一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层，还包括：形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。在本实用新型专利技术所述技术方案中，由于可在形成缓冲层之前，在衬底基板上形成公共电极层，使得公共电极层不仅可与像素电极层形成存储电容，还可与半导体层形成存储电容，起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果；另外，与现有技术相比，由于还可省去后续保护层及钝化层等工艺流程，从而还可达到简化阵列基板的膜层结构以及制作工艺的效果。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)液晶显示技术的不断发展,具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的基于LTPS (Low TemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)技术的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数码相机等数字电子设备中。但是，在基于LTPS技术的TFT显示装置等高分辨率产品中，随着产品分辨率以及开口率的越来越高，会导致LTPS TFT显示装置的阵列基板的像素间距(pixel pitch)越来越小，进而导致阵列基板的存储电容越来越小。由于对于LTPS TFT阵列基板来说，在同样大小漏电流情况下，存储电容越小会导致像素电压的保持率越低，进而会导致闪烁(Flicker)等不良现象的产生，极大地降低了阵列基板或TFT显示装置等高分辨率产品的品质，因此，如何在不影响阵列基板开口率的同时提高其存储电容，已成为业界亟需解决的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层，其特征在于，还包括：形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层，其特征在于，还包括: 形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述公共电极层在所述衬底基板上的水平投影区域分别与所述像素电极层在所述衬底基板上的水平投影区域以及所述半导体层在所述衬底基板上的水平投影区域存在重叠。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙建，李成，安星俊，柳奉烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：