半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求在2012年8月22日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0091811号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的全部公开内容包含于此。
本专利技术构思涉及。
技术介绍
电子技术的发展已经引起半导体装置的小型化。由于许多半导体装置目前需要快的操作速度和高精确性，所以正在开发用于这些装置的各种晶体管结构。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种能够减少栅极与源极和/或漏极之间的电容耦合现象的半导体装置。本专利技术构思的示例性实施例提供了一种能够减少栅极与源极和/或漏极之间的电容耦合现象的半导体装置的制造方法。根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。第一绝缘件包括气隙。第一绝缘件的介电常数小于第二绝缘件的介电常数。所述半导体装置还包括层间介电膜，层间介电膜设置在第二栅极图案上并且位于第二绝缘件之间。根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件包括具有第一介电常数的上部和具有第二介电常数的下部，第一介电常数和第二介电常数彼此不同，以及其中，第二绝缘件具有与第一介电常数不同的第三介电常数。第一绝缘件的上部包括气隙。第一栅极图案包括高介电常数栅极绝缘膜，高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第一绝缘件的下部的厚度小于形成在第一栅极图案的底表面上的高介电常数栅极绝缘膜的厚度。根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。气隙被衬里围绕。衬里包括低介电常数的材料。所述半导体装置还包括接触件，接触件电连接到外围区域中的源极/漏极，其中，接触件的顶表面高于第一栅极图案的顶表面，源极/漏极邻近第一栅极图案。接触件的侧壁是阶梯式的，使得接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。气隙的介电常数小于绝缘件的介电常数。[0021 ] 气隙专有地形成在外围区域中。单元区域是静态随机存取存储器。根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括:第一栅电极，在基板的外围区域中设置在源极和漏极之间；第二栅电极，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅电极的侧壁、源极的侧壁以及漏极的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅电极的侧壁上。第一栅电极包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅电极的侧壁和底表面上，第二栅电极包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅电极的侧壁和底表面上。源极和漏极形成在基板中的沟槽中。根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种形成半导体装置的方法，该方法包括:在基板的外围区域中在第一虚设栅极图案的侧壁上形成第一间隔物，在基板的单元区域中在第二虚设栅极图案的侧壁上形成第二间隔物；在外围区域中在与第一虚设栅极图案邻近的第一沟槽中形成第一源极/漏极，在单元区域中在与第二虚设栅极图案邻近的第二沟槽中形成第二源极/漏极；形成代替第一虚设栅极图案的第一栅极图案，形成代替第二虚设栅极图案的第二栅极图案；去除第一间隔物以形成绝缘件；形成覆盖第一源极/漏极的层间介电膜；以及在形成层间介电膜之后形成接触件，其中，接触件穿过层间介电膜电连接到第一源极/漏极，其中，绝缘件的介电常数与第二间隔物的介电常数不同。绝缘件包括气隙。【附图说明】通过参照附图对本专利技术构思的示例性实施例进行详细描述，本专利技术构思的上述和其他特征将会变得更加明显，在附图中:图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图2和图3是示出了图1中示出的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图4是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图5是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图6是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图7是示出了图6中示出的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图8示出了图6中示出的栅极图案和绝缘层的应用示例；图9是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图10a是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图，图10b是示出了图10a中示出的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图11a和图lib是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；图12是示出了图11a中示出的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图13是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的图；图14是图13中示出的半导体装置的剖视图；图15是根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的图；图16至图19是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图20是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图21是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图22至图24是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图25和图26是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图27是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图28至图30是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图31是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图32和图33是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图34是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的制造方法的中间工艺步骤的剖视图；图35是包括根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的电子系统的框图；图36和图37示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置可以应用到的半导体系统。【具体实施方式】在下文中，将参照附图详细地描述本专利技术构思的示例性实施例。然而，本专利技术构思可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相同的附图标记在整个说明书和附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

【技术特征摘要】
2012.08.22 KR 10-2012-00918111.一种半导体装置，所述半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一绝缘件包括气隙。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一绝缘件的介电常数小于第二绝缘件的介电常数。5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括层间介电膜，层间介电膜设置在第二栅极图案上并且位于第二绝缘件之间。6.一种半导体装置，所述半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；`第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件包括具有第一介电常数的上部和具有第二介电常数的下部，第一介电常数和第二介电常数彼此不同，以及其中，第二绝缘件具有与第一介电常数不同的第三介电常数。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一绝缘件的上部包括气隙。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一栅极图案包括高介电常数栅极绝缘膜，高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第一绝缘件的下部的厚度小于形成在第一栅极图案的底表面上的高介电常数栅极绝缘膜的厚度。9.一种半导体装置，所述半导体装置包括:第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晶粲，李承宰，姜尚范，郭大荣，金明哲，金庸淏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：