本申请公开了一种半导体封装器件，其包括具有存储电路的集成电路器件封装体。在一实施方式中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面（例如与第一表面相邻、在第一表面中或上）形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的集成电路器件，该集成电路器件包括用于存储敏感数据的存储电路。在一个或多个实施方式中，半导体封装器件包括贯穿基底通路，所述贯穿基底通路提供至集成电路封装体的电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，所述装封结构在第二表面上设置并且至少大体上装封集成电路器件封装体。
【技术实现步骤摘要】
具有增强安全性的三维半导体封装器件
本专利技术涉及一种三维半导体封装器件。
技术介绍
三维集成电路(3D IC)可通过使用集成到单一 IC芯片中的两层或更多层电子元件而构成。所述电子元件可被堆叠以形成单一电子电路。例如，有源电子元件的两层或更多层可竖直地和水平地集成到单一电路中。采用三维IC封装处理以通过将分开的芯片(例如裸晶)堆叠到单一 IC电路封装体中而节省空间。可采用各种类型的制造过程以形成IC封装体，所述制造过程包括单片封装技术、晶圆上晶圆封装技术、晶圆上裸晶封装技术、以及裸晶上裸晶封装技术。
技术实现思路
公开了一种半导体封装器件，其包括具有存储电路的集成电路器件封装体。在一实施例中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面(例如与第一表面相邻、在第一表面中或第一表面上)形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的集成电路器件，该集成电路器件包括用于存储敏感数据的存储电路。在一个或多个实施例中，半导体封装器件包括贯穿基底通路，该贯穿基底通路提供至集成电路封装体的电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，所述装封结构在第二表面上设置并且至少大体上装封集成电路封装器件。提供该概要以简化的形式介绍构思的选择，所述构思以下在详细的说明书中进一步描述。该概要并非意在标识要求保护的主体的关键特征或重要特征，也并非意在用作确定要求保护的主体范围的目的。【附图说明】详细的说明书结合所附附图描述。在说明书和附图中的不同例证中使用相同的参考标号可代表类似或相同的元件。图1A为示出了根据本申请公开的示例性实施例的半导体封装器件的图示性局部横截面侧视图，其中半导体封装器件包括基底，所述基底包括一个或多个集成电路，集成电路器件在基底上定位，其中集成电路器件包括用于存储敏感数据的存储模块。图1B为示出了根据本申请公开的另一示例性实施例的半导体封装器件的图示性局部横截面侧视图。图2为示出了示例性实施例中用于制造根据本申请公开的集成电路器件的过程的流程图，所述集成电路器件具有用于存储敏感数据的存储模块。图3A至图3C为示出了根据图2中所示过程制造集成电路封装器件的图示性局部横截面侧视图。图4为示出了示例性实施例中用于制造根据本申请公开的、如图1A中所示器件的半导体封装器件的过程的流程图。图5A至图5C为示出了根据图4中所示过程制造如图1中所示器件的晶圆级半导体封装器件的图示性局部横截面侧视图。【具体实施方式】鐘述消费者在诸如智能卡的集成电路卡中存储诸如用户身份、银行账户信息、信用卡信息、密码等敏感数据。这些消费者可利用这些集成电路卡购买食品杂货、从图书馆结账书籍、进行金融交易(例如电子收益转账(EBT))等等。由于存储在这些智能卡中的信息的敏感性以及这些卡容易被盗，所以保护该信息是最为重要的。通常地，集成电路卡可包括在集成电路器件后侧定位的存储电路。这种类型的器件可遭受微区探查等，所述微区探查将允许不道德人士取出和偷取消费者的敏感信息。因此，公布了一种半导体封装器件(例如，一种三维(3D)封装器件)，其包括具有存储电路的集成电路器件封装体。存储电路构造成存储敏感数据。在一实施例中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面(即与第一表面相邻、在第一表面中或第一表面上)形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的集成电路器件，该集成电路器件包括用于存储敏感数据的存储电路。在一个或多个实施例中，半导体封装器件包括贯穿基底通路，该贯穿基底通路提供至集成电路封装体的电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，所述装封结构在第二表面上设置，并且至少大体上装封集成电路封装器件。在一实施例中，集成电路器件构造成当与半导体基底非关联(例如电断开)时变得不可操作，并且当集成电路器件变得不可操作时敏感数据可丢失。在另一实施例中，当半导体封装器件承受被采用以去处理半导体封装器件的温度时敏感数据丢失。示例件实施例图1A和图1B示出了半导体封装(WLP)器件，其包括一个或多个集成电路器件封装体。在一实施例中，集成电路器件封装体包括被构造以存储敏感数据的存储模块(例如存储电路)。例如，由于所述器件包括包括了单一半导体封装器件的一个或多个裸晶，所以半导体封装器件被认为是三维(3D)封装组件。集成电路器件封装体被构造成在对WLP器件进行未授权访问的情况下变得不可操作。例如，存储模块选择性地定位成接近基底的后侧，从而当经受聚焦离子束(FIB)处理和/或微区探查技术时所述集成电路器件封装体变得不可操作。现在参照图1A和图1B，描述了半导体封装器件100。半导体封装器件100包括一个或多个裸晶(例如集成电路芯片)102，所述裸晶在诸如为晶圆104—部分的半导体基底103内形成。如上所述，裸晶102包括集成电路105，所述集成电路构造成将功能提供给一个或多个主系统以及诸如此类。在实施例中，集成电路可包括数字电路、模拟电路、它们的结合以及诸如此类。集成电路105可连接至在裸晶102之上部署的一个或多个传导层，例如接触垫、再分配层(RDL)或等等。这些传导层提供了电接触，通过所述电接触集成电路与其他同器件100关联的元件(例如印刷电路板等)互连。传导层(例如接触垫)的数量和构型可取决于集成电路的复杂度和构型、裸晶102的尺寸和形状以及诸如此类而改变。如本文中所使用的，术语“半导体基底”指代由如下材料构造的基底，所述材料例如但不限于:硅、二氧化硅、氧化铝、蓝宝石、锗、砷化镓(GaAs)、硅锗合金和/或磷化铟(InP)0此外，为了本申请公开的目的，半导体基底可形成为半导体或电绝缘体，并且可包括既有半导体材料又有绝缘材料的层。例如，在实施例中，半导体基底可使用诸如二氧化硅的绝缘体与半导体材料层(例如在绝缘体上形成的硅)形成。诸如晶体管和二极管的电器元件可在半导体中制造。在其他实施例中，半导体基底可形成为绝缘体、介电体以及诸如此类。半导体封装器件100还包括在半导体基底103之上定位的集成电路器件(例如集成电路裸晶)106。集成电路器件106包括集成电路，所述集成电路可由数字电路、模拟电路、它们的组合以及诸如此类构成。在特定的实施例中，集成电路器件106被构造为一个或多个集成电路，所述集成电路构造成将安全功能性(例如当发生未授权的访问时使器件106变得不可操作)提供给半导体封装器件100。如以下更为详细描述的，集成电路器件106与集成电路105电通信。如图1A中所示，集成电路器件106包括在集成电路器件106内形成的存储模块108。例如，存储模块108可接近集成电路器件106的前侧(例如表面107)形成(例如邻近所述前侧、在所述前侧中、在所述前侧上)。在一实施例中，存储模块108包括被构造成在其中存储敏感数据(例如密码、用户身份、加密码、财务码、用户身份码等)的电路。例如，存储模块108可包括诸如随机存取存储器(RAM)电路的动态存储器电路，所述动态存储器电路被构造成当存储模块108为可操作(例如充足的电源被供应至存储模块108)时存储敏感数据。因而，对半导体封装器件100未授权的访问可使得器件100不可操作。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装器件，其包括：半导体基底，其具有第一表面和第二表面，所述半导体基底包括接近第一表面形成的一个或多个集成电路；集成电路器件封装体，其在第二表面之上设置，集成电路器件封装体包括用于存储敏感数据的存储电路；以及装封结构，其在第二表面之上设置，所述装封结构至少大体上装封所述集成电路器件封装体。
【技术特征摘要】
2012.09.14 US 13/617,9151.一种半导体封装器件，其包括: 半导体基底，其具有第一表面和第二表面，所述半导体基底包括接近第一表面形成的一个或多个集成电路； 集成电路器件封装体，其在第二表面之上设置，集成电路器件封装体包括用于存储敏感数据的存储电路；以及 装封结构，其在第二表面之上设置，所述装封结构至少大体上装封所述集成电路器件封装体。2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，还包括贯穿基底通路，所述贯穿基底通路至少大体上从第一表面延伸至第二表面，贯穿基底通路构造成将集成电路器件封装体与所述一个或多个集成电路中的至少一个电连接。3.根据权利要求2所述的半导体封装器件，还包括在第二表面之上形成的再分配层，所述再分配层构造成提供集成电路器件封装体与贯穿基底通路之间的电连接。4.根据权利要求1所述的半导体封装器件，还包括多个在第一表面之上设置的附连凸块。5.根据权利要求4所述的半导体封装器件，其特征在于，所述多个附连凸块包括多个焊料凸块。6.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述存储电路包括动态存储电路，所述动态存储电路构造成当集成电路器件变得不可操作时丢失敏感数据。7.根据权利要求1所述的半导体封装器件，还包括加强组件，其在所述装封结构之上设置以对所述装封结构提供机械`强度。8.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述装封结构由在半导体基底的第二表面之上模制成型的包覆成型件构成。9.一种三维半导体封装器件，其包括: 半导体基底，其具有第一表面和第二表面，所述半导体基底包括接近第一表面形成的一个或多个集成电路； 集成电路器件封装体，其在第二表面之上设置，集成电路器件封装体包括用于存储敏感数据的存储电路； 装封结构，其在第二表面之上设置，所述装封结构至少大体上装封所述集成电路器件封装体；以及 贯穿基底通路，所述贯穿基底通路至少大体上穿过半导体基底，贯穿基底通路构造成将集成电路器件封装体与所述一个或多个集成电路电连接， 其中所述集成电路器件封装体构造成当与半导体基底解除关联时变得不可操作，其中当集成电路器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·R·哈珀，A·V·萨莫伊洛夫，D·迪亚斯，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：发明
国别省市：
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