基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极、漏极、线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层。本发明专利技术的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，达到了提高器件击穿电压的目的；栅源场板确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，提高了击穿电压；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN或GaN沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上沿水平方向依次有：源极、栅极和漏极，在源极与栅极之间的AlGaN势垒层上方的全部区域、栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方的部分区域外延有线性AlGaN层，所述栅极还向源极方向延伸形成有与线性AlGaN层上表面接触的柵源场板，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层，栅极与漏极之间的线性AlGaN层与漏极之间留有缝隙并且线性AlGaN层上外延有P型GaN或InGaN外延层，P型GaN或InGaN外延层上有与栅极电连接的基极，栅极与漏极之间的线性AlGaN层、P型GaN或InGaN外延层的宽度依次减小；所述AlGaN势垒层由下层的i型AlGaN层和上层的n型AlGaN层组成；所述源极、栅极、漏极和基极的上表面还形成有加厚电极，加厚电极的两侧均形成有钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯倩，杜锴，代波，张春福，梁日泉，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61