一种复合掩模板制造技术

本发明专利技术公开了一种复合掩模板，所述复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其中，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。现有技术在制作大尺寸掩模板，其金属型的掩模主体会具有较大的质量，从而会导致掩模主体板面产生下垂，而根据本发明专利技术提供的复合掩模板，可以对下垂的掩模主体提供一定的支撑力，降低或弥补掩模主体板面产生下垂的情况，改善产品的精度、质量，并提高良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种复合掩模板
本专利技术涉及电子印刷领域，尤其涉及一种复合掩模板。
技术介绍
由于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。OLED生产过程中最重要的一环节是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上，形成关键的发光显示单元。OLED是一种固体材料，其高精度涂覆技术的发展是制约OLED产品化的关键。目前完成这一工作，主要采用真空沉积或真空热蒸发(VTE)的方法，其是将位于真空腔体内的有机物分子轻微加热(蒸发)，使得这些分子以薄膜的形式凝聚在温度较低的基层上。在这一过程中需要与OLED发光显示单元精度相适应的高精密掩模板作为媒介。图1所不是一种用于OLED蒸镀用掩模板的结构不意图，其由具有掩模图案10的掩模主体11与固定掩模主体11用的外框12构成，其中掩模主体11、外框12均为金属材料。图2所示为图1中A-A所示的截面放大示意图,20为掩模部,21为有机材料蒸镀时在基板上形成薄膜的通道，由于掩模主体11 一般是金属薄片通过蚀刻等工艺制得，构成其掩模图案(10)的掩模部(20)、通道(21)的尺寸(如:两通道的中心间距尺寸dl)会受到金属薄片本身厚度h和工艺的限制，从而限制最终OLED产品的分辨率。另外，若制作大尺寸掩模板，其金属型的掩模主体11会具有较大的质量，从而会导致掩模主体11板面产生下垂(即板面下凹)，这对精度要求较高的掩模蒸镀过程是不利的。鉴于此，业内亟需一种能够解决此问题的方案。
技术实现思路
有鉴于此，需要克服现有技术中的上述缺陷中的至少一个。本专利技术提供了一种复合掩模板。所述复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其中，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。根据本专利
技术介绍
中对现有技术所述，若制作大尺寸掩模板，其金属型的掩模主体会具有较大的质量，从而会导致掩模主体板面产生下垂，而根据本专利技术提供的复合掩模板，可以对下垂的掩模主体提供一定的支撑力，降低或弥补掩模主体板面产生下垂的情况，改善广品的精度、质量，并提闻良品率。另外，根据本专利技术公开的复合掩模板的还具有如下附加技术特征: 根据本专利技术的实施例，所述复合掩模板至少有一个掩模图案区。根据本专利技术的实施例，所述复合掩模板上任一所述掩模层开口置于所述支撑层中相邻的两个所述支撑条之间，相邻的所述支撑条的间距是所述掩模层开口间距的η倍，所述η大于等于I且为正整数。所述掩模板开口以矩阵方式分布在掩模图案区域上，支撑层的支撑条以一定的间距d2分布在所述掩模板开口的掩模部上，两相邻的所述支撑条间的间距为d3，d2、d3有如下关系:d3=nXd2 (η 为 1、2、3、4......)。根据本专利技术的一些实施例，η=2或3或4或5或6。根据本专利技术的实施例，所述支撑层采用具有磁性能的合金材料。优选地，所述支撑层采用因瓦合金材料。根据本专利技术的实施例，所述掩模层采用耐磨、耐高温、耐酸碱且与所述支撑层之间有良好附着力的材料。优选地，所述掩模层采用性能稳定的聚合高分子材料。根据本专利技术的实施例，所述掩模层厚度hi大于等于2 μ m,小于等于20 μ m。优选地，所述掩模层厚度hi为2μπι或6μπι或10或14μπι或18μπι或20μπι。根据本专利技术的实施例，所述支撑层厚度h2大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。优选地，所述支撑层厚度h2为20 μ m或30 μ m或40 μ m或50 μ m或60 μ m。根据本专利技术的一个实施例，hl=6 μ m, h2=30 μ m。[0021 ] 根据本专利技术的实施例，所述掩模层开口通过镭射工艺刻制。根据本专利技术的实施例，`所述支撑层通过蚀刻或电铸或激光切割工艺制备。优选地，所述支撑层可以是通过蚀刻工艺制备。根据本专利技术的实施例，所述掩模板开口边缘可以是垂直直角或是倒角或是过渡曲线。其中，所述掩模板开口边缘为倒角或是过渡曲线可以更大限度的避免对蒸镀过程中蒸镀材料挥发过程的影响。根据本专利技术的实施例，所述掩模板的支撑层还可以由横向与纵向相互交叉的支撑条构成。相对于传统掩模板，本专利技术提供的复合掩模板可以制作更高PPI (即Pixels perinch所表示的是每英寸所拥有的像素(pixel)数目)的OLED显示屏(复合掩模板上每英寸所拥有的开口数量与OLED显示屏的PPI相对应)。例如:传统掩模板的开口中心间距dl为144 4 111，其对应的？？1=2.54cm/144ym ^ 176 ;而当本专利技术中两条构成掩模板支撑条310的中心间距d2为144 μ m时(如图3)，复合掩模板的实际PPI为PPI=2.54cm/d3=2.54cm/72 μ m ^ 352，由此制得的OLED屏亦未352PPI，如此超越人眼所能看到的极限300PPI。传统掩模板的构成材质为金属合金，本专利技术中将金属合金材料作为支撑层，其上与掩模图案对应的区域与传统掩模板相比，内部金属材料大量减少，虽然增加有机材料构成的掩模层，但其质量相对较轻，从而使得复合掩模板的总体质量减少。在以相同的张力将复合掩模板固定在外框上时，复合掩模板的内部下垂量也将会弱化。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中: 图1所示是一种用于OLED蒸镀用掩模板的结构示意图； 图2所示为图1中A-A所示的截面放大示意图； 图3为本专利技术一种复合掩模板的结构示意图； 图4是图3所示复合掩模板的整体仰视图； 图5是图4中42部分的放大示意图； 图6所示是将掩模板固定在真空腔内进行蒸镀的结构示意图。其中，图1中，10——掩模图案，11——掩模主体，12——外框，A-A——待剖区域； 图2中，20—掩模部，21—有机材料蒸镀时在基板上形成薄膜的通道，dl—相邻开口中心间距尺寸，h—掩模厚度； 图3中，31——支撑层，310——支撑条，32——掩模层，320——掩模层开口，321——掩模图案区掩模部，d2—相邻两支撑条310的中心间距，d3—相邻两开口通道中心间距，hi——支撑层的厚度尺寸，h2——掩模层的厚度尺寸； 图4中，41——对应于掩模层32的掩模图案区，42——待放大区域； 图6中，33——掩模框架，30——由支撑层31、掩模层32以及掩模框架33构成的蒸镀用掩模整体，61为基板，62为固定蒸镀用掩模整体30的基台，63为蒸发源。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“底”、“顶”、“前”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其特征在于，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。

【技术特征摘要】
1.一种复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其特征在于，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。2.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述复合掩模板至少有一个掩模图案区。3.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述复合掩模板上任一所述掩模层开口置于所述支撑层中相邻的两个所述支撑条之间，相邻的所述支撑条的间距是所述掩模层开口间距的η倍，所述η大于等于I且为正整数。4.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层采用具有磁性能的合金材料。5.根据权利要求4所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层采用因瓦合金材料。6.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层采用耐磨、耐高温、耐酸碱且与所述支撑层之间有良好附着力的材料。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，张炜平，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32