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本发明公开了一种耗尽型AlGaN/GaN?MISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN（或GaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源极、栅极和漏极，栅极...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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