一种半导体石墨晶圆及其制备方法技术

本发明专利技术属于石墨晶圆制备领域，尤其是一种半导体石墨晶圆及其制备方法，针对现有的半导体石墨晶圆的耐磨、抗划伤性能差的问题，现提出如下方案，其包括以下重量份的原料：氧化石墨烯10‑20份、乙醇20‑30份、硅晶圆、有机硅油1‑5份、改性硅铝炭黑1‑5份、聚硅氧烷5‑10份、聚四氟乙烯5‑10份、氮化硅1‑5份、二硫化钼2‑7份、聚硅氧烷3‑8份、聚氨酯丙烯酸酯1‑5份、氮化碳1‑5份、丙烯酸树脂粉末3‑9份，本发明专利技术可以提高耐磨性及抗划伤性，制备方法简单。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体石墨晶圆及其制备方法
本专利技术涉及石墨晶圆制备领域，尤其涉及一种半导体石墨晶圆及其制备方法。
技术介绍
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。现有的半导体石墨晶圆的耐磨、抗划伤性能差，不能满足实际的使用需求，因此我们提出了一种半导体石墨晶圆及其制备方法，用来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在半导体石墨晶圆的耐磨、抗划伤性能差的缺点，而提出的一种半导体石墨晶圆及其制备方法。本专利技术提出的一种半导体石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯10-20份、乙醇20-30份、硅晶圆、有机硅油1-5份、改性硅铝炭黑1-5份、聚硅氧烷5-10份、聚四氟乙烯5-10份、氮化硅1-5份、二硫化钼2-7份、聚氨酯丙烯酸酯1-5份、氮化碳1-5份、丙烯酸树脂粉末3-9份。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯10-20份、乙醇20-30份、硅晶圆、有机硅油1-5份、改性硅铝炭黑1-5份、聚硅氧烷5-10份、聚四氟乙烯5-10份、氮化硅1-5份、二硫化钼2-7份、聚氨酯丙烯酸酯1-5份、氮化碳1-5份、丙烯酸树脂粉末3-9份。


2.根据权利要求1所述的一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯11-19份、乙醇21-29份、硅晶圆、有机硅油2-4份、改性硅铝炭黑2-4份、聚硅氧烷6-9份、聚四氟乙烯6-9份、氮化硅2-4份、二硫化钼3-6份、聚氨酯丙烯酸酯2-4份、氮化碳2-4份、丙烯酸树脂粉末4-8份。


3.根据权利要求1所述的一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯15份、乙醇25份、硅晶圆、有机硅油3份、改性硅铝炭黑3份、聚硅氧烷7份、聚四氟乙烯7份、氮化硅3份、二硫化钼4份、聚氨酯丙烯酸酯3份、氮化碳3份、丙烯酸树脂粉末6份。


4.一种半导体石墨晶圆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将氧化石墨烯加入到乙醇中，配制成浓度0.05-10mg/ml的乙醇溶液；
S2：然后将有机硅油、改性硅铝炭黑、聚硅氧烷、聚四氟乙烯、氮化硅、二硫化钼放进混合设备内进行搅拌混合，制得第一混合物；
S3：将聚氨酯丙烯酸酯、氮化碳、丙烯酸树脂粉末加入到第一混合物中搅拌混合，制得第二混合物；
S4：将第二混合物与乙醇溶液搅拌混合，制得第三混合物；
S5：将第三混合物涂于硅晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张作文，张培林，武建军，柴利春，王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14