降低应力的激光器芯片结构和热沉结构制造技术

技术编号:9843767 阅读:108 留言:0更新日期:2014-04-02 14:30
本实用新型专利技术公开了一种降低应力的激光器芯片结构和热沉结构,激光器芯片结构包括激光器芯片主体,激光器芯片主体具有正极和与外部电极电性连接的负极,正极上设置有多个发光部,并且发光部之间设置有第一凹槽,还包括热沉结构,热沉结构包括热沉主体,热沉主体的正面通过焊料层焊接在激光器芯片主体的正极上,在热沉主体的位于激光器芯片主体的第一凹槽相对应的部位上开有第二凹槽,并且该第二凹槽与第一凹槽一一对应。本实用新型专利技术不仅具有低的应力状态,弯曲度低,能够实现低应力或“无应力”封装,而且不影响激光器的导热能力,可保证激光器长时间工作。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种降低应力的激光器芯片结构和热沉结构,激光器芯片结构包括激光器芯片主体,激光器芯片主体具有正极和与外部电极电性连接的负极,正极上设置有多个发光部,并且发光部之间设置有第一凹槽,还包括热沉结构,热沉结构包括热沉主体,热沉主体的正面通过焊料层焊接在激光器芯片主体的正极上,在热沉主体的位于激光器芯片主体的第一凹槽相对应的部位上开有第二凹槽,并且该第二凹槽与第一凹槽一一对应。本技术不仅具有低的应力状态,弯曲度低,能够实现低应力或“无应力”封装,而且不影响激光器的导热能力,可保证激光器长时间工作。【专利说明】降低应力的激光器芯片结构和热沉结构
本技术涉及一种降低应力的激光器芯片结构和热沉结构,属于激光器制造领域。
技术介绍
目前,半导体激光器又称激光二极管(LaserDiode)。随着半导体激光器技术的发展和进步,其输出功率、电光转换效率、可靠性和寿命在不断提高,可广泛应用于激光泵浦、激光加工、激光测距、科研和医疗等领域,市场需求巨大。尽管半导体激光器技术已经有了快速的进步,但随着各应用领域的发展,对半导体激光器的性能提出了更高的要求。高品质的光纤耦合和光学整形产品要求半导体激光器芯片具有低的芯片弯曲度,即很小的“smile”效应,高可靠性、高稳定性和长寿命等特点。要保证高功率半导体激光器长期稳定工作,这给激光芯片本身和封装技术来了极大的挑战。半导体激光器的性能除了与芯片有关外,还与其封装结构密切相关。目前,大多数的高功率半导体激光器巴条封装结构主要应用铜作为散热材料“Two-dimensionalhigh-power laser diode arrays cooled by Funryu heat sink,,.SPIE, vol.889,66-70(2000)),虽然铜的热导率比较高,导热快,但其热膨胀系数却是激光芯片的2-3倍,在封装后会产生较大的应力施加于激光芯片上,导致半导体激光器巴条产生大的弯曲,smile值大,性能较低,也影响其输出特性和生产成本。为了提高高功率半导体激光器的性能,降低生产成本,必须设计出降低应力的热沉结构。目前,大部分传导冷却和液体制冷高功率半导体激光器巴条芯片是贴在铜热沉的平面上,热沉表面是一个完整平面,没有与激光芯片发光点对应的凹槽结构,芯片与热沉之间是一层焊料。采用这种热沉结构封装后的半导体激光器巴条应力偏大,芯片易产生弯曲,严重限制了高功率半导体激光器巴条在光纤耦合和光学整形方面的应用。综上所述,目前的封装热沉结构不能够完全满足高功率半导体激光器的要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种降低应力的激光器芯片结构,它不仅具有低的应力状态,弯曲度低,能够实现低应力或“无应力”封装,而且不影响激光器的导热能力,可保证激光器长时间工作。本技术解决上述技术问题采取的技术方案是:一种降低应力的激光器芯片结构,包括激光器芯片主体,激光器芯片主体具有正极和与外部电极电性连接的负极,正极上设置有多个发光部,并且发光部之间设置有第一凹槽,还包括热沉结构,热沉结构包括热沉主体,热沉主体的正面通过焊料层焊接在激光器芯片主体的正极上,在热沉主体的位于激光器芯片主体的第一凹槽相对应的部位上开有第二凹槽,并且该第二凹槽与第一凹槽一一对应。进一步,热沉结构还包括金属结构层,热沉主体的背面通过焊料沉镀在金属结构层上。进一步,所述的热沉主体由金属或陶瓷或金刚石或金属基复合材料制成。进一步,所述的热沉主体为多边形的片状或多边形的块状。进一步,所述的多个第二凹槽为等间距排列状,第二凹槽的宽度d小于第一凹槽的宽度D,并且第二凹槽的宽度d为0.0lmm?0.02mm。进一步,所述的第二凹槽的长度大于第一凹槽的长度。进一步,所述的第二凹槽的纵向深度h大于焊料层的厚度H。进一步,所述的第二凹槽的截面为矩形或“V”形或半圆形或半椭圆形或梯形。本技术还提供了一种热沉结构,该热沉结构包括热沉主体,热沉主体的正面通过焊料层焊接在激光器芯片主体的正极上,热沉主体的背面沉镀在金属结构层上,在热沉主体的位于激光器芯片主体的第一凹槽相对应的部位上开有第二凹槽,并且该第二凹槽与第一凹槽一一对应。进一步,热沉结构还包括金属结构层,热沉主体的背面通过焊料沉镀在金属结构层上。进一步,所述的热沉主体由金属或陶瓷或金刚石或金属基复合材料制成。进一步,所述的热沉主体为多边形的片状或多边形的块状。进一步,所述的多个第二凹槽为等间距排列状,第二凹槽的宽度d小于第一凹槽的宽度D,并且第二凹槽的宽度d为0.0lmm?0.02mm。进一步,所述的第二凹槽的长度大于第一凹槽的长度。进一步,所述的第二凹槽的纵向深度h大于焊料层的厚度H。本技术还提供了一种热沉结构的制备方法,该方法的步骤如下:I)选用材料加工成所需要的多边形片状或块状的基体;2)将基体上贴激光器芯片的部位进行表面抛光;3)在基体上贴激光器芯片的部位上加工出第二凹槽,形成热沉主体,并保证:a)第二凹槽的纵向与基体上贴激光器芯片的平面垂直;b)第二凹槽与激光器芯片发光部之间的第一凹槽一一对应;4)在热沉主体的背面热沉镀金属结构层,完成整个热沉结构的制作。本技术还提供了另一种热沉结构的制备方法,该方法的步骤如下:I)选用材料加工成所需要的多边形片状或块状的基体;2)在基体上贴激光器芯片的部位上加工出第二凹槽,形成热沉主体,并保证:a)第二凹槽的纵向与基体上贴激光器芯片的平面垂直;b)第二凹槽与激光器芯片发光部之间的第一凹槽一一对应;3)将热沉主体上贴激光器芯片的部位进行表面抛光;4)在热沉主体的背面热沉镀金属结构层,完成整个热沉结构的制作。采用了上述技术方案,本技术具有以下的有益效果:1、本技术可使得激光巴条芯片封装后具有低的应力状态,弯曲度低,实现低应力或“无应力”封装,从结构上来讲,目前的激光器芯片大部分还是采用铟焊料封装在散热铜热沉上,为避免铟焊料在封装过程中产生空洞,影响激光器性能,铜热沉贴芯片表面加工成了没有凹槽的高精度完整平面;虽然铟焊料能够释放一份应力,但很多情况下还是造成激光器芯片,尤其是激光巴条产生弯曲,影响激光器的性能和长期寿命。另外,对于同种材料,某一方向的应力与该材料在该方向上的尺寸成正比,尺寸越大应力越大。因此,设计出凹槽结构可有效降低该方向上的应力,实现低应力分布。半导体激光芯片在封装时,在芯片底部的焊料从升温后的融化状态降低至室温的凝固状态过程中,热沉如常用的铜材料会和芯片一起收缩,虽然铜的热膨胀系数较芯片的大,收缩量也就会大,但采用了凹槽结构的热沉,相当于在其收缩方向长度减小,因此收缩量也就减小,这样应力也就相应的降低了。2、本技术不影响激光器的导热能力,可保证大功率半导体激光器长时间工作;3、本技术提高了激光器巴条封装后的性能和成品率,降低生产成本;4、本技术提高了激光器的可靠性、稳定性和长期寿命。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的降低应力的激光器芯片结构的第一种结构的结构示意图;图2为本技术的降低应力的激光器芯片结构的第二种结构的结构示意图;图3为本技术的热沉结构的第二凹槽的第一种结构的结构示意图;图4为本技术的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种降低应力的激光器芯片结构,包括激光器芯片主体(4),激光器芯片主体(4)具有正极(6)和与外部电极电性连接的负极(7),正极(6)上设置有多个发光部(9),并且发光部(9)之间设置有第一凹槽(8),其特征在于:还包括热沉结构,热沉结构包括热沉主体(1),热沉主体(1)的正面(2)通过焊料层(5)焊接在激光器芯片主体(4)的正极(6)上,在热沉主体(1)的位于激光器芯片主体(4)的第一凹槽(8)相对应的部位上开有第二凹槽(3),并且该第二凹槽(3)与第一凹槽(8)一一对应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李丰
申请(专利权)人:丹阳聚辰光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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