一种制造半导体芯片的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤：（1）用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；（2）将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺（DAE）腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离；（3）在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化；（4）采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电镀铜，从而形成铜金属衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及。
技术介绍
发光二极管通常选用蓝宝石作为异质外延的衬底，但蓝宝石与形成发光二极管的半导体材料之间存在晶格失配，造成外延晶体结构中存在高密度的线缺陷，这使得发光二极管制备工艺复杂，影响器件的电流扩展、输出光功率等特性，而且蓝宝石导热性能也不佳，使得其散热问题突出；这些问题的存在使得蓝宝石衬底和外延层材料的分离十分必要。采用剥离技术可以实现蓝宝石衬底和外延层的分离，这种剥离技术常用有:研磨法将，即采用研磨工艺将蓝宝石衬底和半导体外延材料的分离，但蓝宝石的硬度较高，而且较脆，因此采用研磨等机械加工方法十分困难。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了，能够实现低成本、简单易行地制备发光二极管。本专利技术提出的，依次包括如下步骤:(I)用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；(2)将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺(DAE)腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离。(3)在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化；(4)采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤：（1）用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；（2）将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺（DAE）腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离；（3）在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化；（4）采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电镀铜，从而形成铜金属衬底。

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤: (1)用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁； (2)将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺(DAE)腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的分离； (3)在蓝宝石衬底分离后，采用光刻工艺在发光二极管外延层上图形化； (4)采用电镀工艺在发光二极管外延层上已图形化的区域电镀铜，从而形成铜金属衬 。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于: 其中，所述在步骤(1)中的发光二极管结构为:自下而上依次具有蓝宝石衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n-GaN层、多量子阱层、p-AGaN层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：