结晶完整性好，机械强度高，易于制备大尺寸单晶，这些特点使得锗单晶在砷化镓空间太阳电池领域得到越来越广泛的应用，成为砷化镓空间太阳电池的主要衬底材料。然而，锗单晶中的位错会影响外延层的质量，从而降低太阳电池的效率以及使用寿命。因此，生长低位错密度的锗单晶至关重要。在直拉法生长锗单晶的过程中，位错产生的主要原因是由于晶体在生长的过程中产生的热应力。晶体的位错密度受温度梯度的影响，大的温度梯度会产生大的热应力，从而使单晶产生微缺陷，进而产生位错。因此，为了获得低位错的锗单晶，需要小的温度梯度。影响温度梯度的主要决定因素是热场，热场系统包括石墨加热器、石墨坩埚、石墨—碳毡保温罩等。为了得到小的温度梯度，我们需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉保温盖结构，其特征在于，包括盖形结构(1)和盖片(2)，所述盖片(2)设置于所述盖形结构(1)的盖底，所述盖片(2)和所述盖底适配，所述盖形结构(1)的盖底和所述盖片(2)均对应设有中心通孔(100)和两个观测窗口(200)，所述两个观测窗口环绕所述中心通孔(100)设置；/n所述盖形结构(1)包括对合设置的两个半盖，所述两个半盖的盖底的一端设有盖中间豁口和盖观测豁口，两个所述盖中间豁口对合形成所述盖形结构(1)的中心通孔(100)，两个所述盖观测豁口对合形成所述盖形结构(1)的其中一个所述观测窗口(200)，所述盖形结构(1)的另一观测窗口(200)位于其中一个半盖。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉保温盖结构，其特征在于，包括盖形结构(1)和盖片(2)，所述盖片(2)设置于所述盖形结构(1)的盖底，所述盖片(2)和所述盖底适配，所述盖形结构(1)的盖底和所述盖片(2)均对应设有中心通孔(100)和两个观测窗口(200)，所述两个观测窗口环绕所述中心通孔(100)设置；
所述盖形结构(1)包括对合设置的两个半盖，所述两个半盖的盖底的一端设有盖中间豁口和盖观测豁口，两个所述盖中间豁口对合形成所述盖形结构(1)的中心通孔(100)，两个所述盖观测豁口对合形成所述盖形结构(1)的其中一个所述观测窗口(200)，所述盖形结构(1)的另一观测窗口(200)位于其中一个半盖。


2.如权利要求1所述的单晶炉保温盖结构，其特征在于，
所述盖片(2)包括对合设置的两个半盖片，所述两个半盖片的一端设有片中间豁口和片观测豁口，两个所述片中间豁口对合形成所述盖片(2)的中心通孔(100)，两个所述片观测豁口对合形成所述盖片(2)的观测窗口(200)，所述盖片(2)的另一观测窗口(200)位于其中一个半盖片。


3.如权利要求1所述的单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，冯徳伸，于洪国，雷同光，李燕，
申请(专利权)人：北京国晶辉红外光学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11