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本发明公开了一种制备TEM样品的方法，其具体为提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触；制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层；去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构；采用电子束对所述...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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