平面TEM样品的制作方法技术

本发明专利技术提供一种平面TEM样品的制作方法，包括：提供TEM样品，所述TEM样品上具有目标区域；对所述TEM样品进行平面研磨至金属互连层；对所述TEM样品进行截面研磨至TEM样品的边缘距离目标区域2-10微米；采用第一溶液去除金属互连层中的金属线，在所述金属互连层从中形成孔洞；采用第二溶液去除所述孔洞下方的源漏掺杂区域；使用FIB方法对所述TEM样品进行制作，形成平面TEM样品，所述平面TEM样品露出孔洞下方的源漏掺杂区域用于失效分析。本发明专利技术能够解决平面TEM上无法观察源漏掺杂区域的难题。

【技术实现步骤摘要】
平面TEM样品的制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种平面TEM样品的制作方法。
技术介绍
透射电子显微镜(TEM)是电子显微学的重要工具，TEM通常用于检测组成半导体器件的薄膜的形貌、尺寸和特征等。将TEM样品放入TEM观察室后，TEM的主要工作原理为:高能电子束穿透TEM样品时发生散射、吸收、干涉及衍射等现象，使得在成像平面形成衬度，从而形成TEM样品的图像，后续在对图像进行观察、测量以及分析。在对于半导体器件的源漏掺杂进行TEM失效分析过程时，采用的TEM样品通常为一个约100纳米厚度的薄片。对于沟道宽度大于100纳米的半导体器件来说，由于无法事先知道源漏掺杂缺陷的具体位置，也就无法保证制备的TEM样品可以把源漏掺杂缺陷的位置包括进去从而观测到。这时，只能使用平面制样(Plan view)的方式把整个沟道宽度包括进去，这样，在沟道任何位置的缺陷都能被发现。但是，由于源漏掺杂缺陷只能在化学腐蚀以后才能显现出来，因此，并无任何现有技术可以用于制备观察整个沟道宽度上的源漏掺杂缺陷的样品。例如对于某NMOS器件，需要在整个沟道宽度上观察是否存在源漏掺杂缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面TEM样品的制作方法，其特征在于，包括：提供TEM样品，所述TEM样品上具有目标区域；对所述TEM样品进行平面研磨至金属互连层；对所述TEM样品进行截面研磨至TEM样品的边缘距离目标区域2?10微米；采用第一溶液去除金属互连层中的金属线，在所述金属互连层从中形成孔洞；采用第二溶液去除所述孔洞下方的源漏掺杂区域；使用FIB方法对所述TEM样品进行制作，形成平面TEM样品，所述平面TEM样品露出孔洞下方的源漏掺杂区域用于失效分析。

【技术特征摘要】
1.一种平面TEM样品的制作方法，其特征在于，包括: 提供TEM样品，所述TEM样品上具有目标区域； 对所述TEM样品进行平面研磨至金属互连层； 对所述TEM样品进行截面研磨至TEM样品的边缘距离目标区域2-10微米； 采用第一溶液去除金属互连层中的金属线，在所述金属互连层从中形成孔洞； 采用第二溶液去除所述孔洞下方的源漏掺杂区域； 使用FIB方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，史燕萍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：