低功耗晶振电路制造技术

技术编号:8877445 阅读:264 留言:0更新日期:2013-07-02 02:19
本实用新型专利技术公开了一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。在本实用新型专利技术低功耗晶振电路结构中,在组成反相器的两个晶体管的栅端加上串联电容,通过电流镜模块产生偏置电压,使PMOS管被一个PMOS管的阈值偏置,NMOS管被一个NMOS管的阈值偏置,因此反相器的启动电压低于PMOS管和NMOS管阈值之和、整体电路消耗的电流较小。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,其特征在于:在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:彭伟娣谢亮张文杰金湘亮
申请(专利权)人:湘潭芯力特电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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