一种制备TEM样品的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备TEM样品的方法，其具体为提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触；制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层；去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构；采用电子束对所述待检测结构的切除面进行照射后再在TEM中进行观测。本发明专利技术所述的方法在利用TEM进行常规的检测前，先利用FIB在半导体衬底中待检测区域进行处理，使区域内的待检测结构可以有效的保持，再使用电子束对样品的截面进行一定的量的照射，得到具有明显多孔结构的低介电常数材料，有助于解决在TEM观测时无法区分低介电常数材质和普通氧化硅材质的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种制备TEM样品的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种制备TEM样品的方法。
技术介绍
随着集成电路半导体器件的关键尺寸不断缩小，为了有效降低RC延迟。后段金属互连线之间起隔绝作用的介电材质的介电常数也不断减小，从而提升了器件的工作速度。聚焦离子束(Focused 1n beam，FIB)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像。使用电子束选择性扫描目标区域，TEM中的气态有机杂质在电子束的作用下在所述目标区域上沉积有机材质层；在有机材质层上沉积金属保护层。低介电常数材质是在氧化硅的基础上掺入一定量的碳而得到的，在其组织上也比较疏松多孔。现有技术中利用FIB对TEM观察样品的处理方法中，主要是采用FIB对样品表面进行处理，专利CN101470087公开了一种使用FIB (聚焦离子束M^TEM (透射电镜)分析方法，包括:将TEM样本划分为多个分析区；确定用于每个分析区的FIB束流；以及通过使用确定的FIB束流在每个分析区上执行FIB铣削。此外，该方法包括将TEM样本放置到TEM样本格上，并在TE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备TEM样品的方法，其特征在于，包括：提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触；制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层；去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构；采用电子束对所述待检测结构的切除面进行照射，获取样品。

【技术特征摘要】
1.一种制备TEM样品的方法,其特征在于,包括: 提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触； 制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层； 去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构； 采用电子束对所述待检测结构的切除面进行照射，获取样品。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用FIB工艺制备覆盖待检测区域的保护层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用FIB工艺去除切除区域内的保护层和部分半导体衬底。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的FIB工艺去除切除...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：