一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚制造技术

本发明专利技术公开了一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，包括底座，所述底座顶部的中间位置处设置有单晶炉体，所述单晶炉体的顶部设置有单晶炉盖，所述单晶炉盖底部的一侧设置有安装仓，所述安装仓内部的底部设置有伺服电机，所述伺服电机的输出端设置有齿轮B，所述单晶炉体内部的中间位置处设置有坩埚，所述坩埚底部的中间位置或促设置有坩埚轴，且坩埚轴延伸至单晶炉体的外部并且贯穿底座的内部；本发明专利技术装置通过插杆、插孔、套筒A、安装块B、单晶炉盖、滑轨、铰接杆、插孔和坩埚的相互配合，可方便操作人员快速的对物料进行投放，同时还方便操作人员快速拆除，从而增加该装置的便捷性。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚
本专利技术涉及石墨坩埚
，具体为一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚。
技术介绍
随着世界光伏行业的发展，对硅单晶的质量要求越来越高，直径也越来越大，硅单晶已经成为通用高品质光伏电池的材料基础，有不可替代的作用，就硅晶体生长和制备而言，有天然硅晶体和人工硅晶体，天然硅晶体的数量很少，一般硅单晶都是人工制造的，为了制备性能良好的硅单晶，在生产实践中，通过不断地研究、实践和探索，不断完善了硅单晶生长技术；现有装置存在以下问题：1、现有的装置在对其物料进行投放时，还需操作人员手动的进行多组的螺栓拧动才能打开投放物料，从而增加该装置的繁琐性；2、现有的装置其物料生长的长度大多都是固定的，操作人员想要不同长度物料时还需放置在不同的装置里进行工作，从而增加该装置的不便性；3、现有的装置其内部防撞效果较为不明显，对于较大的碰撞很有可能导致装置表面出现凹坑，从而影响物料的发挥。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，以解决上述背景技术中提出现有装置存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）顶部的中间位置处设置有单晶炉体（3），所述单晶炉体（3）的顶部设置有单晶炉盖（19），所述单晶炉盖（19）底部的一侧设置有安装仓（17），所述安装仓（17）内部的底部设置有伺服电机（18），所述伺服电机（18）的输出端设置有齿轮B（16），所述单晶炉体（3）内部的中间位置处设置有坩埚（5），所述坩埚（5）底部的中间位置或促设置有坩埚轴（2），且坩埚轴（2）延伸至单晶炉体（3）的外部并且贯穿底座（1）的内部，所述单晶炉体（3）内部顶部的两侧对称设置有安装块A（9），两组所述安装块A（9）的正下方共同设置有导流筒（6），且...

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）顶部的中间位置处设置有单晶炉体（3），所述单晶炉体（3）的顶部设置有单晶炉盖（19），所述单晶炉盖（19）底部的一侧设置有安装仓（17），所述安装仓（17）内部的底部设置有伺服电机（18），所述伺服电机（18）的输出端设置有齿轮B（16），所述单晶炉体（3）内部的中间位置处设置有坩埚（5），所述坩埚（5）底部的中间位置或促设置有坩埚轴（2），且坩埚轴（2）延伸至单晶炉体（3）的外部并且贯穿底座（1）的内部，所述单晶炉体（3）内部顶部的两侧对称设置有安装块A（9），两组所述安装块A（9）的正下方共同设置有导流筒（6），且导流筒（6）延伸至坩埚（5）的内部，两组所述安装块A（9）相互靠近的一侧皆铰接设置有铰接杆（10），两组所述铰接杆（10）相互靠近的一侧共同铰接有单晶棒B（24），且单晶棒B（24）贯穿导流筒（6）延伸至坩埚（5）的内部，所述单晶棒B（24）的顶部延伸至单晶炉盖（19）的内部并套设有单晶棒A（13），所述单晶棒A（13）的两侧对称设置有滑轨（11），两组所述滑轨（11）的内部皆设置有与其相互配合的滑块（12），且滑块（12）延伸至滑轨（11）的外侧，两组所述滑块（12）相互远离的一侧共同套设有齿轮A（14），所述齿轮A（14）的外侧套设有链条（15），且链条（15）与齿轮B（16）相互啮合，所述单晶炉盖（19）两侧的底部对称设置有安装块B（20），所述单晶炉体（3）两侧的顶部对称设置有安装板（23），两组所述安装板（23）的顶部皆设置有套筒B（22），两组所述套筒B（22）的内部皆设置有与其相互配合的套筒A（8），且套筒A（8）与安装块B（20）相互连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：武建军，张培林，柴利春，张作文，王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14