低功耗晶振电路制造技术

技术编号:8685133 阅读:206 留言:0更新日期:2013-05-09 04:50
本发明专利技术公开了一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。在本发明专利技术低功耗晶振电路结构中,在组成反相器的两个晶体管的栅端加上串联电容,通过电流镜模块产生偏置电压,使PMOS管被一个PMOS管的阈值偏置,NMOS管被一个NMOS管的阈值偏置,因此反相器的启动电压低于PMOS管和NMOS管阈值之和、整体电路消耗的电流较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计领域中的晶体振荡电路,特别是ー种低功耗晶振电路
技术介绍
在现代电子系统中,Pierce CMOS晶振电路,作为时钟发生器,得到越来越广泛的运用,但是该晶振电路的功耗较大。參考图1,该图示出了传统的Pierce CMOS晶振电路结构,反相器并联大电阻组成放大器,晶体和微调电容组成反馈网络。反相器在电源电压为PMOS管和NMOS管的总阈值之和、且PMOS管和NMOS管同时偏置在饱和区时的工作状态最佳,只消耗较低的电流。一旦电压超过这个值,电路工作状态将变差,整体电路将消耗更多的电流;一旦电源电压低于这个值,晶振电路将停止振荡。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服上述现有技术中存在的问题,提供ー种低功耗晶振电路。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:ー种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mpl和NMOS管Mnl的栅端串联电容Cl,晶振电路模块通过一大电阻R2连接ー电流镜模块,电流镜模块提供ー个比高电源低ー个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mpl的栅端。上述的低功耗晶振电路中电流镜模块包括两个PMOS管Mp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,其特征在于:在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,其特征在于:在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mpl和NMOS管Mnl的栅端串联电容Cl,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供ー个比高电源低ー个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mpl的栅端。2.按权利要求1所述的低功耗晶振电路,其特征在于:所述电流镜模块包括两个PMOS管Mp2、Mp3和两个NMOS管Mn2、Mn3以及电阻R3,PMOS管Mp3的漏端和栅端相接,自偏置产生的电流通过漏端与NMOS管Mn3的漏端相接,NMOS管Mn2与NMOS管Mn3的栅端相接镜像NMOS管Mn3的漏电流,NM...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭伟娣谢亮张文杰金湘亮
申请(专利权)人:湘潭芯力特电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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