α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器制造技术

α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器，属于半导体器件技术领域，包括呈交叉排列的一组栅极线和一组数据线、以及由所述栅极线和数据线所界定的呈阵列状排布的像素单元，所述像素单元包括一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管器件，所述薄膜晶体管器件，包括相对形成沟道的源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有α-IGZO薄膜岛，所述漏极与数据线连接。通过用α-IGZOTFT制成α-Si:HPIN传感器，应用于实时X射线医疗影像（荧光透视）系统和/或无损测试系统，进而改进系统性能。使用α-IGZOTFT后的迁移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有较低的截止电流，其信噪比也降低了约30%。大幅提高了实时医疗X射线影像品质。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
a -1GZO薄膜传感阵列的影像传感器
本技术属于半导体器件
，具体涉及a -1GZO薄膜传感阵列的影像传感器。
技术介绍
随着人们自我保健意识的逐渐增强，各种无损伤医疗检测方法医学影像(如X光胸透)受到人们的青睐。TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)平板X射线传感器是数字影像技术中至关重要的元件。由于用非晶硅制作PIN光电二极管传感器成本低和平板工业中读取信号的主动矩阵非晶硅TFT的技术成熟，非晶硅技术在大型医疗影像应用中很广泛。目前，传感器通常采用薄膜晶体管平板结构。非晶硅TFT迁移率很低，0.5?1 cm2 /Vs，为了能为实时荧光透视应用提供高品质的影像，要求系统要有很高的帧率(> 30Hz)，低的截止电流和信噪比。上个世纪末，工业界尝试用低温多晶硅TFT解决以上问题。低温多晶硅TFT有较高的迁移率，大约5(Tl50 cm2/Vs，并且可以整合成a-Si PIN传感器。然而因为激光结晶的复杂工艺以及相应的均匀性问题，使得它难以应用于大平板制作。同时高的漏电流造成TFT开关比低于6，这也增大了读取时的本底噪声。表I把a -1GZO TFT技术与现有的应用于医疗影像系统的TFT技术作了对比(表1:非晶硅TFT，多晶硅TFT以及a-1GZO TFT技术的对比)。

【技术保护点】
α?IGZO薄膜传感阵列的影像传感器，其特征在于，包括呈交叉排列的一组栅极线（1）和一组数据线（2）、以及由所述栅极线（1）和数据线（2）所界定的呈阵列状排布的像素单元（3），所述像素单元（3）包括一个薄膜晶体管器件（4）和一个光电二极管器件（5），每个薄膜晶体管器件（4）连接相应的栅极线（1）和数据线（2），每个光电二极管器件（5）连接偏压线（9）和薄膜晶体管器件（4）相应的漏极（22）；所述薄膜晶体管器件（4），包括相对形成沟道的源极（21）和漏极（22），所述源极（21）和漏极（22）之间设置有α?IGZO薄膜岛（17），所述漏极（22）与数据线（2）连接。

【技术特征摘要】
1.a-1GZO薄膜传感阵列的影像传感器，其特征在于，包括呈交叉排列的一组栅极线(I)和一组数据线(2)、以及由所述栅极线(I)和数据线(2)所界定的呈阵列状排布的像素单元(3)，所述像素单元(3)包括一个薄膜晶体管器件(4)和一个光电二极管器件(5)，每个薄膜晶体管器件(4)连接相应的栅极线(I)和数据线(2)，每个光电二极管器件(5)连接偏压线(9)和薄膜晶体管器件(4)相应的漏极(22)； 所述薄膜晶体管器件(4)，包括相对形成沟道的源极(21)和漏极(22)，所述源极(21)和漏极(22)之间设置有a-1GZO薄膜岛(17)，所述漏极(22)与数据线(2)连接。2.如权利要求1所述的α-1GZO薄膜传感阵列的影像传感器，其特征在于，所述数据线(2 )连接电荷放大器(6 )，所述电荷放大器(6 )连接多路选择器(7 )，所述多路选择器(7 )连接模数转换器(8)。3.如权利要求1所述的a-1GZO薄膜传感阵列的影像传感器，其特征在于，所述上半的栅极线(I)连接第一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐开文，钟凡，
申请(专利权)人：徐廷贵，
类型：实用新型
国别省市：