一种单晶炉用埚帮和单晶炉制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种单晶炉用埚帮和单晶炉，所述埚帮具有一端开口的结构，所述埚帮包括：侧壁部、弯曲部和底部；所述侧壁部靠近所述埚帮的开口处，所述弯曲部连接于所述侧壁部远离所述开口的一端，所述底部连接于所述弯曲部的另一端；所述埚帮的外表面设置有多个凹槽。本实用新型专利技术实施例通过在所述埚帮设置凹槽，增加了所述埚帮辐射面积，同时还能够通过设置凹槽增加热能在该埚帮的反射次数，提高了热能的反射效率，从而提高了所述埚帮的吸热效率，改善了拉晶过程中的热量损失，解决了当前工艺下能耗高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉用埚帮和单晶炉
本技术涉及单晶硅制造
，特别是涉及一种单晶炉用埚帮和单晶炉。
技术介绍
目前，随着经济的发展，光伏发电作为绿色能源中的一种，日益受到重视，并得到了发展，单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场。目前，在制备单晶硅片时，需要使用碳碳埚帮作为支撑装有硅料的石英坩埚的载体，从而进行拉晶工作。故碳碳埚帮作为支撑载体成为制备单晶硅必不可少的部件。但碳碳复合材料的导热系数较低，径向与纵向导热系数约17～29W/(M*K)，在加热器发热过程中，埚帮吸热效率较低，导致了原料吸热量少导致了炉台传热过程中的热量损失，再者埚帮表面为曲面，将大量的辅热直接反射，降低了吸热效率，进而造成了当前拉晶工艺下能耗高的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中的埚帮降低了吸热效率，进而造成了能耗高的技术问题，本技术公开了一种单晶炉用埚帮和单晶炉。第一方面，本技术公开了一种单晶炉用埚帮，所述埚帮具有一端开口的结构，所述埚帮包括：侧壁部、弯曲部和底部；所述侧壁部靠近所述埚帮的开口处，所述弯曲部连接于所述侧壁部远离所述开口的一端，所述底部连接于所述弯曲部的另一端；所述埚帮的外表面设置有多个凹槽。可选地，所述凹槽的横截面为V型结构或U型结构。可选地，所述凹槽的横截面为V型结构的情况下，所述凹槽的侧壁与所述埚帮的中心轴线之间的夹角范围包括15°～40°。可选地，所述多个凹槽相互平行，且所述多个凹槽沿所述埚帮的周向设置。可选地，所述多个凹槽相互平行，且所述多个凹槽沿所述埚帮的轴向设置。可选地，所述多个凹槽的深度和宽度相同。可选地，所述凹槽的宽度大于或等于3mm，小于或等于8mm；所述凹槽的深度大于或等于2mm，小于或等于6mm。可选地，所述侧壁部与所述弯曲部可拆卸连接，所述凹槽开设于所述侧壁部；所述埚帮为碳碳复合材料。第二方面，本技术还公开了一种单晶炉，所述单晶炉包括石英坩埚、加热器和所述埚帮；所述石英坩埚安装在所述埚帮内部；所述加热器与所述埚帮的外表面相对设置。可选地，所述加热器靠近所述埚帮侧壁部的外表面设置。与现有技术相比，本技术实施例包括以下优点：本技术实施例通过在所述埚帮设置凹槽，增加了所述埚帮辐射面积，同时还能够通过设置凹槽增加热能在该埚帮的反射次数，提高了热能的反射效率，从而提高了所述埚帮的吸热效率，改善了拉晶过程中的热量损失，解决了当前工艺下能耗高的技术问题。附图说明图1是本技术实施例的一种单晶炉用埚帮的结构示意图；图2是本技术实施例的一种V型凹槽的截面图；图3是本技术实施例的图2中区域A的放大示意图；图4是本技术实施例的一种在埚帮直壁上进行周向开槽的正视图；图5是本技术实施例的一种在埚帮直壁上进行周向开槽的剖视图；图6是本技术实施例的图5中区域B的放大示意图；图7是本技术实施例的一种在埚帮直壁上进行轴向开槽的正视图；图8是本技术实施例的一种单晶炉的部分结构示意图。附图标记说明：10-侧壁部，11-埚帮外表面，20-弯曲部，30-底部，101-凹槽，102-凹槽，1-石英坩埚，2-埚帮，3-加热器。具体实施方式为使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术实施例作进一步详细的说明。参照图1，本技术公开了一种单晶炉用埚帮，所述埚帮具有一端开口的结构，所述埚帮包括侧壁部10、弯曲部20和底部30；所述侧壁部10靠近所述埚帮的开口处，所述弯曲部20连接于所述侧壁部10远离所述开口的一端，所述底部30连接于所述弯曲部20的另一端；所述埚帮的外表面11设置有多个凹槽。本技术实施例中，该单晶炉用埚帮可以是碳碳埚帮，该碳碳埚帮使用碳碳复合材料网布制成，具体为，使用多层碳碳复合材料网布包裹碳碳埚帮模型制成。该埚帮包括侧壁部10以及与所述侧壁部10一端相连的弯曲部20，该埚帮具有一端开口结构，该埚帮的底部30与单晶炉的其它支撑部件相连接，用于实现单晶炉的功能。本技术实施例中，在该埚帮的外表面11设置多个凹槽，具体的，该凹槽的数量由埚帮外表面11的面积、凹槽的形状以及该埚帮外表面上设置的凹槽密度决定。在其他情况不变的情况下，凹槽的密度越大，则设置在埚帮外表面11上的凹槽就越多，进而该埚帮的吸热面积就越大，该埚帮的吸热效率也就越高。可以理解的，本技术实施例对凹槽的数量不作限制，可以根据实际的埚帮需要达到的吸热效率来设置。可选的，所述凹槽的横截面为V型结构或U型结构。本技术实施例，通过在埚帮的外表面上增设凹槽来增加埚帮的吸热面积，在单晶炉的使用过程中，利用埚帮的外表面上增设凹槽，能够更加有效的吸收加热器产生的辐射热，从而提高了热利用率。具体的，该凹槽结构的横截面为V型结构或者U型结构，由于V型结构或者U型结构能够改变入射热量的方向，使入射热能在该凹槽内进行多次反射后再出射，增加了热能的反射次数，提高了该埚帮的吸热率。可以理解的，该凹槽的横截面不限于V型结构或者U型结构，只要是能够增加入射热能的反射次数，或者是提高该埚帮的吸热效率的结构均可，本技术实施例对此不作限定。作为一种具体的示例，参照图2，示出了一种V型凹槽的截面图，参照图3，示出了图2中区域A的放大示意图，并示出了光入射V型结构表面反射过程，其中C为V型凹槽的开槽角度，D为V型凹槽开口处的宽度，可以看出，入射热能从方向e进入凹槽中后，进行了多次反射后，由方向f出射，本技术实施例通过增加热能的反射次数，能够提高该埚帮的吸热率。可选地，所述凹槽的横截面为V型结构的情况下，所述凹槽的侧壁与所述埚帮的中心轴线之间的夹角范围包括15°～40°。本技术实施例中，当所述凹槽的横截面为V型结构时，所述凹槽的开槽角度能够影响入射至凹槽内的热能的反射次数，可以理解的，当凹槽的角度越小，则入射至凹槽内的热能的反射次会越多，当凹槽的角度越大，则入射至凹槽内的热能的反射次会越少。但是，凹槽的角度过于小，会增加加工难度，也会使该埚帮侧壁部上的凹槽数量过多，影响该埚帮侧壁部的使用寿命。本技术实施例综合考虑以上因素，选定所述凹槽的的侧壁与所述埚帮的中心轴线之间的夹角范围包括15°～40°。具体的，该所述凹槽的的侧壁与所述埚帮的中心轴线之间的夹角可以是10°，20°，23°，32°和40°中的一种。可以理解的，如果不考虑其它因素，只考虑通过设置凹槽来提高入射至凹槽内的热能的反射次数，则可以将该开槽角度设置成其它需要的范围，也可以综合本技术以外的其它因素，将该开槽角度设置成其它需要的范围，本技术对具体的开槽角度不作限定。可选地，所述多个凹槽相互平行，且所述多个凹槽沿所述埚帮的周向设置。本技术实施例中，参照图4、图5和图6，图4示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉用埚帮，其特征在于，所述埚帮为一端开口的结构，所述埚帮包括：侧壁部、弯曲部和底部；/n所述侧壁部靠近所述埚帮的开口处，所述弯曲部连接于所述侧壁部远离所述开口的一端，所述底部连接于所述弯曲部的另一端；/n所述埚帮的外表面设置有多个凹槽；/n所述凹槽的横截面为V型结构或U型结构；/n所述多个凹槽的深度和宽度相同；/n所述凹槽的宽度大于或等于3mm，小于或等于8mm；所述凹槽的深度大于或等于2mm，小于或等于6mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉用埚帮，其特征在于，所述埚帮为一端开口的结构，所述埚帮包括：侧壁部、弯曲部和底部；
所述侧壁部靠近所述埚帮的开口处，所述弯曲部连接于所述侧壁部远离所述开口的一端，所述底部连接于所述弯曲部的另一端；
所述埚帮的外表面设置有多个凹槽；
所述凹槽的横截面为V型结构或U型结构；
所述多个凹槽的深度和宽度相同；
所述凹槽的宽度大于或等于3mm，小于或等于8mm；所述凹槽的深度大于或等于2mm，小于或等于6mm。


2.根据权利要求1所述的单晶炉用埚帮，其特征在于，在所述凹槽的横截面为V型结构的情况下，所述凹槽的侧壁与所述埚帮的中心轴线之间的夹角范围包括15°～40°。


3.根据权利要求1所述的单晶炉用埚帮，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：任杰，冉瑞应，贾祯，金雪，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64