耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法技术

技术编号：9976533 阅读：120 留言：0更新日期：2014-04-28 14:32

本发明专利技术公开了一种耗尽型AlGaN/GaN?MISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN（或GaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源极、栅极和漏极，栅极与AlGaN势垒层之间设置有绝缘介质层；在栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方依次外延有线性AlGaN层、P型GaN（或InGaN）外延层、基极。本发明专利技术的有益之处在于：器件导通时，栅漏间第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻减小；器件截止时，第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，器件耗尽区的宽度增加，电场分布改变，器件击穿电压提高；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。