树脂薄膜制造技术

本发明专利技术提供一种适合作为牺牲层在MEMS技术领域使用的树脂薄膜。本发明专利技术是一种由(A)玻璃化转变温度(Tg)为40～80℃且具有与环氧树脂反应的官能基的丙烯酸树脂、(B)环氧树脂、(C)酚树脂、及(D)四苯基鏻四(对甲苯基)硼酸盐构成的树脂薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种适合作为牺牲层在MEMS
使用的树脂薄膜。本专利技术是一种由(A)玻璃化转变温度(Tg)为40～80℃且具有与环氧树脂反应的官能基的丙烯酸树脂、(B)环氧树脂、(C)酚树脂、及(D)四苯基鏻四(对甲苯基)硼酸盐构成的树脂薄膜。【专利说明】树脂薄膜
本专利技术关于一种树脂薄膜，其在MEMS (Micro Electro Mechanical System)
中，在制造具有中空构造的微细构造体时，适合作为牺牲层使用。
技术介绍
在如硅等半导体基板上、或玻璃等绝缘体基板上、或在金属上等制作微细的构造的MEMS技术目前正在开发之中。在MEMS
中，在制造具有中空构造的微细构造体时通常使用牺牲层。例如通过在上下电极层之间形成牺牲层，然后选择性地除去牺牲层，能够形成配置成彼此有间隔的两个电极构造(参照专利文献1、2)。作为出于这种目的所使用的牺牲层，从可在低温下成膜、以及能够轻易进行图型化等理由来考量，会有采用有机树脂的情形。例如，在专利文献I中记载了使用聚酰亚胺树月旨、BCB树脂、氟树脂、聚酰胺树脂等有机树脂。在专利文献I中是通过涂布法来形成牺牲层，而从容易形成厚度均匀的牺牲层、以及在形成牺牲层时步骤数变少等理由来考量，采用对于形成牺牲层的部位具有接着性的树脂薄膜来形成牺牲层的情况较为有利。 另外，在专利文献1、2中还记载了灰化法，例如通过氧气电浆进行灰化、或通过对牺牲层加热同时暴露于臭氧环境而进行灰化等。然而在这些方法中，有必要除去灰化后的残渣。对这点来说，如果能够通过溶剂等将牺牲层溶解除去，则在除去牺牲层之后不会发生残留，较为适合。半导体用接着薄膜有作为上述用途所使用的牺牲层的可能性。作为半导体用接着薄膜，已知有例如专利文献3、4所记载的产品。然而，专利文献3、4所记载的半导体用接着薄膜。其成分中所含有的丙烯酸系共聚物的玻璃化转变温度(Tg)低，因此在30°C以下的常温会发生沾粘。因此，在将薄膜载置于形成薄膜与牺牲层的部位时，难以将存在于两者之间的气泡除去。在气泡残留在两者之间的状态下通过压延进行热压接的情况下，热压接时气泡会膨胀，因此会有牺牲层的剥离或位置偏移发生的顾虑。另外，为了防止异物附着于接着面，使用前的接着薄膜是在由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等保护薄膜包夹的状态下保存，然而若在接着薄膜呈现沾粘，则变得难以将接着薄膜从保护薄膜分离。专利文献专利文献1:日本特开2011-83881号公报专利文献2:日本特开2010-214480号公报专利文献3:日本特开2002-180021号公报专利文献4:日本特开2006-182919号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术为了解决上述先前技术中的问题，目的在于提供一种适合作为牺牲层在MEMS
使用的树脂薄膜。该树脂薄膜所需具备的特性如下:.在30°C以下的常温下不会沾粘。.通过压延进行热压接时的接着性优异。.在通过压延进行热压接时，尺寸变化小。.通过雷射进行图型化时的加工性优异。.耐镀性优异。 .加热硬化后及加工后的薄膜可通过有机溶剂溶解除去。用于解决问题的手段为了达成上述目的，本专利技术提供一种树脂薄膜，该树脂薄膜由㈧玻璃化转变温度(Tg)为40~80°C且具有与环氧树脂反应的官能基的丙烯酸树脂、(B)环氧树脂、(C)酚树脂、及(D)四苯基鱗四(对甲苯基)硼酸盐构成。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(A)丙烯酸树脂以具有羟基作为与所述环氧树脂反应的官能基为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述㈧丙烯酸树脂的羟基价以I~30为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(A)丙烯酸树脂以具有羧基作为与所述环氧树脂反应的官能基为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述㈧丙烯酸树脂的羧基当量以l，300g/eq~39，000g/eq 为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述㈧丙烯酸树脂的质量平均分子量(Mw)以300，000 ~800，000 为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(B)环氧树脂以选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂及脂肪族型环氧树脂所构成的群中的至少一种为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(B)环氧树脂以双酚A型环氧树脂为较佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(B)环氧树脂的含量相对于所述(A)丙烯酸树脂100质量份，以5~50质量份为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(C)酚树脂以选自萜烯酚树脂、双酚A型酚树脂、双酚F型酚树脂及酚醛型酚树脂所构成的群中的至少一种为佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(C)酚树脂以萜烯酚树脂为较佳。在本专利技术的树脂薄膜中，所述(C)酚树脂的含量相对于(A)丙烯酸树脂100质量份，以10~35质量份为佳。专利技术的效果本专利技术的树脂薄膜满足对于用作上述牺牲层的树脂薄膜所要求的特性。因此，适合作为牺牲层在MEMS
使用。【具体实施方式】以下针对本专利技术作详细说明。本专利技术的树脂薄膜由以下所示的㈧~⑶成分所构成。(A)成分:丙烯酸树脂(A)成分的丙烯酸树脂在本专利技术的树脂薄膜中，为有助于柔软性、及通过压延进行热压接时的尺寸稳定性的成分。另外，在制造树脂薄膜时，有助于与其他成分的相溶性。(A)成分的丙烯酸树脂须在树脂薄膜的加热硬化时，与(B)成分的环氧树脂反应。因此，作为(A)成分的丙烯酸树脂，采用具有可与环氧树脂反应的官能基的物质。作为可与环氧树脂反应的官能基，在以四苯基鱗四(对甲苯基)硼酸盐作为环氧树脂的硬化促进剂的情况下，从与环氧树脂的反应良好的观点看来，以羟基及羧基为佳。其中的羟基，在以四苯基鱗四(对甲苯基)硼酸盐作为环氧树脂的硬化促进剂的情况下，从与环氧树脂的反应特别良好的观点看来为较佳。在(A)成分的丙烯酸树脂具有羟基作为可与环氧树脂反应的官能基的情况下，丙烯酸树脂的羟基价以I~30为佳。若丙烯酸树脂的羟基价小于l，则与环氧树脂的反应不会发生，会有无法得到充足接着力的顾虑。另一方面，若丙烯酸树脂的羟基价大于30 ，则与环氧树脂的反应过度进行，交联密度变高，会有无法通过有机溶剂将加热硬化后的树脂薄膜溶解除去的顾虑。丙烯酸树脂的羟基价以5~20为较佳，以10~15为更佳。在(A)成分的丙烯酸树脂具有羧基作为可与环氧树脂反应的官能基的情况下，丙烯酸树脂的羧基当量以l，300g/eq~39，000g/eq为佳。若丙烯酸树脂的羧基当量大于39，OOOg/eq，则与环氧树脂的反应不会发生，会有无法得到足够的接着力的顾虑。另一方面，若丙烯酸树脂的羧基当量小于1，300g/eq，则与环氧树脂的反应过度进行，交联密度变高，会有无法通过有机溶剂将加热硬化后的树脂薄膜溶解除去的顾虑。丙烯酸树脂的羧基当量以2，OOOg/eq~8，OOOg/eq为较佳，以2，600g/eq~4，OOOg/eq 为更佳。(A)成分的丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)为40~80°C。丙烯酸树脂的Tg只要在40~80°C，则树脂薄膜呈现沾粘的温度会适度变高，因此在30°C以下的常温下，在将树脂薄膜载置于形成牺牲层的部位时不会呈现沾粘。所以，在将树脂薄膜载置于形成牺牲层的部位时，即使有气泡存在于两者之间，也能够轻易将气泡除去。因此，在气泡残留于两者之间的状态下通过压延进行热压接，牺牲层的剥离或位置偏移发生的顾虑得以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田真树，寺木慎，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：
国别省市：