【技术实现步骤摘要】
一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚及其使用方法
本专利技术涉及半导体晶体生长的
,尤其涉及一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚及其使用方法。
技术介绍
在晶体生长的制取方法中,通常采用提拉法,提拉法的生长工艺首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于过冷状态;然后在籽晶夹头上安放一粒籽晶,让籽晶接触熔体表面,待籽晶表面稍熔后,提拉并转动铱杆,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体;但此种方法需要工作人员对铱杆进行转动和提拉,从而导致工作人员的工作量和劳动强度较大;现有的转动装置存在不便于对不同粗细尺寸的铱杆进行夹持固定的缺点;同时在铱杆在升降和转动时易出现晃动的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,包括底座,所述底座为水平设置的矩形板状,在所述底座的底面四角均竖向固接有支撑腿;在所述底座顶面一侧的中部竖向固定设有矩形柱,在所述底座的顶面中部水平固定设有矩形板状的放置座,在所述放置座竖向设有开口朝上的炉体,在所述炉体的顶部开口处盖设有炉盖,在所述炉盖的顶面中部开设有圆形通孔,在所述圆形通孔内竖向固定设有导向管,在所述炉体内的竖向设有开口朝上的石墨热场,在所述石墨热场的底部两侧均竖向设有支撑板;在所述石墨热场内放置有开口朝上的石墨坩埚,在所述石墨坩埚的内壁上固定设有 ...
【技术保护点】
1.一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)为水平设置的矩形板状,在所述底座(1)的底面四角均竖向固接有支撑腿(2);在所述底座(1)顶面一侧的中部竖向固定设有矩形柱(3),在所述底座(1)的顶面中部水平固定设有矩形板状的放置座(4),在所述放置座(4)竖向设有开口朝上的炉体(5),在所述炉体(5)的顶部开口处盖设有炉盖(6),在所述炉盖(6)的顶面中部开设有圆形通孔,在所述圆形通孔内竖向固定设有导向管(7),在所述炉体(5)内的竖向设有开口朝上的石墨热场(8),在所述石墨热场(8)的底部两侧均竖向设有支撑板(9);在所述石墨热场(8)内放置有开口朝上的石墨坩埚(10),在所述石墨坩埚(10)的内壁上固定设有开口朝上的石英坩埚(11);/n在所述矩形柱(3)内面上部的前后端均竖向固定设有T型导轨(12),在两个所述T型导轨(12)之间活动设有滑板(13),在所述滑板(13)=内侧面的前后端均竖向配合T型导轨(12)开设有T型滑槽;在所述滑板(13)外侧面的上部横向固定设有电推缸(14),在所述电推缸(14)的伸缩端顶部固定设有电机箱(15),在所述电 ...
【技术特征摘要】
1.一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)为水平设置的矩形板状,在所述底座(1)的底面四角均竖向固接有支撑腿(2);在所述底座(1)顶面一侧的中部竖向固定设有矩形柱(3),在所述底座(1)的顶面中部水平固定设有矩形板状的放置座(4),在所述放置座(4)竖向设有开口朝上的炉体(5),在所述炉体(5)的顶部开口处盖设有炉盖(6),在所述炉盖(6)的顶面中部开设有圆形通孔,在所述圆形通孔内竖向固定设有导向管(7),在所述炉体(5)内的竖向设有开口朝上的石墨热场(8),在所述石墨热场(8)的底部两侧均竖向设有支撑板(9);在所述石墨热场(8)内放置有开口朝上的石墨坩埚(10),在所述石墨坩埚(10)的内壁上固定设有开口朝上的石英坩埚(11);
在所述矩形柱(3)内面上部的前后端均竖向固定设有T型导轨(12),在两个所述T型导轨(12)之间活动设有滑板(13),在所述滑板(13)=内侧面的前后端均竖向配合T型导轨(12)开设有T型滑槽;在所述滑板(13)外侧面的上部横向固定设有电推缸(14),在所述电推缸(14)的伸缩端顶部固定设有电机箱(15),在所述电机箱(15)的底部设有转动组件;在所述矩形柱(3)内上部竖向开设有矩形的升降腔,在所述升降腔下方的矩形柱(3)内开设有矩形的电机腔;在所述升降腔内设有升降组件;在所述放置座(4)内部两侧的前后端均横向开设有圆柱形的复位腔,在所述复位腔内设有复位组件。
2.根据权利要求1所述的一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,其特征在于:所述转动组件包括C型板(17)、转动轴(18)、连接块(19)和铱杆(20),在所述电机箱(15)内竖向固定设有第一电机(16),在所述电机箱(15)的底部固定安装有槽口朝上的C型板(17),在所述C型板(17)的顶面中部固定设有第一轴承,在所述第一轴承的内圈中竖向固定设有转动轴(18),所述转动轴(18)的顶端贯穿进电机箱(15)内,并通过联轴器与第一电机(16)的电机轴同轴固接,所述转动轴(18)的底端贯穿至C型板(17)的底面下方,在所述转动轴(18)的底端固接有连接块(19),在所述连接块(19)的底面开设有圆柱状的安装槽,在所述安装槽内设有夹持组件;在所述安装槽上方的连接块(19)内横向开设有矩形的调节腔,在所述调节腔内设有调节组件,在所述导向管(7)内竖向活动设有铱杆(20),所述铱杆(20)的顶端夹持在安装槽内,且所述铱杆(20)的底端延伸至石英坩埚(11)内。
3.根据权利要求1所述的一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,其特征在于:所述升降组件包括第二电机(21)、丝杠(22)、螺纹筒(23)和连接柱(24),所述第二电机(21)竖向设置在电机腔内,在所述升降腔内的顶部和底部均固定设有第二轴承,所述丝杠(22)竖向设置在升降腔内,且所述丝杠(22)的两端均固接第二轴承的内圈中;所述丝杠(22)的底端贯穿进电机腔内,并通过联轴器与第二电机(21)的电机轴同轴固接;在所述丝杠(22)的杆体上活动套设有螺纹筒(23),在所述螺纹筒(23)筒体一侧的上部和下部均横向固接有连接柱(24),在所述矩形柱(3)内侧面的上部沿升降腔的高度方向开设有条形开口,且所述连接柱(23)的外端均从条形开口内延伸出与滑板(13)的内侧面固接。
4.根据权利要求2所述的一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚,其特征在于:所述夹持组件包括滑块(28)、弧形夹板(29)和夹力弹簧(30),在所述安装槽内的顶部两侧均活动设有滑块(28),在每个所述滑块(28)的底端底面均竖向固定设有弧形夹板(29),且两个弧形夹板(29)的内弧面相对设置;在每个所述弧形夹板(29)外弧面的顶部和底部均等距横向设有若干夹力弹簧(30),且所述夹力弹簧(30)的外端均与安装槽的内壁固接。
5.根据权利要求4所述的一种便于半导体晶体生长的...
【专利技术属性】
技术研发人员:武晨洁,张培林,武建军,柴利春,张作文,王志辉,
申请(专利权)人:大同新成新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山西;14
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