【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种SRAM的I/O电路,包括输入电路和输出电路,其特征在于:所述输入电路包括:正相输入电路,用于接收一输入信号,并提供流经所述正相输入电路的输入信号;其包括输入端、输出端和复位端;其输入端用于接收所述输入信号;其输出端用于输出流经所述正相输入电路的输入信号;其复位端用于在每接收一个输入信号之前接收一第一复位信号,以进行复位;反相冗余复制输入电路,用于与所述正相输入电路同时接收所述输入信号并对所述输入信号进行反相处理;其包括输入端、输出端和复位端;其输入端用于接收所述输入信号;其输出端用于输出流经所述反相冗余复制输入电路的所述反相输入信号;其复位端用于在每接收一个输入信号之前,与所述正相输入电路同时接收所述第一复位信号,以进行复位;所述输出电路包括:正相输出电路,用于接收灵敏放大器发出的一对互补的输出信号,并输出流经所述正相输出电路的输出信号;其包括第一输入端、第二输入端、输出端和复位端;其第一输入端和第二输入端用于接收所述一对互补的输出信号;其输出端用于输出流经所述正相输出电路的输出信号;其复位端用于在每接收一对互补的输出信号之前接收一第二复位信号,以进行复位;反相冗余复制输出电路, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:潘劲东,方伟,丁艳,史增博,仇超文,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。