【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座
本专利技术涉及硅单晶炉
，具体为一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座。
技术介绍
半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备，目前，世界上用于硅单晶体生长的主流方法主要有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法具有生长单晶质量大、直径大、成本低廉、生产效率高等优点，一直是半导体硅衬底制备的主要手段，直拉法要求坩埚同时具备旋转与升降功能，同时由于坩埚处于热场中心，受高温辐射易变形，因此承载坩埚的石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性极为重要，受热后应力集中，材料力学强度较低，经常出现受热变形及开裂的现象，故障率极高，严重影响设备的稳定性与生产效率，如何提高石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性已经成为本领域密切关注的课题；现有装置具有以下几点不足之处：1.现有的装置大多数都是瓣式的，瓣式的在安装的过程中，非常的不方便，需要多个人员一起安装才能完成，消耗大量的人力；2.再将装置暗转在这个完成后，装置得不到固定作用，很容易倒下来，因此在安装时会有阻碍；
【技术保护点】
1.一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，包括支撑板A（1），其特征在于：所述支撑板A（1）顶部两侧对称设置有仓体（3），所述仓体（3）内底部设置有弹簧A（2），所述弹簧A（2）的顶部设置有支撑杆A（4），所述支撑杆A（4）的顶部设置有支撑板B（5），两组所述支撑板B（5）相互靠近的一侧设置有支撑杆B（11），所述支撑杆B（11）外侧的两侧对称设置有弹簧B（12），所述支撑板B（5）外侧的中间位置处对称设置有滑块（13），所述支撑板B（5）的顶部设置有支撑板C（6），所述支撑板C（6）的顶部设置有底座（7），所述底座（7）内底部的设置有多组固定销（10），所述底座（7）内部...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，包括支撑板A（1），其特征在于：所述支撑板A（1）顶部两侧对称设置有仓体（3），所述仓体（3）内底部设置有弹簧A（2），所述弹簧A（2）的顶部设置有支撑杆A（4），所述支撑杆A（4）的顶部设置有支撑板B（5），两组所述支撑板B（5）相互靠近的一侧设置有支撑杆B（11），所述支撑杆B（11）外侧的两侧对称设置有弹簧B（12），所述支撑板B（5）外侧的中间位置处对称设置有滑块（13），所述支撑板B（5）的顶部设置有支撑板C（6），所述支撑板C（6）的顶部设置有底座（7），所述底座（7）内底部的设置有多组固定销（10），所述底座（7）内部的底部设置有多组坩埚座（8），所述坩埚座（8）底部的中间位置处设置有固定孔（9），所述支撑板A（1）顶部中间位置处对称设置有支撑柱（15），所述支撑柱（15）的顶部设置有齿轮（14），所述坩埚座（8）一端的顶部设置有紧固圈（16...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永贵，张培林，武建军，柴利春，张作文，王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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